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[实用新型]一种金属覆盖的微针晶片结构-CN201920596387.X有效
发明人：于大全;姜峰;王阳红 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，包括：晶片、以及阵列设置在晶片上表面的针状突起；所述针状突起的表面、以及晶片的上表面分别覆盖有粘结金属层和金属层，所述粘结金属层分别设置在针状突起的表面与金属层之间、以及晶片的上表面与金属层之间。本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，具有良好的生物兼容性，并且易于生产。
一种金属覆盖晶片结构

[发明专利]一种晶片的单片清洗方法-CN201210303055.0有效
发明人：符雅丽;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：发明公开了一种晶片的单片清洗方法，该方法包括：用极性气体分子对经过干蚀刻的晶片进行等离子体处理，增高晶片表面的极性，以将晶片的表面由疏水性转变为亲水性；以及对晶片进行湿法清洗。由于使用本发明的晶片的单片清洗方法，晶片能够被液体非常良好地覆盖，且晶片表面上的聚合物转变为短链聚合物，更容易被清除，使得大大增加了湿法清洗过程中的清洗效果，减小了清洗后晶片上的氟残留。本发明的清洗方法不需要在湿法清洗的液体中增加特殊化学制剂就能改变晶片表面的极性。
一种晶片单片清洗方法

[发明专利]带凸块的器件晶片的加工方法-CN201310061502.0有效
发明人： D·马丁;M·布朗 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带凸块的器件晶片的加工方法，即使对带凸块的器件晶片也能够进行薄化加工而不使其破损，并且，不会产生因粘接剂对由凸块形成的凹凸部位的附着而引起的器件不合格。所述带凸块的器件晶片加工方法的特征在于具备粘接剂配设步骤，在载体晶片的环状槽以从环状凸部上表面突出的方式配设粘接剂；晶片贴合步骤，在实施粘接剂配设步骤后，使载体晶片的表面与器件晶片的表面贴合并借助粘接剂将器件晶片固定于载体晶片，并且将凸块收纳于载体晶片的凹部；以及薄化步骤，在实施晶片贴合步骤后，对器件晶片的背面侧磨削或研磨以将器件晶片薄化至预定厚度。
带凸块器件晶片加工方法

[发明专利]光器件晶片的分割方法-CN200910148838.4有效
发明人：星野仁志;山口崇 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供光器件晶片的分割方法，其能使光器件晶片的厚度很薄，并且能在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度降低。光器件晶片的分割方法是沿着间隔道分割光器件晶片的方法，其包括：保护板接合工序，将光器件晶片的表面能够剥离地接合到保护板的表面；背面磨削工序，磨削光器件晶片的背面；加强基板接合工序，将加强基板能够剥离地接合到光器件晶片的背面；晶片剥离工序，将光器件晶片从保护板剥离；切割带粘贴工序，将光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面；激光加工工序，实施在加强基板中沿着间隔道形成断裂起点的激光加工；和晶片分割工序，沿着加强基板的断裂起点施加外力，使加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂。
器件晶片分割方法

[实用新型]避免芯片封装注塑冲线的堆叠集成封装结构-CN202223098321.9有效
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人：南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种避免芯片封装注塑冲线的堆叠集成封装结构，包括封装基板和塑封料；封装基板的底面分布有焊球；在封装基板的顶面装配有晶片；晶片的键合线依序焊接于封装基板顶面的金属布线焊盘上，封装基板顶面的金属布线和封装基板的底面外的焊球连接；塑封料覆盖于封装基板表面，晶片以及封装基板的金属布线包裹在塑封料内。在晶片的表面覆盖有固化的树脂层，晶片以及晶片的键合线包裹于树脂层内。晶片有一组或多组，每组晶片有多个；同组的多个晶片中，各个晶片从下到上依次堆叠，且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积。
避免芯片封装注塑冲线堆叠集成结构

[发明专利]晶片封装结构-CN200610003254.4有效
发明人：林俊宏;沈更新 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-02-06 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明是有关于一种晶片封装结构，其包括一基板、一晶片、一第一B阶黏着剂、打线导线、一散热器以及一封装胶体。其中，基板具有一第一表面、一第二表面和一通孔。晶片配置在基板第一表面上并与其电性连接，且基板的通孔暴露出部分晶片。第一B阶黏着剂配置在晶片与基板的第一表面之间，且晶片通过第一B阶黏着剂贴附到基板上。打线导线连接在通孔所暴露的晶片与基板的第二表面之间。散热器配置在基板第一表面上，且覆盖住晶片。封装胶体配置在基板第二表面上，并覆盖部分基板和打线导线。本发明的晶片的接合垫不会被B阶黏着剂覆盖，进而提高晶片封装结构的优良率；此外利用散热器传导自晶片产生热量，且利用散热黏着层将散热器固定在晶片上，而有助于散热。
晶片封装结构

[发明专利]可降低形变应力的衬底加工方法及衬底-CN202210977056.7在审
发明人：李志宇;周志豪;王云云;黄建烽;李贤途 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可降低形变应力的衬底加工方法及衬底，包括：将晶棒切割为晶片，并对晶片进行研磨，以改善晶片的平整度；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一方向平行的第一沟槽，第一方向与晶片的平边方向平行，多个第一沟槽在晶片的第一径向方向上间隔设置，且多个第一沟槽沿第一径向方向布满晶片的第一表面；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一沟槽垂直的第二沟槽，多个第二沟槽在晶片的第二径向方向上间隔设置，且多个第二沟槽沿第二径向方向布满晶片的第一表面；对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片进行高温退火；利用抛光设备对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片的第二表面进行抛光。该方法减小了晶片的翘曲和变形程度。
降低形变应力衬底加工方法

[发明专利]使用可移动底座的抛光头检测-CN200810085428.5有效
发明人：杰弗里·保罗·施密特;杰伊·S·劳德;斯泰西·乔恩·迈耶 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G01M19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用可移动底座的抛光头检测，其中抛光头在测试台中进行测试，该测试台具有用于支撑测试晶片的底座以及用于朝向抛光头移动底座中心晶片支撑表面和测试晶片的可控的底座致动器。在本说明书的另一方案中，可使用定位器定位该测试晶片，该定位器具有定位在底座中心晶片支撑表面周围的多个第一测试晶片接合部件。在另一技术方案中，晶片定位器器具有定位在外部晶片支撑表面周围的多个第二测试晶片接合部件，该外部晶片支撑表面设置在底座中心晶片支撑表面外围并且适于支撑测试晶片。该多个第二测试晶片接合部件可分布在环形部件的第二圆周上，该第二圆周具有大于第一圆周的直径。还描述和要求了附加的实施方式和方案。
使用移动底座抛光检测

[发明专利]化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺-CN202111155907.1有效
发明人：宋向荣;廖和杰;马金峰;周铁军;刘火阳;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺，包括以下步骤：步骤一，将化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片用溶液A进行浸洗；步骤二，用酸和氧化剂和水的混合物对晶片表面进行清洗；步骤三，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤四，采用带羟基或羧基的一元或多元酸对晶片进行清洗；步骤五，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤六，采用强碱溶液和氧化剂的混合液对晶片表面进行清洗；步骤七，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤八，用无机酸进行清洗；步骤九，用去离子水对晶片表面进行漂洗；步骤十，热氮气烘干后在氮气气氛下进行包装。本公开采用多步清洗的方法去除晶片表面的离子、氧化层，抑制Te单质的形成。
化学机械抛光碲锌镉单晶晶片清洗工艺

[发明专利]隔离元件和用于制造隔离元件的方法-CN200880127057.0无效
发明人： M·罗西;H·鲁德曼;N·斯普林;A·比特希 -专利权人：赫普塔冈有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：用于晶片堆叠(8)的隔离晶片(1)包括具有第一表面(11)和第二表面(12)的隔离体(10)，并意图夹在第一晶片(6)与第二晶片(7)之间。也就是说，隔离物(1)将靠着第一表面(11)放置的第一晶片(6)和靠着第二表面(12)放置的第二晶片(7)保持在相互之间相距恒定距离。隔离物(1)提供被布置为使得第一晶片(6)和第二晶片(7)的功能元件(9)可以与开口对准的开口(13)。隔离物(1)借助于形状复制过程由成形工具(2)形成并优选地由通过固化被硬化的材料制成。在本发明的优选实施例中，第一和第二表面(11、12)中的至少一个包括将所述表面(11、12)与开口(13)分离的边缘(15)且边缘(15)处的隔离晶片(1)的厚度超过边缘(15)周围的表面位置处的隔离晶片
隔离元件用于制造方法

[发明专利]具有可调内径的晶片容器-CN201510094872.3无效
发明人： J·D·彼兰特;A·L·韦伯;C·R·麦克 -专利权人：德建先进产品有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：半导体晶片容器的改进方案用于减小半导体晶片在晶片承载体内的移动，该改进方案使用位于基底构件的主要内部容纳直径之内的柔性壁段、板或柔性插入物。这些壁允许垂直的容纳表面移动和捕获整个晶片堆，而不是几个晶片。接触晶片的表面均匀向内移动。通过减小或消除晶片容器与晶片堆之间的间隙而固定晶片堆。其他改进方案包括在顶部外壳和/或底部外壳上附加倾斜的接合表面，这提供更容易组装顶部外壳与底部外壳的机械学优点。这个设计还允许自动装载和卸载晶片堆，因为一旦去除顶盖，柔性壁会向外弹回。由此在半导体晶片容器中提供可自由移除晶片的小间隙。
具有可调内径晶片容器

[发明专利]用于分析水和在水中清洗的衬底的方法-CN201080058166.9无效
发明人： L·W·夏夫 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了用于预测在使晶片与容器中的水接触之后在诸如半导体晶片（W）的衬底上沉积的污染物的量的方法。所述污染物可包括即使在晶片表面上沉积的污染物的量低于已知的系统的检测阈值水平时也会不利地影响晶片特性的材料。所述方法包括使所述晶片与水接触第一时长，所述晶片具有晶片表面；对所述晶片进行干燥；分析所述晶片以确定在所述晶片表面上的污染物；以及预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述晶片上沉积的所述污染物的量
用于分析水中清洗衬底方法

[发明专利]晶片加工方法-CN201210349608.6有效
发明人：叶哲良;许松林;钱俊逸;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积的最大面、以及连接最大面边缘的侧表面。本发明的晶片加工方法包含下列步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面以于其上形成可分散晶片应力的纳米结构层。藉此，本发明的方法所处理后的晶片具有良好的抗破裂性，可避免于半导体工艺或其它加工工艺中因受到外力而磨损甚至破裂。
晶片加工方法

[发明专利]晶片级封装与制作上盖结构的方法-CN200610006187.1无效
发明人：邵世丰;邱铭彦 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括：提供上盖晶片；在其表面形成图案化薄膜；蚀刻该上盖晶片未被该图案化薄膜覆盖部分形成多个孔。接合具有该图案化薄膜的表面的该上盖晶片与透明晶片。切割该图案化薄膜周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在器件晶片上形成多个气密视窗。
晶片封装制作结构方法

[实用新型]一种晶片固定器-CN201420145946.2有效
发明人：张家豪;徐翊翔;黄钦泽;黄照明;徐胜娟;汪莹;梅震 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片固定器，其包括：横杠、前后两端部、固定板，所述固定板安置于横杠内表面两侧；当所述晶片固定器安装于晶片盒上时，所述固定板与晶片盒内的晶片上边缘接触，在晶片甩干过程中用以固定晶片位置，改善晶片表面刮伤状况，减少此刮伤造成的造成电极扩展条断线状况，改善晶片制程良率。
一种晶片固定器

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