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- [发明专利]通过BIOS更新配置文件的方法-CN201010528984.2有效
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邓印
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英业达股份有限公司
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2010-10-25
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2012-05-16
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G06F9/445
- 本发明涉及一种通过BIOS更新配置文件的方法，适用于电脑系统中的监控晶片。其中，所述方法是藉由读取配置文件来取得系统所给定的当前配置号，并藉由侦测电脑系统的配置来取得当前系统所需的目标配置号。藉此，通过当前配置号与目标配置号的比对，将可决定是否要进行配置文件的更新。此外，所述方法还判别电脑系统在配置文件更新后是否可以正常工作，并根据预测结果来决定是否进行配置文件的更新。再者，所述方法还将位在假死状态的监控晶片切换至修复模式，以藉由配置文件的强制更新来修复监控晶片。本发明将可简化使用者在更新配置文件上的操作。
- 通过bios更新配置文件方法
- [发明专利]研磨装置-CN201710576177.X有效
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前原英信;井上裕介;吉原秀明;山浦徹
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创技股份有限公司
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2017-07-14
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2021-01-12
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B24B37/005
- 本发明提供一种能够根据研磨加工过程中的晶片的截面形状而将晶片研磨成目标的截面形状的研磨装置。下定盘(22)、太阳齿轮(23)、内啮合齿轮(24)以及游星轮板(30)，游星轮板(30)通过太阳齿轮(23)及内啮合齿轮(24)而进行自转及公转，从而对配置在游星轮板(30)的工件保持孔(30A)内的晶片W的双面进行研磨，研磨装置(10)还具备：形状测量装置(100),其对研磨加工过程中的晶片W的截面形状进行测量；控制装置(300)，其根据该形状测量装置(100)所测量出的截面形状而对研磨加工进行控制。
- 研磨装置
- [发明专利]一种键合方法-CN201610096576.1在审
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方安乐;徐慧文;李起鸣
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映瑞光电科技（上海）有限公司
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2016-02-22
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2017-08-29
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H01L21/603
- 本发明提供一种键合方法，包括如下步骤S1在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，热膨胀系数较大的一个位于上方；S2在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层，其中，热膨胀系数较大的一个位于下方；S3通过上下加热基板对辅助键合结构及待键合结构施加压力，并加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明通过引入辅助键合结构，使得在键合过程中辅助键合结构由于热失配产生边缘向下的翘曲，利用这种边缘的横向剪切应力向下压迫待键合晶片的边缘，从而达到降低晶片键合后翘曲，改善边缘键合质量的目的。
- 一种方法
- [发明专利]一种高效改变SiC衬底形状的方法-CN202210418807.1在审
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陈秀芳;郭枫林;徐现刚
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山东大学
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2022-04-20
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2022-08-05
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H01L21/02
- 本发明涉及一种高效改变SiC衬底形状的方法，该方法包括采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨；清洗后采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光，如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣，且Bow＞15um，对晶片进行补充性单面机械抛光，最后将机械抛光后的晶片，对硅面或者碳面进行化学机械抛光，得到均匀凹陷或凸起的SiC衬底。本发明通过特定的研磨机抛光时晶片朝向以及上下盘转速，突破了非极性半导体加工的局限性，在保证SiC衬底表面高平整度和低表面粗糙度的前提下，可以将衬底形状快速加工至均匀凹陷或凸起，有效缩减了传统加工的繁琐步骤
- 一种高效改变sic衬底形状方法
- [实用新型]化学机械抛光装置-CN201520776909.6有效
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金钟千;赵玟技
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K.C.科技股份有限公司
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2015-10-08
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2016-07-13
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B24B37/10
- 涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖；抛光头，形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室，隔膜的底板位于压力腔室的下侧，通过调节压力腔室的压力，使位于底板下侧的晶片在被加压的状态下进行旋转；浆料供给部，向抛光垫和晶片中的至少一个供给浆料；第一传感器，检测晶片的厚度分布；以及控制部，对化学机械抛光工序进行控制，从而在执行使晶片的抛光面达到预定的第一抛光厚度为止的化学机械抛光工序期间，一边调节压力腔室的气压，一边执行化学机械抛光工序，以减少第一传感器检测的晶片的厚度偏差，当达到第一抛光厚度后，自第一抛光厚度到目标厚度为止，不执行减少晶片的厚度偏差的抛光厚度偏差调整，而仅执行抛光工序。
- 化学机械抛光装置
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