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[发明专利]电介质单元的制造方法-CN97102882.6无效
发明人：岸下浩幸;上田幸憲 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1997-02-25 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： H01G5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种由大型电介质基片同时制造多个电介质单元的方法，该电介质单元品质优良，大批量生产性能也优良。该方法包括准备板状电介质基片的工序、研磨电介质基片至少一个主面的工序、在电介质基片另一主面上形成多个电极的工序、分割电介质基片为具有电极的电介质单元从而得到电介质单元的工序。$#!
电介质单元制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料
半导体器件

[发明专利]局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法-CN201310111228.3有效
发明人：金崇君;沈杨;周建华 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法，局域等离子体谐振折射率传感器包括上层金属帽、介质柱和下层金属孔阵，介质柱可以是光刻胶等低折射率电介质,介质柱位于上层金属帽和下层金属孔阵之间。
局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法

[实用新型]一种图厄-摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构-CN202121019974.6有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种图厄‑摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构，属于全光通信系统技术领域。包括两个对称分布的复合组件，复合组件包括一个石墨烯层、若干第一电介质层和若干第二电介质层，复合组件中的石墨烯层、第一电介质层和第二电介质层三者的排布规律为：由外侧向内依次为第一电介质层、第二电介质层、石墨烯层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层和第二电介质层。
一种摩尔序列多层电介质石墨复合结构

[发明专利]用于晶体管的栅极-CN201780087753.2在审
发明人： V·H·勒;A·A·夏尔马;R·皮拉里塞泰;G·W·杜威;S·希瓦拉曼;T·A·特罗尼克;S·加德纳;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。
栅极电介质电介质沟道漏极源极耦合的邻接晶体管衬底绝缘

[发明专利]附着至基板的电磁电介质结构及其制造方法-CN201980029549.4在审
发明人：史蒂芬·奥康纳;詹尼·塔拉斯基;克里斯托弗·布朗;克里斯季·潘采;卡尔·施普伦托尔;布鲁斯·菲茨;迪尔克·巴尔斯;威廉·布拉休斯;穆拉利·塞瑟马达范;罗申·罗斯·乔治;迈克尔·S·怀特;迈克尔·伦特;萨姆·亨森;约翰·多布里克 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：在实施方式中，电磁设备包括：基板，该基板包括电介质层和第一导电层；至少一个电介质结构，该电介质结构包括至少一种非气态电介质材料，该非气态电介质材料形成从基板的第一侧向外延伸的第一电介质部分以及延伸到可选的过孔中的可选的第二电介质部分，第一电介质部分具有平均介电常数。所述至少一个电介质结构通过以下至少一者结合到基板：由于包括有逆行表面的至少一个互锁槽而形成的第二电介质部分与基板之间的机械互锁；具有粗糙化表面的位于基板与电介质结构之间的中间层；或者位于电介质结构与基板之间的粘合材料制造该设备的方法可以包括：将电介质复合物注塑模制到基板上以形成电介质基板。
附着至基板电磁电介质结构及其制造方法

[发明专利]极化转换电介质板-CN201480024645.7在审
发明人：贾斯汀·雷德 -专利权人：凯萨股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：一种电介质板，其用于与以预定频率沿着传播路径传播的电磁辐射源一起使用。电介质板可以包括交替的、细长的、平行的第一电介质元件和第二电介质元件，以及框架，所述框架支撑分布在第一平面中的第一电介质元件和第二电介质元件。电磁辐射可以平行于第一平面被显著地线性极化。当电介质板支撑在电磁辐射的传播路径中时，电介质板的第一平面可以横切第二平面，并且传播路径可以穿过电介质板。第一电介质元件和第二电介质元件可以具有不同的电介质常数和沿着传播路径的各自的厚度，使得穿过第一电介质元件的电磁辐射于穿过第二电介质元件的电磁辐射相比可以被相移预定量。
极化转换电介质

[发明专利]一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器-CN201910972375.7在审
发明人：吴关平 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案；通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。
一种磁存储器电极及其制造工艺

[发明专利]一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器-CN201910972811.0在审
发明人：吴关平 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器的底电极制备以及磁性隧道结的刻蚀；依次沉积第一电介质层、第二电介质层，并将表面平坦化；依次沉积第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案；通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔，通过所述通孔引出磁存储器的顶电极。
一种磁存储器电极及其制造工艺

[发明专利]日照遮蔽构件-CN201880031024.X在审
发明人：堀江裕树;加藤和广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明的日照遮蔽构件的特征在于，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。
电介质膜电介质层金属膜结晶性低辐射膜光学膜厚透明基材依次层叠遮蔽构件最上层日照

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000872.4有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在一个示例中，在衬底上形成第一电介质层，并且在第一电介质层上形成第一光刻胶层。通过修整蚀刻第一电介质层的循环将凹槽穿过第一电介质层图案化到衬底。将电介质/牺牲层对形成在第一电介质层上并填充在凹槽中。在电介质/牺牲层对上形成第二光刻胶层。通过修整蚀刻电介质/牺牲层对的循环来图案化电介质/牺牲层对。将第二电介质层形成在第一电介质层上，并覆盖图案化的电介质/牺牲层对。通过用导体层替换图案化的电介质/牺牲层对和凹槽中的电介质/牺牲层对中的牺牲层来形成包括导体/电介质层对的存储堆叠层。
牺牲层电介质层电介质蚀刻光刻胶层阶梯结构图案化侧布衬底修整电介质层图案三维存储器件图案化电介质导体存储器件导体层堆叠层填充三维替换存储穿过覆盖

[发明专利]垂直堆叠式鳍部半导体器件-CN202080031546.7在审
发明人： P.约瑟夫;李桃;I.塞沙德里;E.A.德席尔瓦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件和形成半导体器件的方法包括在半导体鳍部周围形成由第一电介质材料形成的第一电介质层，该第一电介质层达到低于半导体鳍部的高度的目标高度。在第一电介质层上沉积第二电介质层，该第二电介质层由第二电介质材料形成。在所述第二电介质层上形成由该第一电介质材料形成的第三电介质层。蚀刻掉该第二电介质层以暴露该半导体鳍部上的间隙。
垂直堆叠式鳍部半导体器件

[发明专利]用于内部估计半导体技术的电介质可靠性的电路和方法-CN201510011374.8在审
发明人： S.阿雷素;M.法里策利;M.勒纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：用于内部估计半导体技术的电介质可靠性的电路和方法。一种半导体晶片，包括不同厚度的电介质区，所述电介质区中的一些电介质区比所述电介质区中较厚的其它电介质区薄。所述半导体晶片进一步包括应力电路，可操作来对在所述半导体晶片内的所述电介质区中的至少一个电介质区内部地加应力，以估计电介质可靠性。也提供了内部地估计半导体技术的电介质可靠性的对应方法。
用于内部估计半导体技术电介质可靠性电路方法

[发明专利]用于移动电话手持装置、PDA等的天线-CN200480037076.6无效
发明人：德维·耶利基;史蒂文·格雷戈里·奥基夫;詹姆士·威廉·金斯利;西蒙·菲利普·金斯利 -专利权人：安蒂诺瓦有限公司
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括电介质片状器件和带有上表面和下表面的电介质基底及至少一个接地面的天线结构，其中电介质片状器件被抬升到电介质基底的上表面之上，从而电介质片状器件不与电介质基底或接地面直接接触，电介质片状器件带有导电直接馈电结构额外提供和布置了发射天线元件以利用电介质片状器件激励。使电介质天线元件抬高以使其不与接地面或电介质基底直接接触，从而从整体上显著提高天线的带宽。
用于移动电话手持装置 pda 天线

[发明专利]半导体装置和包括其的半导体封装件-CN201910835996.0在审
发明人：崔朱逸;姜泌圭;金会哲;罗勋奏;朴宰亨;孙成旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层
半导体装置包括封装