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[发明专利]用于优化图案化晶片清洁的设备和方法-CN200880113115.4无效
发明人：约翰·M·德拉里奥斯;埃里克·M·弗里尔;迈克尔·拉夫金;杰弗里·马克斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供用于清洁晶片表面、尤其是图案化晶片的表面的方法和设备。该清洁设备包括在面向该图案化晶片的表面上具有通道的清洁头，该晶片具有占主导地位的图案。流过该通道的清洁材料在图案化晶片的表面施加剪切力，其晶片的方位设为相对该清洁头的一定方向。该剪切力、该图案化晶片的一定方向和该清洁头提高该表面污染物的去除效率。
用于优化图案晶片清洁设备方法

[发明专利]串联太阳能电池及制造这种太阳能电池的方法-CN201680080672.5在审
发明人：约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉;张栋;兰伯特·约翰·吉林斯;鲁道夫·艾曼纽·伊西多尔·施罗普 -专利权人：荷兰能源研究中心基金会
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：串联太阳能电池(100)包括基于硅晶片的太阳能电池(110)和薄膜太阳能电池结构(130)的堆栈。基于硅晶片的太阳能电池具有用于接收辐射的第一晶片表面和与第一晶片表面相对的第二晶片。薄膜太阳能电池结构具有用于接收辐射的第一膜表面和与第一膜表面相对的第二膜表面。薄膜太阳能电池结构的第二膜表面与基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面接合。基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈设置有至少一个导电元件(140)，该导电元件(140)延伸通过第一膜表面与第二晶片表面之间的堆栈。导电元件在第二晶片表面上设置有接触垫片(142)，并在第一膜表面与接触垫片之间形成导电路径。
太阳能电池膜表面晶片表面薄膜太阳能电池硅晶片导电元件接触垫片堆栈串联导电路径堆栈设置辐射接合晶片延伸制造

[发明专利]将晶片放置在卡盘中心的方法和系统-CN200980147848.4有效
发明人：罗伯特·格里菲斯·奥尼尔;乔治·鲁克;尚-I·周;哈米特·辛格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：操作晶片处理机械以在卡盘上放置晶片。然后施加夹紧力至所述晶片，使得所述卡盘的晶片支撑特征将缺陷图案传递到所述晶片的表面上。通过缺陷计量工具分析所述晶片的所述表面以获得传递到所述晶片的所述表面上的所述缺陷图案的绘图。通过分析传递到所述晶片的所述表面的所述缺陷图案确定在所述晶片的坐标系内的所述卡盘的中心点坐标。确定所述卡盘的所述中心点坐标和所述晶片的所述中心点之间的空间偏移。使用所述空间偏移调整所述晶片处理机械使得所述晶片的所述中心点对准所述卡盘的所述中心点坐标。
晶片放置卡盘中心方法系统

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体产品-CN201580010976.X有效
发明人：格哈德·施皮茨尔施佩格;卡斯滕·施密特 -专利权人：勒丰德里有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制造半导体产品的方法，包括：从前表面处理包括设置在晶片的衬底(100)中的相邻于前表面的结构的半导体晶片(10)，以及形成埋置在设置在晶片前表面上的介电层(111)中的至少一种配线(110)。半导体晶片在其前表面处安装至载体晶片(120)，使得可以从晶片背侧去除材料以减薄半导体晶片。背侧处理半导体晶片包括：从晶片背侧形成注入部；形成深沟槽(132a，132b)以将该结构与晶片中的其他结构隔离；形成硅通孔(134)以接触晶片前侧上的结构；以及形成本体接触部(131)。可以在同一晶片中产生数个器件。
制造半导体器件方法半导体产品

[发明专利]晶片支架-CN200610051417.6有效
发明人：苏尼尔·威克拉玛纳雅卡 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种晶片台支架，其包括晶片装载在其上的晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其用在等离子加工腔中，用于减小边缘隔绝(EE)同时防止晶片背部污染。本发明中，晶片支架包括晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其中，所述晶片台具有小于装载在所述晶片台上的直径的直径，所述晶片台外环具有在所述外环上侧处的内直径，该内直径大于装载在所述晶片台上晶片的直径；并且晶片台外环的上表面位于装载在所述晶片台上的晶片的上表面以上
晶片支架

[发明专利]半导体元件封装结构-CN200510125803.0无效
发明人：倪庆羽;袁从棣;潘信瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件封装结构，在一实施例中，封装元件包括一晶片，晶片具有主动表面及一位于相对侧的耦合表面，晶片具有一或多集成电路和凸块。元件包括热耦合于晶片耦合表面的热分散器以消散晶片的发热。一热介材料介于晶片耦合表面与热分散器之间以加速热的消散。另外，元件更包括一界限材料位于晶片耦合表面与热分散器之间并环绕热介材料以保持热介材料位于晶片耦合表面与热分散器之间。
半导体元件封装结构

[发明专利]模组卡及其制作方法-CN00122139.6无效
发明人：刘福洲;杜修文;彭国峰;陈文铨;何孟南;邱咏盛;陈明辉;叶乃华 -专利权人：胜开科技股份有限公司
申请日： 2000-07-26 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H05K3/30 文献下载
摘要：模组卡及其制作方法,其包含下列步骤提供一基板,该基板至少具有第一表面及第二表面,第一表面及第二表面分别具有第一金手指及第二金手指;分别于第一表面及第二表面植入第一晶片及第二晶片;在第一晶片及第二晶片上分别形成第一及第二封胶层,以形成模组卡,其构造为该基板上下表面分别包含第一晶片及第二晶片,而第一晶片及第二晶片分别由第一封装层及第二封装层所覆盖,此外更包含一金手指位于基板上并电连接至上述晶片。
模组及其制作方法

[发明专利]晶片堆叠结构及其制造方法-CN202110742302.6在审
发明人：张守仁;吕俊麟;林君明 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司;林君明
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片堆叠结构及其制造方法，其中该晶片堆叠结构包括中介层、第一晶片以及第二晶片。中介层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。中介层包括介电材料层以及内埋于介电材料层的重布线路层。第一晶片设置于中介层的第一表面上。第二晶片设置于中介层的第二表面上。第二晶片通过中介层的重布线路层电连接至第一晶片。
晶片堆叠结构及其制造方法

[发明专利]具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法-CN201010286703.7有效
发明人：苏昭源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该集成电路包含晶片及连接于晶片背部表面的异方性导电膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片背部表面的硅贯通电极。本发明利用异方性导电膜做为晶片的电性连接层，可以吸收硅贯通电极凸出长度的差异。如此可避免传统封装制程中晶片倾斜的情况，当封装完毕后，晶片可平行于相对应的封装基板。
具有晶圆黏片胶带集成电路及其封装方法

[发明专利]半导体晶片表面保护用粘合带-CN201310097109.7有效
发明人：大仓雅人 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片表面保护用粘合带，其在贴合于半导体晶片表面时充分追随半导体晶片表面的凹凸，继续保持该状态，能够减少在半导体晶片的背面研磨时的半导体晶片磨削面的韧窝的产生、半导体晶片的破损。本发明的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，在基材膜上具有由压敏型粘合剂形成的粘接剂层，在贴合于表面具有凹凸的晶片时追随该凹凸，并且对上述凹凸的形状固定率为50％以上。
半导体晶片表面保护粘合

[发明专利]具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法-CN200710301991.7有效
发明人：苏昭源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该集成电路包含晶片及连接于晶片背部表面的异方性导电膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片背部表面的硅贯通电极。本发明利用异方性导电膜作为晶片的电性连接层，可以吸收硅贯通电极凸出长度的差异。如此可避免传统封装制程中晶片倾斜的情况，当封装完毕后，晶片可平行于相对应的封装基板。
具有晶圆黏片胶带集成电路及其封装方法

[发明专利]切割半导体晶片的方法-CN201510669938.7有效
发明人：尼尔逊·威廉·约翰;苏斯王孙逊·奈萨厐;何明永;王宝龙 -专利权人：联测总部私人有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种分割晶片的方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的晶片。晶片预备有多个裸片，该裸片位于主设备区域上，并由晶片的第一主表面上的分割通道彼此分开。在晶片的第一主表面或第二主表面上提供膜。该膜至少覆盖对应于主设备区域的区域。该方法还包括利用膜作为蚀刻掩模，通过晶片露出的半导体材料等离子蚀刻晶片，以形成空隙将所述晶片上的多个裸片分隔成多个单独裸片。
切割半导体晶片方法

[实用新型]晶片叠置封装结构-CN201120317445.4有效
发明人：谢艳;孙华;朱贵节;陈忠;黄玉红;吴旺春 -专利权人：江阴康强电子有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片叠置封装结构，包含基板单元、第一晶片叠置结构、及多个密封层。基板单元包含定义于其上的晶片迭置区及形成于其上的一电路结构。第一晶片叠置结构设置于基板单元的晶片迭置区上。第一晶片叠置结构包含多个晶片，且各该晶片及具有一上表面、与上表面相对的一下表面、和设置于其中的多个直通硅晶栓塞，这些直通硅晶栓塞使上表面与下表面之间形成电性互连。
晶片封装结构

[发明专利]碳化硅晶片表面清洗方法-CN202010485729.8在审
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;杨新鹏;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
碳化硅晶片表面清洗方法

[发明专利]晶片处理方法-CN202180052076.7在审
发明人：大桥智也;佐佐卓;藤谷德昌 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。
晶片处理方法