专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氮化镓多基片研磨设备和方法-CN202311041449.8在审
  • 赵少峰;谢勇 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-10-13 - B24B37/005
  • 本发明实施例涉及一种氮化镓多基片研磨设备和方法。设备包括:多片研磨载台同时容纳多片GaN衬底;加热系统对多片研磨载台和多片研磨载台上承载的GaN衬底加热;磨片盘设置于多片研磨载台的上方,对多片研磨载台上承载的GaN衬底进行研磨;磨片盘的中心设有液体供给管路;研磨液供给系统和清洗液供给系统分布包括研磨液储存罐、泵、流量计和控制阀,研磨液供给系统通过液体供给管路将研磨液输送至磨片盘与GaN衬底之间;清洗液供给系统通过液体供给管路将清洗液输送至磨片盘与GaN衬底之间;氧化气氛供给装置用于在研磨过程中提供可控的氧化环境;多片研磨载台、加热系统、磨片盘、研磨液供给系统、清洗液供给系统和氧化气氛供给装置与控制系统相连。
  • 一种氮化镓多基片研磨设备方法
  • [发明专利]使用神经网络的光谱监测-CN202310801698.6在审
  • B·切里安 - 应用材料公司
  • 2017-11-22 - 2023-10-03 - B24B37/005
  • 处理基板的方法包括以下步骤:使基板经受修改所述基板的外层的厚度的处理,在处理期间测量从所述基板反射的光的光谱,缩减测得的光谱的维度以产生多个分量值,使用人工神经网络产生表征值,以及基于所述表征值来确定停止处理所述基板或调整处理参数中的至少一个。所述人工神经网络具有接收所述多个分量值的多个输入节点、输出所述表征值的输出节点以及将所述输入节点连接至所述输出节点的多个隐藏节点。
  • 使用神经网络光谱监测
  • [发明专利]一种恒力研磨装置及其研磨控制方法-CN201810868692.X有效
  • 张铁;蔡超;吴圣和 - 华南理工大学
  • 2018-08-02 - 2023-09-26 - B24B37/005
  • 本发明公开了一种恒力研磨装置,包括六自由度工业机器人、浮动研磨机、一维力传感器、数据采集装置、恒力装置和控制器;本发明还公开了一种基于上述恒力研磨装置的研磨控制方法,包括如下步骤:控制待研磨工件按照预先的轨迹进行研磨;一维力传感器获得研磨力模拟信号;根据研磨力模拟信号以及期望值,计算得到研磨力误差及误差变化值,将其作为自适应PID控制器的输入;自适应PID控制器输出为伺服电机控制量,根据控制量驱动直线运动模组实时调节,进而控制研磨力。本发明可实现智能恒力控制,对提高抛光研磨的生产率、保证产品一致性、改善工人劳动条件、节约成本等方面具有良好的作用。
  • 一种恒力研磨装置及其控制方法
  • [发明专利]平坦度控制方法、装置、设备及介质-CN202210706556.7有效
  • 常潇;桂辉辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-06-21 - 2023-09-22 - B24B37/005
  • 本公开涉及一种平坦度控制方法、装置、设备及介质,所述方法包括:获取目标晶圆的当前厚度值集合,当前厚度值集合包括所述目标晶圆的多个不同研磨区的当前厚度值;根据当前厚度值集合计算所述目标晶圆的厚度变化振幅,若厚度变化振幅大于或等于预设厚度变化阈值,则根据目标晶圆的参考研磨区的当前厚度值、多个不同研磨区的目标厚度值计算不同研磨区的当前厚度偏差;根据目标晶圆相邻前一次被所述机台研磨的压力值、当前厚度偏差及重研磨去除厚度值计算研磨区的目标研磨压力值,并根据研磨压力值控制所述机台执行预设化学机械研磨工艺,提高化学机械研磨工艺后晶圆不同研磨区域的厚度均一性。
  • 平坦控制方法装置设备介质
  • [发明专利]蓝宝石晶片衬底的磨盘装置-CN202310654767.5在审
  • 方从富;鲍中宇;魏绍鹏;程蔚 - 华侨大学
  • 2023-06-05 - 2023-08-29 - B24B37/005
  • 本发明公开了蓝宝石晶片衬底的磨盘装置,信号采集模块采集研磨盘的研磨力信号并将信号传递至控制模块,所述控制模块将采集到的研磨力值F1与预设力值F0进行比较,计算出研磨力值F1与预设力值F0的偏差值E,则:若偏差值E小于0,所述控制模块控制执行模块执行加压指令,以使研磨盘的研磨力增大;若偏差值E等于0,所述控制模块不对执行模块发布指令,以使研磨盘的研磨力保持不变;若偏差值E大于0,所述控制模块控制执行模块执行减压指令,以使研磨盘的研磨力减小。该磨盘装置可确保每个研磨盘的研磨力保证稳定不变,以保证磨盘内外研磨力的均匀性。且,该磨盘装置更加适合大尺寸磨盘,对衬底的研磨均匀性更佳。
  • 蓝宝石晶片衬底磨盘装置
  • [发明专利]基板处理系统-CN202080037700.1有效
  • 鸟越恒男;畠山雅规;中迂良 - 株式会社荏原制作所
  • 2020-05-20 - 2023-08-29 - B24B37/005
  • 可使基板处理装置省人力、节能、及/或低成本化。具备:传感器,该传感器设置于基板处理装置,检测对象基板处理中的对象物理量;及预测部,该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型,从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻,该机器学习模型是如下模型:使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习。
  • 处理系统
  • [实用新型]一种化学机械研磨设备-CN202320713595.X有效
  • 曹远志 - 武汉楚兴技术有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-08-29 - B24B37/005
  • 本申请提供一种化学机械研磨设备,化学机械研磨设备包括研磨头、研磨盘、研磨臂和控制模块,研磨头用于将待研磨物保持在研磨头和研磨盘之间,研磨臂包括至少一个研磨液输运管路,研磨液输运管路用于将研磨液输运至研磨盘,以对待研磨物研磨;研磨臂包括至少一个第一加热模块和第一温度传感器,每个第一加热模块用于对每个研磨液输运管路中的研磨液加热,每个第一温度传感器用于测量每个研磨液输运管路中的研磨液的温度;控制模块用于调控第一加热模块的加热功率,从而将研磨液的温度维持在设定的温度值。通过对研磨液进行升温,提高研磨速度,实现对加工过程中化学作用进行控制,降低对待研磨物的划伤缺陷,还可以提升CMP研磨工艺的选择比调节。
  • 一种化学机械研磨设备
  • [发明专利]化学机械研磨设备和调整化学机械平坦化的方法-CN202310455036.8在审
  • 蔡伟芹;裴士霜 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-15 - B24B37/005
  • 本公开实施例涉及一种化学机械研磨设备和调整化学机械平坦化的方法。化学机械研磨设备包括:承载抛光垫的研磨盘;研磨头,位于研磨盘的上方,研磨头靠近研磨盘的一面承载有晶圆;第一检测装置,设置于晶圆的外侧,用于检测晶圆的厚度变化,并根据所述厚度变化生成厚度差值信号;控制装置,与第一检测装置连接,用于接收厚度差值信号,并根据厚度差值信号生成控制信号,控制信号用于调整研磨盘与研磨头之间的第一间距,以使抛光垫研磨晶圆的研磨速率保持不变。根据厚度差值信号生成调整研磨盘和研磨之间的第一间距的控制信号,使得抛光垫和晶圆厚度的变化对化学机械研磨工艺的研磨速率不产生影响,从而保证化学机械研磨工艺的研磨过程稳定进行。
  • 化学机械研磨设备调整平坦方法

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