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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880014594.8有效
发明人：藤原正和 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：涂布工序，将含有热固性树脂和表面具有有机化合物保护层的平均粒径为10～200nm的银微粒的粘接用树脂组合物涂布在半导体元件支撑部件上；半烧结工序，在比热固性树脂的反应起始温度低且在50℃以上的温度条件下，对涂布的粘接用树脂组合物进行加热以使银微粒成为半烧结状态；接合工序，在含有半烧结状态的银微粒的粘接用树脂组合物上载置半导体元件，在无加压状态下，在比热固性树脂的反应开始温度高的温度条件下，进行加热，将半导体元件接合在半导体支撑部件上。
半导体装置制造方法

[发明专利]检查装置、安装装置、检查方法、及程序-CN202280004560.7在审
发明人：高桥诚 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：检查装置包括：测定部，测定安装半导体芯片前的安装区块的基准位置、位于安装区块的周围的多个周边区块的基准位置、及安装半导体芯片后的位置；以及检查部，基于由测定部测得的安装区块的基准位置与多个周边区块的基准位置的距离、及安装半导体芯片后的多个周边区块的基准位置与半导体芯片的安装位置的距离，来检查半导体芯片相对于安装区块的相对位置。这种检查装置能够确切地检查半导体芯片的安装位置。
检查装置安装方法程序

[发明专利]大功率电力半导体器件通用自动压装机构-CN201910144319.4有效
发明人：肖秦梁;李更生;乔宇;罗贤明 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率电力半导体器件通用自动压装机构，其可针对不同种类的模块型、风冷及水冷型电力半导体器件进行自动压装。机构主要包括：门式压装框架、气液增压缸和模块型电力半导体器件的压装机构或风冷型电力半导体器件的压装机构或水冷型电力半导体器件的压装机构；本发明实现限位机构行程可调，实现被压装器件的精准定位和实现器件尺寸范围全覆盖的自动卡紧。其具有适用性强、覆盖器件范围广、操作灵活便捷、生产效率高、节能环保等诸多特点，机构压装前器件精确定位保证了产品的一致性，压紧时高效的预紧保证了产品的生产效率，机构精巧的设计特点兼顾多种产品的类型可操作性。并且基本覆盖了目前市场上器件的全尺寸范围。
大功率电力半导体器件通用自动装机

[发明专利]一种气密封装方法-CN202210412059.6有效
发明人：何锦华;王兢 -专利权人：江苏博睿光电股份有限公司;博睿光电(马鞍山)有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种应用自蔓延钎焊薄膜的气密封装方法，包括以下步骤：建立封装腔体；封装腔体包括：陶瓷底板；侧墙，侧墙设置在所述陶瓷底板上，在侧墙与底板之间设置自蔓延钎焊薄膜；盖板，盖板设置在侧墙上，在盖板与侧墙之间设置自蔓延钎焊薄膜；将芯片放置在封装腔体中；将封装腔体放置在真空舱室；真空舱室包括光学窗；采用非接触式点火方式点燃自蔓延钎焊薄膜，通过自蔓延反应实现封装腔体的底板与侧墙以及盖板与侧墙密封连接。本发明应用自蔓延钎焊薄膜解决了有特殊气氛（含真空）的气密性器件封装芯片的问题。具有封装器件的气密性高、低温快速加工的显著优势。
一种气密封装方法

[发明专利]加热接合用片材、及带有切割带的加热接合用片材-CN201780052888.5有效
发明人：本田哲士;菅生悠树;下田麻由 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：一种加热接合用片材，其具有：通过加热而成为烧结层的烧结前层、和成分迁移防止层。
加热接合用片材带有切割

[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法-CN201810726671.4有效
发明人：靍泽俊浩;小坂尚史;三木香;木村雄大;高本尚英;大西谦司;杉村敏正;赤泽光治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]层叠体、树脂组合物、及半导体装置的制造方法-CN202280014325.8在审
发明人：有本由香里;中嶋里沙乃;越野美加;荒木斉;富川真佐夫;藤原健典;青岛健太 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠体，其中可无残胶或对元件的损伤地以宽广的加工裕度实施使用各种波长的激光的半导体元件的转印。一种层叠体，为依序层叠有具有激光透过性的基板1、树脂膜、以及半导体元件的基板，所述树脂膜在248nm、266nm及355nm中的任一波长下的换算为膜厚1.0μm时的吸光度为0.4以上且5.0以下，进而所述树脂膜与所述半导体元件的接着强度为0.02N/cm以上且0.3N/cm以下。
层叠树脂组合半导体装置制造方法

[发明专利]一种功率半导体模块低电感封装方法-CN202310831642.5在审
发明人：肖丽 -专利权人：肖丽
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块低电感封装方法，所述封装方法如下：步骤一：获取待封装功率半导体模块低电感的参数信息；步骤二：根据待封装功率半导体模块低电感的参数信息，确定待封装功率半导体模块低电感的封装模拟方案；步骤三：对封装模拟方案进行验证、调整；本发明的有益效果是：基于验证后的封装模拟方案，用焊锡将线圈与焊片或连接器连接，将钎焊好的整体装入壳体，然后进行焊接以完成封装，在对待封装的功率半导体模块低电感进行封装之前，验证模拟方案满足封装要求的情况下，再进行正式封装，可以降低封装风险；线圈安装时，确保线圈表面光整，没有毛刺，防止线圈短路；线圈固定稳定，不能松动，以免影响电感性能。
一种功率半导体模块电感封装方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202280012646.4在审
发明人：齐藤隆 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供一种能够在搭载功率半导体芯片之前使烧结糊剂的表面平坦化且能够实现高密度安装的半导体装置的制造方法。包括以下工序：在导电板(11a)的主面涂布表面设置有突起部(2a)的烧结糊剂(2x)；使烧结糊剂(2x)干燥；通过对烧结糊剂(2x)进行加压来将突起部(2a)压扁，从而使烧结糊剂(2x)的表面平坦化；在导电板(11a)的主面隔着烧结糊剂(2x)搭载半导体芯片；以及通过加热和加压使烧结糊剂(2x)烧结而形成接合层，经由接合层将导电板(11a)与半导体芯片接合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]加热接合用片和带有加热接合用片的切割带-CN201880022505.4有效
发明人：菅生悠树;本田哲士;下田麻由 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种适合于抑制接合对象物的位置偏移且实现烧结接合的加热接合用片和带有这种加热接合用片的切割带。本发明的加热接合用片(10)具备粘合层(11)，所述粘合层(11)包含含有导电性金属的烧结性颗粒，所述粘合层(11)相对于在70℃、0.5MPa且1秒的压接条件下以5mm见方的尺寸压接有粘合层(11)的银平面的、70℃下的剪切粘接力为0.1MPa以上。本发明的带有加热接合用片的切割带具备：具有层叠结构的切割带，所述层叠结构包含基材和粘合剂层；和，位于该粘合剂层上的加热接合用片(10)。
加热接合带有切割

[发明专利]半导体装置-CN202280008843.9在审
发明人：齐藤隆 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供在使用由烧结材料构成的接合层的半导体装置中能够防止寿命的偏差的半导体装置。具备：导电板(11a)，其具有主面；半导体芯片(3)，其与导电板(11a)的主面相向地配置；以及接合层(2a)，其配置于导电板(11a)与半导体芯片(3)之间，具有多孔性的烧结材料，其中，接合层(2a)与导电板(11a)的接合界面(21)的第一外缘位于比半导体芯片(3)的外周靠内侧、且比接合层(2a)与半导体芯片(3)的接合界面(22)的第二外缘靠内侧的位置。
半导体装置

[发明专利]一种全自动芯片植盖设备-CN202310850174.6在审
发明人：王善行;王龙;徐威 -专利权人：昆山鸿仕达智能科技股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种全自动芯片植盖设备，包括壳体，以及沿芯片的传输方向依次设置在壳体中的点胶机构、植盖机构及压合机构，其中，点胶机构用于在芯片上点胶，植盖机构用于将保护盖摆放到芯片上，压合机构用于将保护盖与芯片压合。点胶机构包括两个点胶模组，两个点胶模组沿水平的第一方向间隔设置；植盖机构包括两个植盖模组，两个植盖模组沿第一方向间隔设置；芯片植盖设备还包括控制系统，控制系统包括计算机，沿第一方向，壳体的两侧分别设有至少一台计算机，每侧的计算机均能够对两侧的点胶模组进行控制，和/或，每侧的计算机均能够对两侧的植盖模组进行控制。从而只需要在设备的一侧安排工作人员，节省人员需求，简化控制程序。
一种全自动芯片设备

[发明专利]一种双面散热结构功率模块的制造方法-CN202311054991.7在审
发明人：王郑涛;王华涛;姚海;莫豪;吕璐颖;蒲萌 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热结构功率模块的制造方法，采用钎焊焊接芯片和陶瓷基板，而后利用键合机进行芯片和覆铜陶瓷基板的电气互联键合，安装塑料外壳并二次键合完成覆铜陶瓷基板与端子的固连；高导热复合材料以导热填料、树脂基体和添加剂为原料按比例混合，形成无自主流动性的粉状物质，将其填入功率模块腔体中，并装上有凸起结构的上冷板，放入真空腔并盖上顶盖，抽真空的同时向下额外施压使填料相互挤压变形填隙，最终填满整个腔体，打开气阀恢复正常压力后撤去外部装置并加热固化即可完成。本发明提供的方法可以制备具有双面散热功能的功率模块，具有工艺简单、成本较低、良品率高、可靠性高的特点。
一种双面散热结构功率模块制造方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制作方法-CN202310907021.0在审
发明人：肖步文 -专利权人：苏州前昆半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括绝缘树脂基板，所述绝缘树脂基板为长方形板，所述绝缘树脂基板的顶端中部安装有mosfet芯片，所述绝缘树脂基板的侧壁各对称安装有若干个金属引脚，相邻两个金属引脚之间等间距固定，每一个所述金属引脚均为呈直角弯曲的弯角，每一个所述金属引脚均与mosfet芯片之间连接有金线。本发明通过将表面按阵列形式开设有若干个基板槽的第一输送平带进行间歇性转动；在第一输送平带的顶端开设有若干个基板槽，通过上方的基板供料腔，为下方间歇转动的第一输送平带表面的基板槽进行供料，基板供料腔将间歇转动的第一输送平带表面的每一个基板槽内投放一块绝缘树脂基板。
一种 sic mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]部件连接方法-CN201880068321.1有效
发明人：根岸征央;中子伟夫;川名祐贵;石川大;须镰千绘;江尻芳则 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：该部件连接方法包括：以规定的印刷图案(9)在各部件(2)、(3)的连接区域(5)形成连接用的铜糊剂的涂膜(8)的印刷工序；经由涂膜(8)层叠各部件(2)、(3)的层叠工序；以及烧结涂膜(8)而形成铜烧结体(4)，并利用该铜烧结体(4)连接各部件(2)、(3)的烧结工序，在印刷工序中，在印刷图案(9)上形成形成涂膜(8)的涂膜形成区域(10)和未形成涂膜(8)的涂膜非形成区域(20)，涂膜形成区域(10)被以连结在连接区域(5)的边缘部(6)相互分离的各点(A)～(D)的方式设置的多个线状区域(21a)～(21c)分割成多个同心状的区域(12a)～(12c)以及多个放射状的区域(13a)、(13b)。
部件连接方法

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