“电介质膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1050983个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备-CN202011140791.X在审
发明人：梁时元;崔栽荣;贺晓彬;李亭亭;杨涛;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
薄层电容结构制造方法电子设备

[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光学装置-CN201110319247.6无效
发明人：村山佳树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：端面涂膜具有与出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于第1电介质膜的出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于第2电介质膜的第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于第3电介质膜的第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于第4电介质膜的第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。
氮化物类半导体激光元件光学装置

[发明专利]日照遮蔽构件-CN201880031024.X在审
发明人：堀江裕树;加藤和广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明的日照遮蔽构件的特征在于，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。
电介质膜电介质层金属膜结晶性低辐射膜光学膜厚透明基材依次层叠遮蔽构件最上层日照

[发明专利]制造声波装置的方法和声波装置-CN201710499132.7有效
发明人：中村健太郎;松仓史弥;高桥直树;松田隆志;宫下勉 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。
制造声波装置方法

[发明专利]固体摄像器件及其制造方法-CN200410097835.X无效
发明人：加藤良章 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像器件，包括：将入射光转换成电荷的光电二极管(1)，在光电二极管(1)的上部形成的第一电介质膜(82)，在上述第一电介质膜(82)的上部形成的第二电介质膜(83)及第三电介质膜(21)，在上述第一至第三电介质膜的任意电介质膜之间设置的中空层(9)。
固体摄像器件及其制造方法

[发明专利]强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件-CN200510064948.4有效
发明人：木岛健;滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供一种晶体缺陷少、具有良好特性的强电介质膜层叠体。本发明的强电介质膜层叠体，其中包括电极(102)、和在该电极上形成的PZT系强电介质膜(101)。强电介质膜(101)，组成之中有2.5摩尔％以上40摩尔％以下置换成Nb，电极(102)几乎不含从强电介质膜扩散的氧。
电介质层叠存储器压电元件

[发明专利]半导体器件-CN202210472083.9在审
发明人：小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数
半导体器件

[发明专利]电介质膜的形成方法-CN03825630.4有效
发明人：肖石琴;大场隆之 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序
电介质形成方法

[发明专利]半导体激光元件-CN200610107798.5有效
发明人：落合真尚;汤浅功治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜
半导体激光元件

[发明专利]电介质膜和电子部件-CN201710169473.8有效
发明人：内山弘基;政冈雷太郎;藤井祥平;城川真生子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为
电介质电子部件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN96107139.7无效
发明人：长野能久;藤井英治;那须徹;松田明浩 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-06-27 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面沉积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面
半导体器件制造方法

[发明专利]使用应力控制制造厚电介质膜的方法-CN202011007564.X在审
发明人：巫凯意;潘永安 -专利权人：香港科技大学
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开了一种在用于器件制造的晶圆上制造厚的无裂纹电介质膜的方法。在晶圆的围绕多个器件区域的氧化物层中制造应力释放图案。应力释放图案包括多个凹部，多个凹部沿着至少一个方向周期性地间隔开。多个凹部在电介质膜沉积期间中断连续的膜，以防止在电介质膜中形成裂纹并扩展到器件区域中。因此，可以在通过图案化电介质层形成的器件区域中获得厚的无裂纹电介质膜。此外，可调整电介质膜沉积工艺的条件以确保所沉积的电介质膜的质量。此外，可执行多个沉积过程以沉积厚的无裂纹电介质膜。
使用应力控制制造电介质方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410006097.3无效
发明人：清利正弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明的MIM电容器，具备：下部电极(1)；在下部电极1的上方设置的，以钽氧化物或铌氧化物位主要成分的，在中央部分上含有凸部的第1电介质膜(2)；设置在第1电介质膜(2)的凸部上方的上部电极(3)；设置在下部电极(1)与第1电介质膜(2)之间，介电常数比第1电介质膜(2)小的第2电介质膜(4)；设置在上部电极(3)与第1电介质膜(2)的凸部之间的，介电常数比第1电介质膜(2)小的第3电介质膜(5)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置制造方法及其半导体装置-CN200510003676.7无效
发明人：矢野尚;林慎一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明防止在强电介质膜电容器中，强电介质膜的成分在膜厚方向上的不均匀，以实现具有良好电气特性的电容器。本发明的半导体装置的制造方法是，在半导体基板上形成下部电极(S11)；接着，通过使用第一原料气体的CVD法，在下部电极上形成第一强电介质膜(S13a)；然后，通过使用第二原料气体的CVD法，在第一强电介质膜上形成第二强电介质膜(S13b)；此后，在第二强电介质膜上形成上部电极(S14)；其中，包含于形成第一强电介质膜工序(S13a)中使用的第一原料气体中的铋浓度与包含于形成第二强电介质膜工序(S13b)中使用的第二原料气体中的铋浓度不同
半导体装置制造方法及其

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条