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[发明专利]采用应力记忆技术的NMOSFET制造方法及NMOSFET-CN202210363482.1在审
发明人： 缪海生;武慧慧;徐少辉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用应力记忆技术的NMOSFET制造方法及NMOSFET，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆形成有NMOSFET的栅极、源极区及漏极区；在所述晶圆的表面形成覆盖所述栅极、源极区及漏极区的应力层，所述应力层的材质包括氮硅化合物；对所述应力层进行第一次紫外线光照处理，紫外线波长为172nm±20nm；对所述应力层进行第二次紫外线光照处理，紫外线波长为200nm～320nm；对所述应力层进行热处理。本发明通过两次紫外线光照处理，分别进行脱氢和Si‑N‑Si的强交联反应，能够避免Vt出现hump，并且可以提升电子迁移率，从而提高NMOSFET性能。本发明相对于传统工艺还能够节省一道光刻和刻蚀工序。
采用应力记忆技术 nmosfet 制造方法

[发明专利]一种可提高冲孔效果的太阳能光伏板冲孔设备-CN202310040037.6在审
发明人： 缪海生 -专利权人： 缪海生
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B21D28/26 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏板冲孔技术领域，且公开了一种可提高冲孔效果的太阳能光伏板冲孔设备，包括底框；固定安装在所述底框底部的底板；固定安装在所述底框内侧顶面的冲孔台机构，冲孔台机构包括冲孔台，冲孔台左侧内部设置有调节部。本发明太阳能光伏板冲孔设备通过设置的动力部可以在气缸控制冲孔部向下移动的同时控制斜块向下移动，当斜块向下移动后，利用驱动斜槽内壁与滚轴的滚动挤压接触，使得移动件带动放置板向右侧移动，完成冲压的同时上料的工作，反之在冲压结束后，斜块向上移动，移动件在回复弹簧的作用下带动放置板向左移动，完成下料，减少人工上下料的工作；通过移动件下方滑条，使得移动件得到稳定平移，提高冲压精度，具有实用性强的特点。
一种提高冲孔效果太阳能光伏板设备

[发明专利]LDMOS器件及其制备方法-CN202110758264.3在审
发明人：冯冰;许超奇;张建栋;缪海生;贺腾飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，在金属硅化物阻挡层中，采用与氧化硅层具有较大的刻蚀选择比的氮氧化硅层作为LDMOS漂移区上方的悬停金属接触件的刻蚀阻挡层；具有高消光系数的氮氧化硅层能够显著降低H迁移对PMOS造成的影响；可不增加退火或紫外光照处理，直接利用流程中的较低温度的RTA热退火过程就能实现应力记忆及应力迁移，以增加NMOS的电子迁移速率；不用增加额外的光刻及腐蚀过程，可提升产品流通效率。
ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构-CN202110727547.1在审
发明人： 缪海生;徐少辉;冯冰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构，该钴硅薄膜的制备方法包括在硅衬底上形成富硅氧化物层，在富硅氧化物层上形成钴金属层，在钴金属层上形成第一反应层，然后进行硅化处理，由于第一反应层的第一物质从富氧化硅物层中吸收氧原子的能力大于硅材料和钴材料，因此第一物质可以从富硅氧化层中吸收氧原子，钴金属层中的钴原子与富硅氧化层中的硅原子反应，当钴金属层中的钴原子消耗完富硅氧化层中的硅原子后，将继续扩散，并与硅衬底反应，形成界面光滑和致密分布的CoSi2薄膜。上述方法可以形成具有光滑的界面和致密分布的CoSi2薄膜，降低了CoSi2薄膜的粗糙度，减小了器件的漏电流，解决了器件漏电流过大的问题。
薄膜制备方法用于半导体结构

[外观设计]包装盒-CN202230013746.1有效
发明人： 缪海生 -专利权人： 缪海生
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒。2.本外观设计产品的用途：用于乳胶制品包装盒，主要在互联网与实体销售。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.仰视图无设计要点，省略仰视图。
包装

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010634353.2在审
发明人： 缪海生;张建栋;冯冰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成底层金属层；在所述底层金属层上形成介质层；在所述介质层上形成顶层金属层；对所述顶层金属层进行图形化，以去除电容区域之外的所述顶层金属层，以形成上极板，其中，所述介质层包括层叠设置的绝缘层和改性层，所述改性层位于相邻的所述绝缘层之间，且所述绝缘层的厚度大于所述改性层的厚度。根据本发明实施例可以在保持介质层厚度不变的条件下，提升MIM电容的电性性能，使其可长时间稳定工作于较高电压下。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202010582086.9在审
发明人：贺腾飞;黄仁瑞;樊航;缪海生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；形成填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底表面的填充层；形成覆盖所述填充层的阻挡层；执行化学机械研磨工艺，以移除所述半导体衬底表面的阻挡层，并使所述半导体衬底表面至少剩余部分所述填充层，其中，所述半导体衬底上的所述填充层的表面不高于所述沟槽中的所述填充层表面；执行刻蚀工艺，以去除所述半导体衬底表面的剩余的所述填充层。根据本发明，使沟槽隔离结构中的碟型凹陷显著减小，也避免了半导体衬底表面的颗粒污染等缺陷，获得高光洁、无损伤的均匀表面。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]沟槽侧壁栅极结构的沟槽填充方法-CN202010588442.8在审
发明人：冯冰;许超奇;张建栋;缪海生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽侧壁栅极结构的沟槽填充方法，包括：获取形成有沟槽侧壁栅极结构的晶圆；通过等离子体对沟槽的顶部开口进行轰击，将开口处的绝缘材质部分去除，从而使顶部开口扩大形成上大下小的第一开口；通过HDPCVD工艺对沟槽进行封口，沟槽在所述封口结构下方形成空洞；用绝缘材质填充所述第一开口。本发明填充后在沟槽中形成有空洞，该空洞能够作为后续形成的接触孔的一部分，可以节约接触孔的刻蚀时间，并降低接触孔的刻蚀难度。且本发明能够将该空洞的高度控制在STI下方，能够避免后续工艺的酸液或腐蚀液将空洞上方的绝缘材质蚀穿而倒灌进空洞的现象。因此上述方法能够与CMOS流程兼容。
沟槽侧壁栅极结构填充方法

[发明专利]BCD器件的沟槽的制造方法及BCD器件-CN202010355253.6在审
发明人：冯冰;张建栋;李勇;缪海生 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD器件的沟槽的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜；光刻并刻蚀硬掩膜和衬底，形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成氧化阻挡层；以硬掩膜和氧化阻挡层为刻蚀阻挡层对第一沟槽向下进行各向异性刻蚀，形成从第一沟槽底部向下延伸的第二沟槽；通过热氧化工艺在第二沟槽的内表面热生长绝缘氧化层；去除氧化阻挡层；向第一沟槽内填充绝缘氧化物，使第一沟槽被绝缘氧化物填满，第二沟槽的顶部被绝缘氧化物封口。本发明通过两步刻蚀形成深沟槽，将深沟槽的空洞高度控制在STI下方，能够避免后续工艺的腐蚀液将空洞上方的绝缘氧化物蚀穿而倒灌进空洞的现象，保持沟槽优异的绝缘性能。且与BCD器件兼容性好，能够适用于深宽比非常大的深沟槽。
bcd 器件沟槽制造方法

[发明专利]一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法-CN201310115731.6有效
发明人：闵炼锋;缪海生;刘长安 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其包括：先在硅片上沉积电容下电极板、然后在电容下电极板上沉积介质层，再在电容的介质层上沉积一层氮化钛缓冲层、最后在氮化钛缓冲层上沉积电容上电极板。本发明的方法在电容上电极板的金属层与介质层之间沉积一层氮化钛缓冲层作为应力缓冲层，使得介质层上下应力达到平衡，能够从本质上改善电容分层的情况。
一种改善半导体电容制程中介质分层方法

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