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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统-CN201810521429.3有效
发明人：金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。
晶片结合装置包括系统

[发明专利]晶片到晶片接合结构-CN201710431549.X有效
发明人：金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
晶片接合结构

[发明专利]包括硅通孔的集成电路半导体器件-CN202011555509.4在审
发明人：曹昭惠;姜泌圭;文光辰;金泰成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了一种集成电路半导体器件，包括：衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；沟槽，在衬底中，沟槽从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；硅通孔(TSV)着陆部，在沟槽中，TSV着陆部具有与衬底的第一表面间隔开的第一部分，以及第一部分与衬底的第一表面之间的第二部分，第一部分比第二部分宽；TSV孔，在衬底中，TSV孔从衬底的第二表面延伸并且与TSV着陆部的底表面对齐；以及TSV，在TSV孔中并且与TSV着陆部的底表面接触。
包括硅通孔集成电路半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010670130.1在审
发明人：金镇南;文光辰;李镐珍;姜泌圭;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔离区限定的有源区；多个有源鳍，布置在有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，第二隔离区具有小于第一隔离区的第一深度的第二深度；掩埋导电布线，位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸；填充绝缘部分，位于沟槽中，并且设置在掩埋导电布线周围；层间绝缘层，位于第一隔离区和第二隔离区上，并且位于掩埋导电布线上；接触结构，穿透层间绝缘层，并且接触掩埋导电布线；以及导电贯通结构，从第二表面穿过衬底延伸到沟槽，并且接触掩埋导电布线。
半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN202010359712.8在审
发明人：吴承河;姜泌圭;金国桓;金元洪;佐佐木雄一朗;李相遇;林圣根;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。
三维半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202010176255.9在审
发明人：金元洪;姜泌圭;佐佐木雄一朗;林圣根;河龙湖;玄尚镇;金国桓;吴承河 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极/漏极区；第一导电插塞，位于所述源极/漏极区上并电连接到所述源极/漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010086446.6在审
发明人：佐佐木雄一朗;林圣根;姜泌圭;金元洪;吴承河;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体激光器件-CN201910961926.X在审
发明人： 姜泌圭;金石镐;金兑泳;金会哲;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：半导体激光器件可以包括：第一包层，在衬底上；光波导，在所述第一包层上；激光光源芯片，在所述光波导上以产生激光束；第一粘合层，在所述光波导和所述激光光源芯片之间；以及第二粘合层，覆盖所述激光光源芯片的侧壁。
半导体激光器

[发明专利]半导体装置和包括其的半导体封装件-CN201910835996.0在审
发明人：崔朱逸;姜泌圭;金会哲;罗勋奏;朴宰亨;孙成旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。
半导体装置包括封装

[发明专利]具有TSV结构的多重堆叠器件-CN201710037091.X有效
发明人： 姜泌圭;李镐珍;朴炳律;金兑泳;金石镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种具有TSV结构的多重堆叠器件。该多重堆叠器件包括：下部器件，具有下基板、在下基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的硅通孔(TSV)焊盘；中间器件，具有中间基板、在中间基板上的第二绝缘层以及在第二绝缘层上的第一TSV凸块；上部器件，具有上基板、在上基板上的第三绝缘层以及在第三绝缘层上的第二TSV凸块；以及TSV结构，穿过上基板、第三绝缘层、第二绝缘层以及中间基板以连接到第一TSV凸块、第二TSV凸块和TSV焊盘。在中间基板与TSV结构之间的绝缘的第一TSV间隔物和在上基板与TSV结构之间的绝缘的第二TSV间隔物沿堆叠方向间隔开。
具有 tsv 结构多重堆叠器件

[发明专利]制造基板结构的方法-CN201810093986.X在审
发明人： 姜泌圭;金石镐;金兑泳;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。
器件区域第二基板第一基板基板结构彼此面对第二表面第一表面接合电连接制造

[发明专利]通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法-CN201310042094.4有效
发明人：李镐珍;姜泌圭;李圭夏;朴炳律;郑显秀;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。
绝缘层半导体器件下层互连结构连接结构通孔结构通孔制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310052685.X有效
发明人：李镐珍;李圭夏;崔吉铉;崔溶洵;姜泌圭;朴炳律;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法-CN201110339985.7无效
发明人：裴大录;崔吉铉;朴炳律;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。
具有布线基底结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110154632.X有效
发明人：文光辰;朴炳律;林东灿;郑德泳;崔吉铉;裵大录;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
半导体器件及其制造方法

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