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[发明专利]混合式化学机械抛光工艺的线上控制方法-CN200610092381.6无效
发明人：朱辛堃;陈彦竹;蔡腾群;陈佳禧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： B24B51/00 文献下载
摘要：提供一批次的待抛光产品晶片，其上已形成图案化结构，及第一介电层沉积在该图案化结构及第二介电层上。依序在该第一抛光平台上抛光该批次中至少3片的先行产品晶片，线上进行该先行产品晶片上剩余介电层厚度的量测，建立起一线性的抛光速率表，再依据该抛光速率表，依序在该第一抛光平台上抛光该批次中剩下的产品晶片，将该第一介电层厚度抛光至目标厚度
混合式化学机械抛光工艺线上控制方法

[发明专利]利用基于目标的空中图像的变换的焦点计量和目标-CN201680045370.4有效
发明人： N·古特曼;Y·弗莱;V·莱温斯基;O·卡米斯开 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供焦点计量方法和模块，其使用基于空中图像的变换以共享自多个目标导出的测量信息和/或设计针对指定兼容目标的额外目标，此实现依据改变的生产条件简单调整焦点目标。方法包括：将两个或两个以上焦点目标定位在每一晶片场中；进行目标的焦点测量；将焦点测量变换为针对每一场的单组结果；使用基于目标的空中图像的目标之间的变换；及自单组结果导出焦点结果；及可能使用指定目标的空中图像参数自指定目标设计焦点目标
利用基于目标空中图像变换焦点计量

[发明专利]相控阵超声探头在多层介质中探伤时声场分布的计算方法-CN201210425059.6有效
发明人：肖凯;张俊;胡平;李晓红;马庆增;张益成 -专利权人：广东电网公司电力科学研究院;武汉大学
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01N29/44 文献下载
摘要：一种相控阵超声探头在多层介质中探伤时声场分布的计算方法：S1修正瑞利积分式得到相控阵声场传播的表达式；S2建立任意多层介质中的路径快速算法；S3计算晶片延迟、激发延迟时间：S3-1构建探头晶片、楔块和工件三维坐标系；S3-2对激励信号进行傅里叶变化；S3-3构成路径矩阵；S3-4计算点源延迟时间、扩散衰减以及在穿过每个截面处的反射和透射；S3-5计算目标点信号所产生的声场振幅和相位变换，进行逆变换即可得到每个点源激励信号传播至目标计算点出的声场；S3-6叠加得到目标点出声场值；S3-7划分单元依次计算得到该目标区域的声场分布。
相控阵超声探头多层介质探伤声场分布计算方法

[发明专利]在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统-CN200680042530.6有效
发明人： R·里斯;S·康德拉腾科;乐金久;L·万赖特;G·蔡 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。
离子注入工艺通过引入气体减轻污染改变表面特性方法系统

[发明专利]光刻系统、固定方法及晶片工作台-CN200880107099.8有效
发明人：吉多·德布尔;米歇尔·彼得·丹斯贝格;彼得·克勒伊特 -专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻系统，例如用于将图像或图像图案投影到诸如晶片的目标(1)上，所述目标通过目标工作台(2)而包括在所述系统中，固定装置用于将所述目标固定在所述工作台上，其中，所述固定装置包括静止液体层(3)，所述液体层以使得在液体(C)的材料与所述目标(1)和所述目标工作台(2)的各接触面(A、B)的材料的条件下产生压力降(Pcap)的厚度包含在所述目标与所述目标工作台之间。
光刻系统固定方法晶片工作台

[发明专利]一种显示面板制造方法及装置-CN202210176710.4在审
发明人：王亚楠 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：显示面板制造方法包括：首先根据设定的分档规则对晶片上的发光二极管芯片进行分档；再根据发光二极管的档位对晶片进行裂片操作，获得不同颜色和档位的发光二极管芯片，并根据档位将发光二极管芯片进行分组；然后将发光二极管芯片按设定的排布规则放置在排布模板上，排布模板是根据目标基板的图案模型和设定的排布规则形成的；最后在排布模板与目标基板完成对位设置后，将发光二极管芯片从排布模板上一起转移到目标基板上，形成显示面板。本发明排布操作提前到排布模板上进行，在目标基板上只进行一次发光二极管的取放操作，极大地减少了取放操作对目标基板造成损伤的风险，提升了显示面板的良品率。
一种显示面板制造方法装置

[发明专利]立式热处理装置及移载机构的自动示教方法-CN200580009616.4有效
发明人：浅利聪;三原胜彦;菊池浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及立式热处理装置(1)的移载机构(21)，其具有可升降及可旋转的基台(25)和配置在该基台上的可进退并支承晶片(W)的多个基板支承件(20)。在基台(25)上，设置有向基板支承件(20)的前进后退方向射出光线、并利用该反射光检测目标部件的第一传感器(45)；并在基板支承件(20)的两个前端部，设置有通过遮挡在两前端部之间行进的光线、检测目标部件的第二传感器在特定位置设有位置检测用的突起(49)和(50)的目标部件(44)设置于晶舟(8)的规定位置，基台(25)升降并旋转，且基板支承件(20)进退。根据此时所得的第一传感器(45)和第二传感器的检测信号，以及与基台(25)和基板支承件(20)的动作相关的各驱动系统的编码值，自动检测目标部件的位置，即晶片的目标移载位置。
立式热处理装置机构自动方法

[发明专利]光刻方法-CN201010572023.1有效
发明人：王伟斌;王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻方法，该方法包括：对原始目标图案进行预处理，形成二次目标图案，所述二次目标图案不包括直角转角；对二次目标图案进行OPC处理，形成修改后的二次目标图案；按照修改后的二次目标图案在掩膜版上形成掩膜版图案；根据掩膜版图案对晶片上的PR进行曝光和显影，形成光刻图案。
光刻方法

[实用新型]晶片夹自动上料机-CN202320311542.5有效
发明人：梁华朋 -专利权人：福建三荣科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶片夹自动上料机，涉及生产设备技术领域。其包括支撑架、夹取上料模组及用于放置待夹取的晶片夹的输送机，沿支撑架的高度方向设置有多个输送机，夹取上料模组用于逐行夹取输送机上的晶片夹；夹取上料模组包括第一安装座、第二安装座、第三安装座及料爪组件，第一安装座固定于支撑架，第二安装座通过第一驱动组件沿X方向可滑动安装于第一安装座，第三安装座通过第二驱动组件沿Y方向可滑动安装于第二安装座，料爪组件通过第三驱动组件沿Z方向可滑动安装于第三安装座，料爪组件用于夹取晶片夹并将晶片夹移送至下一工位的目标位置
晶片自动上料机

[发明专利]时间解析非入侵式诊断系统-CN02823376.X无效
发明人：丹尼尔·穆多克·柯顿;奈德·派克德门;詹姆士·S·维克斯;汤玛斯·王 -专利权人：亚帕托尼克斯公司
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：在导引模式中，光源被启动，摄像光学装置用于辨识晶片上的目标区并适当定位聚光装置。聚光装置适当予以定位后，光源即关闭，光子感应器则用来侦测晶片所放射的光子。
时间解析入侵诊断系统

[发明专利]薄膜和制造薄膜的方法-CN201310109350.7有效
发明人：胡卉;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜和制造薄膜的方法，所述方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余料层之间，注入离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；将键合体放入预定容器内以对键合体进行加热，使得薄膜层和余料层分离；在薄膜层和余料层分离之后，在预定容器内以高压的气氛的条件继续对薄膜层和目标基板加热达预定时间本发明能大大减小薄膜的缺陷密度，制作出大尺寸、晶片面积大、纳米等级厚度、膜厚均匀的薄膜。
薄膜制造方法

[实用新型]一种解胶装置以及封装系统-CN202120921442.5有效
发明人：吴学坚;程寅山;徐钊;郑世鹏;郑朝曦 -专利权人：深圳市佑明光电有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：支撑结构包括由耐温材料制成的滑座以及由透光材料制成并用于承托两目标物的载板，滑座开设有光源腔，滑座的外表面还设有承载面，且承载面开设有连通光源腔的透光孔，载板设置于承载面且遮盖透光孔。光照结构包括光源以及调光驱动电源，调光驱动电源用于驱动光源，光源设置于光源腔并朝透光孔投射具有预定波长的光线，光线照射位于载板上的两目标物，以降低两目标物之间的粘着力。本实用新型通过光线照射位于载板上的UV膜和晶片，从而对UV膜层上产生粘着力的粘接剂进行固化，减小粘接剂对晶片的粘性。
一种装置以及封装系统

[发明专利]测量非对称性的方法、检查设备、光刻系统及器件制造方法-CN201580069463.6在审
发明人： A·富克斯;P·H·瓦德尼尔;A·辛格;M·达尔方索;H·D·波斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量，其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式，避免了强度标度差异(工具非对称性)。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率，并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ＝0、π)，而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G)，以计算经校正的非对称性A’，以便减小由杂散光引起的误差。
测量对称性方法检查设备光刻系统器件制造

[发明专利]一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法-CN202210876237.0在审
发明人：刘军林;吕全江;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：本发明采用两步法减薄钽酸锂晶片，首先利用减薄效率高的机械研磨抛光减薄或离子束刻蚀减薄技术，使钽酸锂晶片接近目标厚度值，然后再利用化学腐蚀减薄去除前一步减薄的损伤层，并达到最终的目标厚度值。采用两步法减薄，既具有快速的减薄特点，同时又避免了钽酸锂晶片存在损伤层的问题。
一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法

[发明专利]在半导体制造过程中应用沉积模式的方法-CN202080047195.9在审
发明人： M·皮萨连科;M·范德斯卡;张怀辰;玛丽亚-克莱尔·范拉尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法包括：使用沉积模型预测衬底的沉积轮廓；并且使用预测沉积轮廓来增强量测目标设计。使用来自物理晶片的层的经验横截面轮廓信息来校准沉积模型。量测目标设计可包括对准量测目标设计或重叠量测目标设计。
半导体制造过程应用沉积模式方法