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[发明专利]设计相位光栅图形的方法和制造包括它的光掩模系统的方法-CN03178777.0无效
发明人：姜暎硕;朴钟洛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种设计相位光栅图形的方法提供用于主掩模的照度的修改形式，最佳化地用于在光刻工艺中在晶片上产生一个很多个目标图形。一旦确定了要形成在晶片上的目标图形，由至少一部分相位光栅占据的区域被分成多个子单元，初始相位值分配给每个子单元，并且随机地选择子单元之一并改变最后分配给它的相位值，重复该工艺。该工艺是采用一种迭代法，其改变分配给子单元的相位值的设置，直到它们收敛于将提供用于相位光栅的设计的一个相位值设置上为止，其中该相位光栅将产生最佳化地用于在晶片上形成目标图形的照度的修改形式。
设计相位光栅图形方法制造包括光掩模系统

[发明专利]一种晶振自动生产方法-CN202310873716.1在审
发明人：宣志超;汪星原;吴兵 -专利权人：安徽晶赛科技股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶片加工技术领域，具体是一种晶振自动生产方法，包括以下步骤：S1、通过点胶工序将晶片固定在基座上；S2、接着通过烤胶工序对安装有晶片的基座进行烘烤，以使胶体凝固；S3、通过微调工序对烘烤完成的晶片进行调整，以使晶片达到目标频率；S4、最后通过封焊工序将盖板焊接在基座上，进而形成完整的晶振工装；本发明能够减少晶振制程的流转时间，从而提升晶振工装的成品率；同时，本发明能够减少制程时间，实现智能传送，保证制程时间的一致性
一种自动生产方法

[发明专利]利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除-CN201580055982.7有效
发明人：达米安·兰贝特;约翰·施潘;斯蒂芬·克拉苏利克 -专利权人：斯考皮欧技术有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：具有柔顺树脂的转移基底用于将一个或更多个芯片接合至目标晶片。在转移基底中形成有注入区。转移基底的一部分被蚀刻以形成耸立部。柔顺材料被施加至转移基底。芯片在芯片被固定至柔顺材料的情况下被接合至目标晶片。从芯片去除转移基底和柔顺材料。转移基底对UV光是不透明的。
利用柔顺树脂半导体接合以及使用注入用于转移晶片去除

[发明专利]胎儿监护信号的处理方法、装置、胎儿监护装置及介质-CN201910083815.3有效
发明人：罗崇;刘锦群 -专利权人：深圳市理邦精密仪器股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种胎儿监护信号的处理方法，包括以下步骤：接收所述多晶片探头通过与晶片连接的多通道传输过来的监护信号；对所述监护信号的信号强度进行阈值检测，根据所述阈值检测的结果确定目标通道；判断所述目标通道的监护信号是否为胎心信号；当所述目标通道的监护信号存在非胎心信号时，根据所述目标通道以外的其他通道的监护信号对所述目标通道的监护信号进行消噪。
胎儿监护信号处理方法装置介质

[发明专利]超声波成像方法、装置、电子设备、存储介质-CN202010032755.5有效
发明人：牛阳;安普岩 -专利权人：东软医疗系统股份有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：方法应用于超声波成像设备，所述超声波成像设备包含超声探头，所述超声探头包含压电晶片；所述超声波成像方法，包括：根据超声探头的幅频特性选择目标窗函数；使用所述目标窗函数对初始激励信号进行幅度调制，得到目标激励信号，以使通过所述超声探头发射超声波后，所述超声探头接收的回波信号的第一频率分量的能量与第二频率分量的能量的占比达到预设占比范围，其中，所述超声波由所述目标激励信号激励所述压电晶片生成。
超声波成像方法装置电子设备存储介质

[实用新型]易于安装的太阳能侦烟感测器-CN201020574622.2无效
发明人：陈登贤 -专利权人：陈登贤
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G08B17/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种易于安装的太阳能侦烟感测器，包含：一外壳，具有一容置空间；一侦烟模块，设于该容置空间内；多个太阳能晶片，设置于该外壳外部；一蓄电装置，设于该容置空间内并电连接该多个太阳能晶片；及一警示装置，电连接该多个太阳能晶片及该蓄电装置。由此，利用太阳能晶片的设置，直接提供电源的供应，以及同步对其内部该蓄电装置充电用以提供间接的电源供应，使其得以加强使用上节能目标的达成，对于施工的实施亦较为方便。
易于安装太阳能侦烟感测器

[发明专利]检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片-CN201110190395.2有效
发明人：傅国贵;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片，该双重图案技术中的检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶片，该半导体晶片具有至少一相应该检验图案的目标图案。本发明另提供一种利用该检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，通过比对该目标图案及该检验图案相应的缝合关键尺寸，以检查图案缝合区域中的图案线段位移及增加集成电路布局的可靠度及可印制性。
检验图案缝合方法半导体晶片

[实用新型]LED集成光源-CN201420588499.8有效
发明人：刘贤莉 -专利权人：广州市珠江灯光科技有限公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED集成光源，包括固定件和多个LED光源，固定件的截面为弧形，多个LED光源设置于固定件的凹面上，LED光源的晶片和其与凹面对应的切线平行，或LED光源的晶片和其与凹面对应的切线重叠，固定件的凹面形成反射面，多个LED光源射出的光聚集在同一目标点。由于固定件的截面为弧形，固定件的凹面形成反射面，LED光源的晶片和其与凹面对应的切线平行或重叠，使得安装反射面上的多个LED光源射出的光聚集在同一目标区内，达到光源集中和光照强度高的目的。
led 集成光源

[发明专利]Micro-LED修补载板的制备方法及显示装置的Micro-LED修补方法-CN202210753805.8在审
发明人：陈书志;李佳育 -专利权人：上海闻泰信息技术有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种Micro‑LED修补载板的制备方法及显示装置的Micro‑LED修补方法，Micro‑LED修补载板的制备方法包括：提供Micro‑LED晶片和临时载板，将所述Micro‑LED晶片贴合至所述临时载板上，所述Micro‑LED晶片包括衬底以及贴合在所述衬底上的多个Micro‑LED芯片；将所述衬底与所述Micro‑LED晶片的Micro‑LED芯片分离，以使所述Micro‑LED芯片贴合在所述临时载板上；提供目标载板，将所述临时载板上的至少部分Micro‑LED芯片转移至所述目标载板，以得到Micro‑LED芯片排布密度小于或等于所述预设排布密度的修补载板。
micro led 修补制备方法显示装置

[发明专利]固晶机-CN202110750377.9有效
发明人：谢启全;曾逸;邓应铖 -专利权人：深圳市卓兴半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请涉及一种固晶机，固晶机包括晶片供料机构、固晶台以及固晶机构。晶片供料机构设有取晶位置；固晶台活动设有移载台面以承载待加工基板，待加工基板设有固晶位置；固晶机构包括取晶镜头、可转动的摆臂以及可移动的固晶镜头，取晶镜头在二维取晶平面内的投影与取晶位置重合，固晶镜头在二维固晶平面内的投影与固晶位置重合本发明，在加工不同型号和尺寸的待加工基板时，可以根据待加工基板的尺寸等参数来调节固晶位置，并调节摆臂的目标极限位置，从而使目标晶片从晶片供料机构上被拾取，然后经由摆臂的转动移送至固晶位置。
固晶机

[发明专利]半导体刻蚀方法及刻蚀系统-CN200810114316.8有效
发明人：赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统，该方法包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀。
半导体刻蚀方法系统

[发明专利]硅晶片的螺旋倒角加工方法-CN201980075940.8有效
发明人：石田贤太郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶片的倒角加工方法，当将完工晶片倾斜角度设为低角度时，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。在以满足硅晶片W边缘部中完工晶片倾斜角度（θ）在目标晶片倾斜角度（θ0）的容许角度范围内的方式进行螺旋倒角加工的硅晶片的倒角加工方法中，包含第1修整工序（S10
晶片螺旋倒角加工方法

[发明专利]用于晶片对准的系统、方法及目标-CN202180032730.8在审
发明人： A·西姆金 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片对准系统，其包含成像子系统、控制器及载物台。所述控制器接收参考点目标的图像数据且确定所述参考点目标中的每一者的中心位置。所述中心位置确定包含识别相应参考点目标内的子图案及识别所述相应参考点目标的多个中心位置候选者。识别所述相应参考点目标的所述多个中心位置候选者的步骤包含：将模型应用到所述相应参考点目标的每一经识别子图案，其中所述模型产生每一子图案的识别所述相应参考点目标的中心位置候选者的热点。所述控制器进一步经配置以基于所述多个中心位置候选者确定所述相应参考点目标的中心位置且基于所述参考点目标的所述中心位置确定而确定所述晶片的定向。
用于晶片对准系统方法目标

[发明专利]芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备-CN201910545026.7在审
发明人：周博;李奇峰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开涉及一种芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备，涉及集成电路的测试领域，该方法包括：获取待测芯片的区域信息，区域信息能够指示待测芯片在晶片上的中央区域或边缘区域，根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值，按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值，根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。本公开能够根据芯片在晶片上的不同区域，选择不同的策略对芯片进行修调，提高了芯片修调的效率和准确度。
芯片方法装置存储介质电子设备

[发明专利]用于非硅基器件的晶片级密封-CN03823717.2无效
发明人： G·D·米勒;M·布鲁纳;L·H·拉根;G·W·格里尼 -专利权人：硅光机械股份有限公司
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：所揭示的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法(100)。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供(104)牺牲材料；在晶片上沉积(108)密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换(112、114)牺牲材料。所揭示的另一个实施例涉及以晶片级密封的SAW器件(即，在管芯与晶片分离之前)。
用于非硅基器件晶片密封

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