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[外观设计]置物架（方形）-CN202330232382.0有效
发明人： 马金峰 -专利权人：临沂品源工艺品有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：置物架（方形）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放置物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
置物架方形

[发明专利]光伏板支撑装置-CN202310643901.1在审
发明人：刘刚;王玉涛;孔秀清;孙云彬;马金峰;张辉;刘海峰 -专利权人：衡水电力设计有限公司;国网河北省电力有限公司衡水供电分公司;国网河北省电力有限公司故城县供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02S40/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏板支撑装置，属于支撑装置技术领域，括支撑箱、锁定组件、过滤组件和吹扫组件。支撑箱的第一端为开口端，支撑箱的第一侧壁上设有出尘孔。锁定组件用于将光伏板和支撑箱锁定或解除锁定。过滤组件沿与第一侧壁垂直的方向滑动穿透第一侧壁，过滤组件能够滑动隔断支撑箱，以使过滤组件与支撑箱围构成除尘空间，除尘空间位于过滤组件朝向支撑箱内的一侧且与出尘孔连通，除尘空间能够容纳光伏板。吹扫组件用于通过支撑箱的第一端向支撑箱内鼓风。本发明提供的光伏板支撑装置，能够避免在清扫光伏板的过程中，会导致光伏板上的部分灰尘会四处飞扬的问题。
光伏板支撑装置

[实用新型]一种可调式热交换装置-CN202222609050.2有效
发明人： 马金峰;钱敏;王强 -专利权人：上海华泾电站设备有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F28D9/04 文献下载
摘要：本实用新型属于板式热交换器技术领域，尤其是一种可调式热交换装置，针对了对板式热交换器在使用过程中管道周围过热的问题，现提出如下方案，其包括安装箱a，安装箱a的一侧内侧壁固定有驱动电机，驱动电机的输出轴紧耦合套接有驱动杆a，驱动杆a的外侧壁紧配合套接有蜗杆a，蜗杆a的一侧啮合转动有蜗轮a，驱动杆a远离驱动电机的一端固定有扇叶a；本实用新型中驱动杆a、扇叶a，通过驱动杆a带动扇叶a，扇叶a运动可以将板式热交换器本体底部的温度向上吹，在吹的过程中也可以降低板式热交换器本体底部的问题，然后在通过驱动杆c与扇叶b，这样可以有效的将板式热交换器本体周围的进行吸走，从而达到降温的效果。
一种调式热交换装置

[发明专利]锗晶片的退火工艺-CN202310544001.1在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于热处理技术领域，公开了锗晶片的退火工艺。将锗晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；将石英管密封后抽真空至预设真空度；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至630~700℃保温一段时间；升温的速率为1.0‑1.2℃/min；保温结束后，降温；降温的速率为1.0‑1.2℃/min。通过退火温度、升温速率和降温速率的有效调控，退火后，锗晶片的内部缺陷极大程度的降低。
晶片退火工艺

[发明专利]确定晶片掰片位置的方法-CN202011025214.6有效
发明人：吴春龙;马金峰;唐勇 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开提供了一种确定晶片掰片位置的方法，包括以下步骤：S1，设置第一晶片和模板，并在第一晶片上设置定位边，在模板上分别设置定位边和定位孔；S2，设置标示图；S3，将第一晶片放在标示图上，并在标示图做出用于后续待掰制晶片定位的定位标记；S4，将待掰制晶片待放在标示图上，利用步骤S3中的定位标记对待掰制晶片进行定位，并在待掰制晶片标示定位点；S5，将模板放在待掰制晶片上，使待掰制晶片的定位点与模板的定位孔重合，进而得到晶片掰片位置。本公开确定晶片掰片位置的方法的操作简单，且能精确地确定每片晶片的掰片位置，提高晶片产品质量。
确定晶片位置方法

[实用新型]一种晶棒夹持工具-CN202222725766.9有效
发明人：詹晨晨;廖和杰;刘火阳;马金峰;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体加工领域，公开了一种晶棒夹持工具。包括底座，所述底座的一端设置固定挡板，所述底座的上表面设置用于放置晶棒的防滑垫，所述底座上还设置将晶棒固定在防滑垫的紧固组件；所述固定挡板的一端抵接晶棒的端部，所述固定挡板的另一端设置与加工设备可拆卸固定的固定件。本实用新型的晶棒夹持工具结构简单，操作便捷，在使用过程中可降低晶棒的物料损耗，提高晶棒切割的质量。
一种夹持工具

[实用新型]一种衬底朝向颠倒装置-CN202320737204.8有效
发明人：郑金龙;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衬底朝向颠倒装置，包括底座和推杆，其中底座包括第一卡塞盒定位面和第二卡塞盒定位面，第一卡塞盒定位面定位第一卡塞盒的第一端，第二卡塞盒定位面定位第二卡塞盒的第二端；推杆将第一卡塞盒内的衬底推入第二卡塞盒内，和/或，将第二卡塞盒内的衬底推入第一卡塞盒内。在实际应用中，将第一卡塞盒的第一端和第二卡塞盒的第二端定位于底座上，打字机首先从放置衬底的第一卡塞盒中取片进行打字，在衬底的其中一面完成打字后，推动推杆，将衬底由第一卡塞盒推入第二卡塞盒中，衬底朝向第一卡塞盒的第一端的面转为朝向第二卡塞盒的第二端，打字机对衬底的另一面进行打字，衬底的两面均打字完成之后，衬底打字完成。
一种衬底朝向颠倒装置

[实用新型]清洗夹具-CN202223342976.6有效
发明人：廖和杰;刘火阳;马金峰;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片加工技术领域，公开了一种清洗夹具，包括安装板、与安装板连接的承接柱、与安装板连接的提手；安装板呈并列状相对设置；安装板上设置有扣合槽，扣合槽呈长条形凹槽状结构设置；承接柱设置在安装板之间，承接柱设置有至少两个；承接柱上设置有卡槽，卡槽沿承接柱间隔设置；提手自扣合槽的一端滑入扣合槽，以将提手勾设在扣合槽内。通过在安装板上设置扣合槽，实现提手可拆分的勾设在安装板上，进而在对清洗夹具搬运完成后，可以将提手自扣合槽内滑出，拆装方便，提手不会占用额外的清洗空间，提高清洗效率。
清洗夹具

[发明专利]改善锑化镓晶片内部缺陷的退火工艺-CN202310546117.9在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锑化镓晶片内部缺陷的退火工艺，包括以下步骤：将锑化镓晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入锑；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度以下后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至400~550℃保温一段时间；保温结束后，降温。退火处理后，晶体内部的缺陷明显降低，石英管的裂管现象明显降低。
改善锑化镓晶片内部缺陷退火工艺

[发明专利]锑化铟晶片的退火工艺-CN202310548087.5在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了锑化铟晶片的退火工艺，包括：将锑化铟晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入锑；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度以下后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至300~350℃保温一段时间；保温结束后，降温。退火处理后，锑化铟晶片的内部缺陷显著降低。
锑化铟晶片退火工艺

[发明专利]一种碳化硅晶片的退火方法-CN202310546119.8在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶片的退火方法，包括以下步骤：将碳化硅晶片摆放在石英舟中，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入碳；将石英管密封后抽真空，达到预设真空度后，向石英管中充入惰性气体或氮气；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至1200~1300℃保温一段时间；保温结束后，降温。本发明中，碳化硅晶片的退火温度显著降低，退火处理后，晶体内部的缺陷明显降低。
一种碳化硅晶片退火方法

[发明专利]一种磷化铟晶片的退火方法-CN202310543999.3在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种磷化铟晶片的退火方法，包括：S1、将磷化铟晶片放入退火炉中，抽真空，充入氮气直至退火炉中的压力为1.0‑1.2Pa；S2、将退火炉缓慢升温至850‑900℃，进行保温；S3、缓慢降温。该退火方法简单容易实现，且安全可靠，所需退火时间短，晶片的亮点数量得到明显控制。
一种磷化晶片退火方法

[发明专利]一种碲锌镉晶片的退火方法-CN202310243494.5在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶片的退火方法，包括：S1、将碲锌镉晶片和碲粉放入退火炉的不同位置中，将退火炉密封后抽真空；S2、将退火炉缓慢升温至790‑805℃，进行保温；S3、缓慢降温，即得。该退火方法操作容易、工艺流程短、工艺可控性强、所需时间短，退火后的直径为0.3μm大小的碲锌镉晶片亮点数量低至30颗以下，内应力低、成分均匀、且电阻率高、颗粒夹杂物少，且该方法一次性能处理上百片晶片，因此处理效率高，具有可观的应用前景。
一种碲锌镉晶片退火方法

[发明专利]一种磷化铟衬底晶片的清洗方法-CN202111045844.4有效
发明人：郑金龙;周铁军;马金峰;刘良副;董晨晨;曾琦;宋向荣 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟衬底晶片的清洗方法，包括：将晶片依次采用热硫酸和冷硫酸浸泡处理，再进行S1清洗液、S2清洗液和S3清洗液清洗，最后再采用双氧水清洗。本发明的磷化铟衬底晶片的清洗方法得到的清洗表面杂质离子含量比现有工艺更低，降低了外延的缺陷率，使外延层与磷化铟衬底层更为匹配，不仅明显优化和改善了衬底表面质量，在不破坏晶片抛光后粗糙度的前提下，能够降低氧化层厚度、且能有效控制表面白雾和表面杂质含量，而且本发明的清洗工艺显著地提高了产品的成品率，极大地降低了生产成本。
一种磷化衬底晶片清洗方法

[实用新型]一种将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置-CN202320109520.0有效
发明人：杨小丽;郑金龙;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种将TP盘快速粘贴在陶瓷盘上的装置，包括：吸附盘；吸附头，吸附头设置在吸附盘的一侧，吸附盘的另一侧与真空设备连接，吸附头远离吸附盘的端部设置有吸附孔，吸附孔用于吸附TP盘，吸附头为多个；升降装置，升降装置用于驱动吸附盘升降；设置于吸附盘下方的陶瓷盘放置区，陶瓷盘放置区用于放置陶瓷盘，陶瓷盘上具有多个TP盘待粘贴位，多个TP盘待粘贴位与多个吸附头一一对齐。利用本实用新型中的装置一次作业能够完成所有TP盘的粘贴，并且可以通过升降装置对所有的TP盘进行下压操作，与传统的逐个粘贴TP盘以及逐个下压TP盘的方案相比，本实用新型的装置显著地降低了人工劳动量，提高了粘贴效率。
一种 tp 快速粘贴陶瓷装置

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