|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 4797717个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201910972930.6在审
-
木内逸人
-
株式会社迪思科
-
2019-10-14
-
2020-04-24
-
H01L21/67
- 提供晶片的加工方法，即使通过衬底对晶片进行支承而对晶片的背面进行加工，也不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片(10)的直径以上的衬底(18)的上表面上配设直径小于晶片的剥离层(16)，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材(14)隔着剥离层(16)而铺设在衬底(18)的上表面上，将晶片的正面(10a)定位于片材(14)的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材而配设于衬底的晶片进行减压并对片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着片材(14)将晶片热压接在衬底上；加工工序，对晶片的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片从片材(14)剥离。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的分割方法-CN200810183020.1有效
-
中村胜
-
株式会社迪思科
-
2008-12-03
-
2009-06-10
-
H01L21/00
- 本发明提供一种晶片的分割方法，其能够将沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片沿间隔道分割而不会在搬送工序等中使其破损。该方法包括：保护带粘贴工序，在晶片表面上粘贴保护带；变质层形成工序，在晶片内部沿间隔道形成变质层；第一搬送工序，保持晶片整个背面，将晶片背面朝上地载置在带粘贴装置的支承工作台上；切割带粘贴工序，在晶片的背面和环状框架上粘贴切割带；晶片翻转工序，将所保持的晶片和该环状框架的表面和背面翻转；第二搬送工序，将晶片搬送至带扩展装置；保护带剥离工序，将粘贴在晶片表面的保护带剥离；和晶片分割工序，解除晶片保持工作台对晶片的吸引保持，并扩展切割带，从而将晶片沿着形成有变质层的间隔道分割开来。
- 晶片分割方法
- [发明专利]用于将晶片从晶片堆分离的方法和设备-CN200880126572.7有效
-
R·休伯
-
吉布尔.施密德有限责任公司
-
2008-12-11
-
2017-05-31
-
B28D5/00
- 在用于将晶片(12)从竖直晶片堆(16)分离的方法中，晶片(12)从上方经由从上面作用的运动装置(23)被单独地从上方传送离开。运动装置(23)设计为循环带(24)并具有抽吸表面(25)，最上方晶片(12)邻接并抵靠抽吸表面，其中，负压抽吸增强了晶片(12)抵靠抽吸表面的邻接。为了使多个位于彼此之上的晶片(12)分离，运动装置(23)经历下面两个步骤中的至少一个a)对着顶部晶片的前导缘喷射水(30)，水从顶部晶片下面被倾斜地引导；b)运动装置(23)在剥离装置(32)上引导晶片(12)，剥离装置从下面接合到运动晶片(12)的下侧并且挤压晶片(12)抵靠抽吸表面(25)并且在其上产生制动作用；而后，晶片(12)被带到传输路径(35、37)上以便在上面传输而用于进一步处理。
- 用于晶片分离方法设备
- [发明专利]相机模块的制造-CN201080025315.1有效
-
E·维吉尔-布兰克;J-L·雅法德
-
意法半导体(格勒诺布尔2)公司
-
2010-06-07
-
2012-05-16
-
H01L27/146
- 提供了一种具有外表面的相机模块，其包括：传感器裸片、玻璃板、外围间隔物以及光学元件，其中外表面的剖面具有在基本上与传感器裸片的平面平行的方向上围绕外表面延伸的肩部，并且至少部分地由沉积金属层覆盖外表面。还提供了一种用于制造相机模块的方法，该方法包括以下步骤：提供包括传感器裸片晶片、间隔物晶片和光学元件晶片的装配，间隔物晶片被设置在传感器裸片晶片前面并且光学元件晶片被设置在间隔物晶片前面；使用第一厚度的第一锯刀，沿从光学元件晶片朝着传感器裸片晶片的方向锯开顶切口，顶切口在到达传感器裸片晶片之前停止；并且使用第二厚度的第二锯刀，沿从传感器裸片晶片朝着光学元件晶片的方向锯开底切口。
- 相机模块制造
- [发明专利]带有功能膜的晶片的制造方法-CN202180069636.X在审
-
大桥智也;佐佐卓
-
日产化学株式会社
-
2021-10-01
-
2023-06-27
-
B05D1/40
- 本发明提供一种实用上有效的晶片表面的外周部呈环状露出的带有功能膜的晶片的制造方法，在带有功能膜的晶片的制造方法中，即使将高粘度涂布型材料用作包含功能膜构成成分的涂布型材料的情况下，也将晶片的表面的外周部的功能膜去除干净一种带有功能膜的晶片的制造方法，所述晶片的表面的外周部呈环状露出，所述制造方法包括：工序(A)，在晶片的表面旋涂包含功能膜构成成分的高粘度涂布型材料，形成涂膜；工序(B－1)，在所述工序(A)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述涂膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的外周部的所述涂膜；工序(C)，在所述工序(B－1)之后，对所述晶片上的所述涂膜进行加热，形成抑制了涂膜的流动性的流动性抑制膜；工序(D－1)，在所述工序(C)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述流动性抑制膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的所述流动性抑制膜；以及工序(E)，在所述工序(D－1)之后，对所述晶片上的所述流动性抑制膜进行加热，使所述功能膜构成成分发挥功能，制成功能膜。
- 带有功能晶片制造方法
- [发明专利]半导体晶片清洗方法-CN201310157819.4在审
-
陈灵
-
无锡华润上华科技有限公司
-
2013-04-28
-
2014-10-29
-
H01L21/02
- 半导体晶片清洗方法，用于清洗附着于半导体晶片表面的颗粒，包括以下步骤：步骤一、将晶片竖直放入第一清洗槽中，喷水管从晶片上方对晶片进行喷淋冲洗，直至水浸没晶片时将水全部排空；步骤二、将晶片竖直放入第二清洗槽中浸泡，向第二清洗槽内补水直至水向外溢出；步骤三、将晶片竖直放入第三清洗槽中，采用异丙醇蒸汽干燥工艺对晶片进行干燥。本发明利用水喷淋和水浴浸泡两种不同方式，使晶片表面的颗粒随着水流一起带离晶片表面，再通过异丙醇蒸发，达到干燥效果，清洗效果更好，有利于提升器件良率，而且避免了利用离心力和刷子来对晶片进行清洗时，由于高速旋转导致晶片中心产生静电而造成损伤的风险
- 半导体晶片清洗方法
|
