专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]应用于量子密钥分发片上系统的相位调制单元-CN202210109990.7有效
  • 叶鹏;陈巍;张国威;王双;周政;银振强;何德勇;韩正甫;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2022-01-28 - 2023-10-20 - H04B10/548
  • 本公开提供了一种应用于量子密钥分发片上系统的相位调制单元,包括:第一干涉臂,第一干涉臂上设置有第一高速相位调制器和第一热光相位调制器;第一热光相位调制器的输出端与第一高速相位调制器的输入端连接,第一热光相位调制器用于对第一分束器的输出端输出的第一光信号加载第一附加相位,并利用第一高速相位调制器调制加载有第一附加相位的第一光信号,以使得相位调制单元输出光子透过率恒定的输出光信号;第二干涉臂,第二干涉臂上设置有第二高速相位调制器;第一分束器和第二分束器,第一干涉臂的输入端和第二干涉臂的输入端分别与第一分束器的两个输出端连接,第一干涉臂的输出端和第二干涉臂的输出端分别与第二分束器的两个输入端连接。
  • 应用于量子密钥分发系统相位调制单元
  • [发明专利]用于临近催化化学气相沉积的装置和方法-CN201711296987.6有效
  • 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2017-12-08 - 2023-09-22 - C23C16/26
  • 本申请提供用于临近催化化学气相沉积的装置及方法,所述装置包括:在竖直方向上设置的上加热器和下加热器;用于控制它们升降的电机;在下加热器表面上的用于安放基底的样品台;在样品台和上加热器之间的水平导轨;和用于安放催化剂的载板,所述载板和所述样品台之间为用于临近催化化学气相沉积的反应区;其中上下加热器用于对反应区提供二维材料生长所需的温度。通过利用本发明的装置和方法,可以使得在催化剂表面催化得到的二维材料的活性物质扩散到基底,使得在基底上沉积所需的薄膜;同时可以在不具有催化功能的基底上生长强烈依赖催化剂的二维材料的薄膜或异质结。
  • 用于临近催化化学沉积装置方法
  • [发明专利]一种半导体量子器件及其制备方法-CN201710447858.6有效
  • 李海欧;王柯;袁龙;曹刚;郭光灿;郭国平 - 中国科学技术大学
  • 2017-06-14 - 2023-08-29 - H01L29/778
  • 本发明提供了一种半导体量子器件,包括:GaAs衬底;所述GaAs衬底表面设置有二维电子气导通平台;所述二维电子气导通平台中间设置有二维电子气窄带平台;所述第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度方向的两侧设置有量子点小电极;所述二维电子气导通平台的端部沉积有欧姆接触电极;所述GaAs衬底的表面在二维电子气导通平台的外围设置有金属栅极;所述金属栅极与所述量子点小电极一端相接触。与现有技术相比,本发明通过蚀刻二维电子气导通平台形成第一纳米窄带与第二纳米窄带,将肖特基电极下方的大部分二维电子气直接移除,浅刻蚀量子点拥有比传统结构量子点低一个量级的低频电荷噪声,为量子比特和量子计算研究提供了一个新的结构体系。
  • 一种半导体量子器件及其制备方法
  • [发明专利]空穴型半导体电控量子点器件,其制备及使用方法-CN201710498737.4有效
  • 李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 - 中国科学技术大学
  • 2017-06-26 - 2023-08-29 - H01L29/66
  • 本发明公开了空穴型半导体电控量子点器件、其制备和使用方法。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103);欧姆接触源极(201)和漏极(204),依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102),进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm;至少两个量子点小电极(402),位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间,处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103);绝缘层(500),覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分;和栅极纳米条带(602),设置在绝缘层(500)上,并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。
  • 空穴半导体量子器件制备使用方法
  • [发明专利]用于冷原子实验的八通道高带宽数字伺服控制器-CN202310230322.4在审
  • 周小龙;王健;李传锋;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2023-03-10 - 2023-07-28 - G05B19/042
  • 本发明公开一种用于冷原子实验的八通道高带宽数字伺服控制器,属冷原子物理实验设备,包括:印制电路板上设八个40端口的连接槽;现场可编辑逻辑门阵列核心板嵌设在印制电路板上,其任意40个数字I/O端口分别与印制电路板上的八个40端口的连接槽通信连接;每个双通道模拟‑数字转换器,通过40端口的连接槽安在印制电路板上,与核心板的任意40个数字I/O端口通信连接;每个双通道数字‑模拟转换器,通过一个40端口的连接槽安装在印制电路板上,与核心板的任意40个数字I/O端口通信连接;核心板内处理采样信号的每个数字电路通道均运行信号控制固件。该控制器具有八个通道能够与该数字伺服控制器联合,完成更加复杂的控制任务。
  • 用于原子实验通道带宽数字伺服控制器
  • [发明专利]一种光学超分辨显微成像系统及方法-CN201611121968.5有效
  • 陈向东;孙方稳;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2016-12-08 - 2023-07-14 - G01N21/64
  • 本发明实施例公开了一种光学超分辨显微成像系统,包括光学模块以及成像模块;光学模块用于通过第一波长光束以及第二波长光束照射待成像目标,以使待成像目标的分子初始化为第一电荷态以及在第一预设位置范围内的分子转化为第二电荷态;利用第三波长光束照射待成像目标第二预设位置范围内的分子,以辐射荧光信号;根据待成像目标辐射的荧光信号的光强信息对待成像目标进行成像。本申请技术方案使用低功率连续光泵浦,实现了对待成像目标的超分辨显微成像,不影响待成像目标的性质,而且光学系统与电子系统结构简单,节省了操作成本和费用成本。此外,本发明实施例还提供了针对上述系统对应的使用方法,所述方法具有相应的优点。
  • 一种光学分辨显微成像系统方法
  • [发明专利]一种用于长光纤段的聚酰亚胺再涂覆装置-CN202310190829.1在审
  • 黄冬郁;王健;李传锋;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2023-03-02 - 2023-06-09 - B05C5/02
  • 本发明公开了一种用于长光纤段的聚酰亚胺再涂覆装置,属光纤制造领域,包括:光纤夹持机构和涂覆机构;其中,所述光纤夹持机构分别设有两个光纤夹具,能夹持住待涂覆光纤并使待涂覆光纤呈直线状态;所述涂覆机构,设置所述光纤夹持机构所夹持的待涂覆光纤的侧面,该涂覆机构设有能输出聚酰亚胺树脂液滴的涂覆工具,所述涂覆工具能包覆在待涂覆光纤的外周;所述涂覆机构的涂覆工具与所述光纤夹持机构夹持的待涂覆光纤之间能进行相对直线移动,使所述涂覆机构的涂覆工具输出的聚酰亚胺树脂液滴涂覆在待涂覆光纤表面。该装置能快速、均匀涂覆长光纤段的表面,提升涂覆效率,降低再涂覆操作的复杂性。
  • 一种用于光纤聚酰亚胺再涂覆装置

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