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[发明专利]一种用于碳化硅晶锭的分离方法-CN202310839189.2在审
发明人：于大全;姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法，夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸；在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案，多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔；用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发明通过在碳化硅晶锭表面形成刻蚀阻抗图案，对碳化硅晶锭进行干法刻蚀。在刻蚀过程中通过上下刻蚀气体同时进行双面，旋转晶锭使其刻蚀更加均匀，根据刻蚀深度不同，不断改变刻蚀的速率和旋转的速度，以达到碳化硅晶锭的利用率大幅提升，同时刻蚀后的表面均匀性更好，可以省去减薄步骤，同时降低CMP的工艺时间，成本更低。因为干法刻蚀的微损伤更少，所以产品的良率更佳。
一种用于碳化硅分离方法

[发明专利]玻璃转接板扇出封装结构及其制备方法-CN202311004072.9在审
发明人：肖静波;黄剑洪;姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆级扇出封装技术领域，特别涉及一种玻璃转接板扇出封装结构及其制备方法。其中，一种玻璃转接板扇出封装结构，包括芯片，具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，第一表面布置有第一焊盘；玻璃连接件，由一个或者若干个分离的玻璃块环绕芯片排列而成；重布线层，设置于第一表面，与第一焊盘电性连接；封装层，至少填充于芯片与玻璃块间的空隙；其中，玻璃块具有贯穿厚度方向的通孔，通孔内具有导电结构。本发明实施例提供的玻璃转接板扇出封装结构通过采用玻璃连接件，提高了整体的机械强度，同时在一定程度上能够改善翘曲问题。再者，玻璃连接件由分离的玻璃块组成，有效避免了应力导致的玻璃裂纹，使整体结构更加可靠，良品率更高。
玻璃转接板扇出封装结构及其制备方法

[发明专利]Taiko晶圆化学镀方法、Taiko晶圆及半导体器件-CN202310744047.8在审
发明人：王强华;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C18/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，本发明提供一种Taiko晶圆化学镀方法，Taiko晶圆包括晶圆体和Taiko环，在晶圆体的背面具有Taiko环区域和非Taiko环区域，Taiko环设置在Taiko环区域，该方法包括：在Taiko环的背面、Taiko环的内侧面和晶圆体的背面的非Taiko环区域喷涂粘结胶；利用化学镀工艺在晶圆体的正面镀上金属；去除粘结胶；在完成喷涂粘结胶的步骤后，以晶圆体的正面为高度基准线，位于非Taiko环区域的粘结胶的高度低于位于Taiko环的背面的粘结胶的高度。借此可以保证Taiko晶圆背面不会因受镀金属而影响产品品质，并且该Taiko晶圆化学镀方法的加工步骤简易，能够有效降低产品因加工工序过多且繁杂所导致的产品良率损失。
taiko 化学方法半导体器件

[发明专利]识别装置与制作方法-CN201710119867.2有效
发明人：姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种识别装置，包括硅体芯片、盖板、柔性基板以及硅体芯片与柔性基板之间的结构性增强组件；硅体芯片的第一表面与盖板粘结；硅体芯片的第二表面制作有布线层；硅体芯片上设有第一通孔，第一通孔内设有导电金属，导电金属连接硅体芯片的第一表面焊盘和第二表面布线层；硅体芯片第二表面的布线层设置焊点，柔性基板通过焊点连接第二表面布线层；硅体芯片和柔性基板之间的夹层设置结构性增强组件，结构性增强组件上设有供焊点穿过的第二通孔；所述焊点的厚度大于结构性增强组件的厚度。本发明能够实现识别模组中芯片更加减薄，在不增加不锈钢补强片的情况下实现超薄厚度以及高可靠性封装，解决现有的模组结构较厚以及成本较高的问题。
识别装置制作方法

[发明专利]一种基于异质键合的多层玻璃基板工艺和结构-CN202111661338.8有效
发明人：张名川;阮文彪;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质键合的多层玻璃基板工艺，是于玻璃基板表面蚀刻出沟槽，沉积金属于沟槽中形成金属线路，然后覆盖无机介质层；再制作出与金属线路连接的Via连接结构，得到单层单元；根据布线要求，将至少两个单层单元上下叠放并使Via连接结构相对应，通过玻璃/金属异质键合形成多层玻璃基板。本发明实现了内嵌多层布线的玻璃基板结构，可实现细线宽线距，满足高密度布线，具有更好的性能以及更广泛的应用。
一种基于异质键合多层玻璃工艺结构

[发明专利]一种采用复合键合材料的多层玻璃基板及制作工艺-CN202310314714.9在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用复合键合材料的多层玻璃基板及其制作工艺，其结构包括至少两层玻璃基板和之间的键合层；玻璃基板设有上下贯穿的通孔，键合层设有开孔，通孔和开孔填充金属导电材料连同表面布线层实现上下互连；其中，键合层由非光敏复合键合材料固化形成。复合键合材料热膨胀系数及模量等性能与玻璃基板具有较高的匹配度，且具有较低的介电常数和损耗角正切，可满足高频高速信号传输的要求。
一种采用复合材料多层玻璃制作工艺

[发明专利]声表滤波器、高性能绝缘压电基板结构及其制备方法-CN202310558937.X在审
发明人：陈作桓;张名川;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺制造技术领域，本发明提供一种高性能绝缘压电基板结构，其包括晶圆、标定结构和压电衬底，晶圆具有相对的上表面和下表面，标定结构包括位于晶圆上表面的膜层结构和从膜层结构向上延伸的至少一个凸台结构，压电衬底嵌在标定结构，压电衬底周边为凸台结构。采用此种结构的绝缘压电基板结构，能够在减薄抛光时可以自停止在标定结构界面，从而减少晶圆厚度不均匀对于器件的影响，制备出亚微米级以下的薄膜。
滤波器性能绝缘压电板结及其制备方法

[发明专利]一种声学滤波器封装结构及其制造方法、电子设备-CN202310533656.9在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及声学滤波器封装技术领域，特别涉及一种声学滤波器封装结构及其制造方法，该方法包括：提供正面制作有若干个芯片功能区和若干个焊盘的滤波器晶圆；在滤波器晶圆上形成有光敏保护层；在滤波器晶圆上形成种子层，所述种子层包括位于第一区域上的第一种子层和位于第二区域上的第二种子层；在第一种子层上形成金属密封框架；在种子层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层的上表面高于金属密封框架的上表面；在第二种子层上形成互连凸点，去除第二光刻胶层、光敏保护层及部分种子层，在金属密封框架和互连凸点上形成盖板，将盖板减薄至裸露出互连凸点；在盖板上制作焊接部以连接互连凸点。本发明制得的产品具有更小的尺寸以及更高的可靠性。
一种声学滤波器封装结构及其制造方法电子设备

[发明专利]含空腔射频模块的集成扇出封装结构及其制备方法-CN202310706526.0在审
发明人：黄剑洪;姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，本发明提供一种含空腔射频模块的集成扇出封装结构的制备方法，其包括：形成集成带有空腔滤波器的扇出互连封装结构；形成重布线结构；再将扇出互连封装结构通过互连结构连接在重布线结构上。通过采取先单独形成扇出互连封装结构和重布线结构，其中的扇出互连封装结构为多个扇出模块互连形成，再将互连后的扇出模块所形成的扇出互连封装结构与重布线结构进行结合，进而能够降低射频模块的整体封装面积和厚度，满足小型化的需求。
空腔射频模块集成封装结构及其制备方法

[发明专利]一种声学滤波器的晶圆级封装结构及其制造方法-CN202310452674.4在审
发明人：宗蕾;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆级封装技术领域，特别涉及一种声学滤波器的晶圆级封装结构及其制造方法。所述封装结构包括：滤波器晶圆，其正面具有芯片功能区和焊盘，焊盘环绕芯片功能区设置；金属围堰，其连续的环绕芯片功能区设置；金属凸点，其设于焊盘上方；盖板，其设于金属凸点和金属围堰上方并开设有露出金属凸点的局部的连接孔，滤波器晶圆、金属围堰和盖板在至少一个芯片功能区的上方形成空腔；金属布线，其设于盖板上方并通过连接孔与金属凸点连接；阻焊层，其覆盖在金属布线、盖板及金属围堰上，且阻焊层上设有裸露出金属布线局部的开口；导电外接部，其通过开口与金属布线连接。本发明能够提供更大尺寸的空腔，提高产品的可靠性。
一种声学滤波器晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构及其制作方法-CN202310453379.0在审
发明人：姜峰;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：公开了一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，包括晶圆，晶圆的衬底具有至少一个有效区域和至少一个裸露区域，有效区域覆盖有复合薄膜，裸露区域设置有向内凹陷的填充部，填充部靠近裸露区域与有效区域相接的边缘；第一薄膜层，第一薄膜层形成在裸露区域的至少部分区域和复合薄膜上且第一薄膜层填充填充部。相应地，本发明还提供了一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，解决了现有双层膜结构可能存在的分层、封装可靠性低和晶圆容易翘曲的问题。
一种具有器件侧壁保护滤波器晶圆级封装结构及其制作方法

[实用新型]三维互联扇出集成封装结构-CN202320041505.7有效
发明人：肖静波;黄剑洪;姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三维互联扇出集成封装结构，包括第一玻璃基板、第二玻璃基板、密封层、第一器件和第二器件，第一玻璃基板和第二玻璃基板上分别设有第一金属化玻璃通孔和第二金属化玻璃通孔，第一玻璃基板的第一表面上设有与第一金属化玻璃通孔连接的第一金属布线层，第二玻璃基板的第一表面设有与第二金属化玻璃通孔连接的第二金属布线层，第一器件和第二器件分别设置在第一金属布线层和第二金属布线层上，第一金属化玻璃通孔与第二金属布线层之间设有第一连接部，第一玻璃基板的第二表面具有凹槽，第一玻璃基板的第二表面和第二玻璃基板的第一表面通过密封层键合，在凹槽与第二玻璃基板的第一表面之间构成容纳第二器件的空腔，结构稳定性高。
三维互联扇出集成封装结构

[实用新型]集成天线的三维互联扇出封装结构-CN202320041593.0有效
发明人：黄剑洪;李洪坤;姜峰 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种集成天线的三维互联扇出封装结构，包括上下堆叠的第一封装体和第二封装体，第一封装体包括第一玻璃基板和第一金属连接层，第二封装体包括第二玻璃基板、第二金属连接层和芯片，第一玻璃基板具有第一通孔，第一金属连接层填充于第一通孔内，第一玻璃基板的第一表面集成天线，第二玻璃基板具有第二通孔和安装部，第二金属连接层填充于第二通孔内，第二金属连接层朝向第一封装体一端设有第一连接部，第一连接部与第一金属连接层连接，实现垂直互联。第二玻璃基板的第二表面上设有重布线层，重布线层与第二金属连接层连接，芯片设于安装部内并与重布线层连接，重布线层上设有第二连接部，可实现扇出封装。
集成天线三维互联扇出封装结构

[发明专利]一种带有空腔的器件封装结构和方法-CN201911024565.2有效
发明人：于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种带有空腔的器件封装结构和方法，包括器件，该器件表面设有焊盘和功能区；有一设有多个通孔的盖板，盖板第一表面设有键合胶，键合胶在通孔处设有开口；器件通过键合胶与盖板结合并使开口与焊盘相对，在键合力作用下，键合胶铺展使得开口面积小于通孔面积；盖板、键合胶与器件在功能区形成有空腔；盖板第二表面还设有互连结构，该互连结构延伸至通孔和开口以与焊盘电性连接。本发明工艺简单，成本低、提高产品可靠性。
一种带有空腔器件封装结构方法

[实用新型]基于多层堆叠三维电感与空腔电容的集成无源结构-CN202223603170.8有效
发明人：马浩哲;于大全 -专利权人： 厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于多层堆叠三维电感与空腔电容的集成无源结构，包括堆叠的第一玻璃基板和第二玻璃基板，第一玻璃基板和第二玻璃基板分别设有第一通孔和第二通孔，第一金属连接层填充于第一通孔并延伸至第一玻璃基板的第一表面，第二金属连接层填充于第二通孔并延伸至第二玻璃基板第二表面，第一金属连接层延伸至第一玻璃基板的第二表面并构成第一部分金属和第二部分金属，第二金属连接层延伸至第二玻璃基板的第一表面并构成第三部分金属和第四部分金属，第一部分金属和第三部分金属通过导电键合层连接并构成三维电感，第二部分金属上依次设有介质层和第一金属层并构成空腔电容，通过导电键合层与第四部分金属连接，实现电感与电容互联。
基于多层堆叠三维电感空腔电容集成无源结构

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