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[发明专利]一种市政工程用沥青性能检测试验装置-CN202210087905.1有效
发明人：张家荣;黄向向;曹蕾;常燕;党斌;高利军;王聪;米文静;程鹏 -专利权人：商洛学院
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种市政工程用沥青性能检测试验装置，包括支架，所述支架中设有导轨，所述导轨上可移动地设有滑台，所述滑台上设有能够夹持板状物体的夹持装置；输送导轨中可转动地设有丝杆，所述丝杆与滑台螺纹连接，所述导轨一端固定有驱动装置，所述驱动装置能够驱动丝杆转动；所述导轨两侧对称固定有立柱，所述立柱间可上下移动地连接有中心轴，所述中心轴的中部连接有压轮组件。与现有技术相比，本发明能够检测沥青板在压轮组件中不同压力大小、轮宽、轮韧性下的受压的应变情况。
一种市政工程沥青性能检测试验装置

[实用新型]一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构-CN202221783576.6有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构，其中：衬底为圆片结构，第一层氧化层在衬底通过氧化工艺生长出；第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层，第一层硅层为多晶硅或单晶硅层，第一层硅层上有第二层氧化层；第二层氧化层上通过CVD或者外延工艺生长有第二层硅层；第二层硅层上设有通孔，通过气态HF腐蚀工艺，形成低真空度腔室和高真空度腔室，设有多个腔室；在第二硅层上，形成封堵结构，在CVD工艺过程中，通入惰性气体，低真空度腔室形成高压或常压状态的腔室。本实用新型的优点：利用不同真空度的情况下，制备微型腔室，并通过不同的CVD沉积技术，将微腔室密封。从而达到多腔室，不同真空度的状态，而且还能有效减小芯片面积，降低成本。
一种 mems 芯片 cvd 密封多层空腔结构

[实用新型]一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件-CN202123021925.9有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;梁泽山 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成；两层吸气金属，使得键合后腔体成为真空，CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成，有源区为CMOS器件的主要部分；CMOS晶圆内纵向布置有硅基底背部穿孔后金属填充部分，硅基底背部穿孔后金属填充部分的底部设置有与孔连接的晶粒和传感或致动部件，钝化层和金属层依次设置在CMOS晶圆上方，金属键合点设置在金属层和MEMS晶圆之间，MEMS晶圆内设置有MEMS晶圆腔体。本实用新型的优点：取消了薄膜吸气剂层，用金属吸气层代替其功能，还有导电作用，也可作为垂直电极，使得工艺更加简单。
一种带有化学性活跃金属真空封装器件

[实用新型]一种具有片上温度补偿的双谐振器-CN202123021400.5有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种具有片上温度补偿的双谐振器，包括锚点，弹簧，振荡器，驱动电极，感应电极，重掺杂氧化层，锚点通过弹簧与振荡器连接，驱动电极和感应电极与振荡器连接，振荡器表面带有重掺杂氧化层；分为高温振荡器和低温振荡器两段，低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15‑40度的夹角，以提高钟摆的热性能，有效提高温控灵敏度，对低温振荡器进行重掺杂，掺杂元素是硼，砷，磷元素用以提高其热性能。本实用新型的优点：通过设计双谐振器，通过频率温度补偿调整谐振器固有频率，提高压力传感器的输出精度，不仅可以应用于MEMS谐振式压力传感器，也可以应用于定时谐振器，过滤器，陀螺仪，谐振式化学传感器等领域。
一种具有温度补偿谐振器

[发明专利]一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构及工艺-CN202210813856.5在审
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构，其中：衬底为圆片结构，第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层，第二层氧化层上有第二层硅层；第二层硅层上设有通孔，形成低真空度腔室和高真空度腔室，设有多个腔室，在CVD工艺过程中，通入惰性气体，低真空度腔室形成高压或常压状态的腔室。一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构的工艺，包括如下步骤：通过光刻、刻蚀工艺在第二层硅层上开通孔，通过气态HF腐蚀工艺，形成低真空度腔室和高真空度腔室；本发明的优点：利用不同真空度的情况下，制备微型腔室，并通过不同的CVD沉积技术，将微腔室密封，从而达到多腔室，不同真空度的状态，而且还能有效减小芯片面积，降低成本。
一种 mems 芯片 cvd 密封多层空腔结构工艺

[实用新型]减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构-CN202221023865.6有效
发明人： 黄向向;杨敏;亚历桑德罗·罗基;关健;张晓磊 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： F16F3/00 文献下载
摘要：减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构，其特征在于：所述的减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构，包括端点，刚体，刚性连接模块，柔性梁，固定点；其中：刚体上端为端点结构，平行于位移方向的柔性梁之间设置有刚性连接模块，固定点，刚体下方设置有固定点。所述的刚体为上下两部分的分体结构件。本实用新型的优点：通过直接在MEMS设计中解决问题，克服了前面提到的所有限制，获得对蚀刻误差不敏感的器件。安排多个以交互方式偏转的柔性梁，以便它们实现一种针对蚀刻误差的自补偿效应。本实用新型是解决直接在机械领域中由非垂直蚀刻壁引起的错误，而无需在MEMS配套ASIC中实现额外且昂贵的电子设备。
减小 mems 谐振器件误差影响弹簧设计结构

[实用新型]一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统-CN202123230386.X有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，包括过渡金属，盖片，真空腔，密封金属条，谐振腔，MEME晶圆，吸气层；在盖片内刻蚀有真空腔，在盖片的外侧墙上淀积有过渡金属，过渡金属的扩散，使其到达盖片的内侧墙，形成金属吸气层；过渡金属位于顶层，吸气层位于盖片内，盖片内带有真空腔，盖片与晶圆之间设置有密封金属条，谐振腔设置在MEME晶圆上，MEME晶圆和吸气层内带有腔体结构。本实用新型的优点：吸附键合后真空腔的残余气体，可用于陀螺仪，振荡器，薄膜谐振器以及红外，压力传感器等器件的吸附剂。
一种用于晶圆级 mems 真空封装金属扩散吸附系统

[发明专利]减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构及方法-CN202210467643.1在审
发明人： 黄向向;杨敏;亚历桑德罗·罗基;关健;张晓磊 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： F16F3/00 文献下载
摘要：减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构，包括端点，刚体，刚性连接模块，柔性梁，固定点；其中：刚体上端为端点结构，平行于位移方向的柔性梁之间设置有刚性连接模块，固定点，刚体下方设置有固定点。一种减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构的方法，MEMS柔性的结构，安排多个以交互方式偏转的柔性梁，柔性梁能实现针对蚀刻误差的自补偿效应；柔性梁以反对称方式偏转，柔性梁的任何平面都是自补偿。本发明的优点：能实现MEMS柔性结构的特定设计，以获得对蚀刻误差不敏感的器件，实现一种针对蚀刻误差的自补偿效应。解决在机械领域中由非垂直蚀刻壁引起的错误，而无需在MEMS配套ASIC中实现额外且昂贵的电子设备。
减小 mems 谐振器件误差影响弹簧设计结构方法

[实用新型]一种房屋建筑工程管理用测量装置-CN202220062856.1有效
发明人：梁明;黄向向 -专利权人：梁明
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种房屋建筑工程管理用测量装置，涉及到房屋建筑工程技术领域，包括底座、直板和激光测距仪主体，底座的顶端固定设置有直板，直板的一侧开设有滑槽，滑槽的内部竖直设置有滚珠丝杆。本实用新型通过电机带动滚珠丝杆转动，使滚珠丝杆上的滑块上下移动，从而能够带动T形块和激光测距仪主体上下移动，从而调整激光测距仪主体的高度，有利于方便测量不同高度的距离，同时激光测距仪主体采用卡接方式固定在T形块上，通过转动四个圆块，使圆块上的两个侧块与对应的侧槽对齐，即可使固定板脱离卡接，将激光测距仪主体拆卸下来，有利于方便工作人员对激光测距仪主体进行维护或更换。
一种房屋建筑工程管理测量装置

[实用新型]一种基于正交信号消除的突起电极-CN202220210441.4有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于正交信号消除的突起电极，其特征在于：所述的基于正交信号消除的突起电极，包括突出部分，正交消除电极，刚性质量块，基底；其中：刚性质量块下面设有突出部分，基底上设有正交消除电极，突出部分与正交消除电极相对布置。本实用新型的优点：本实用新型所述的基于正交信号消除的突起电极，依靠凸起部分的厚度提高消除效率，减小占用面积。减少了与添加孔相关的质量分布变化，最大程度的减小了在给定传感器上实施解决方案所需要的设计改变。增加了创建具有特殊平滑形状轮廓的凸起的可能性，从而能够将正交力指定为驱动位移的任意函数。
一种基于正交信号消除突起电极

[实用新型]一种改进的MEMS封装结构-CN202123236229.X有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;陈林 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种改进的MEMS封装结构，包括CMOS或者MEMS芯片，钝化层，密封真空腔，硅晶元盖，谐振器，接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片，承载晶片，氧化层，刻蚀后的器件，刻蚀孔；CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层，硅晶元盖和CMOS或者MEMS芯片之间设置有密封真空腔3和谐振器；CMOS或者MEMS芯片和硅晶元盖之间为接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片内设置有密封真空腔；承载晶片和刻蚀后的器件连接，刻蚀后的器件内设置有氧化层和刻蚀孔。本实用新型的优点：减少机械振动和冲击；具有良好的温度特性可应用于多种类型的MEMS谐振腔，表面贴装LGA封装比陶瓷封装成本低。
一种改进 mems 封装结构

[实用新型]一种阳极压力传感器结构-CN202122596591.1有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯.雷.斯巴克斯;费玉斌;关健;梁泽山 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种阳极压力传感器结构，硅压力传感器芯片与玻璃芯片阳极键合，玻璃芯片与低金属热导系数的垫片键合，然后再与压力传感器不锈钢管壳焊接在一起，用金属封装金属密封外壳密封，内部装有硅压力传感器芯片和键合引线，使用EVG 520进行玻璃芯片、硅压力传感器芯片到低金属热导系数的垫片的阳极键合，在金属封装内孔，压力传感器不锈钢管壳和金属密封外壳之间的焊缝镀有金属Ni，Cr，压力传感器不锈钢管壳和低金属热导系数的垫片之间的缝隙镀有金属Ni，Cr，以防止腐蚀性流体腐蚀，工业封装使用焊接或六角螺母。本申请方案引入了低温度系数金属垫片层，利用晶圆键合技术将芯片和垫片层连接，利用激光焊接将金属垫片焊接在金属底座上，传感器封装全程只有晶圆键合和激光焊接工艺。
一种阳极压力传感器结构

[发明专利]一种基于正交信号消除的突起电极-CN202210090909.5在审
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于正交信号消除的突起电极，其特征在于：所述的基于正交信号消除的突起电极，包括突出部分，正交消除电极，刚性质量块，基底；其中：刚性质量块下面设有突出部分，基底上设有正交消除电极，突出部分与正交消除电极相对布置。本发明的优点：本发明所述的基于正交信号消除的突起电极，依靠凸起部分的厚度提高消除效率，减小占用面积。减少了与添加孔相关的质量分布变化，最大程度的减小了在给定传感器上实施解决方案所需要的设计改变。增加了创建具有特殊平滑形状轮廓的凸起的可能性，从而能够将正交力指定为驱动位移的任意函数。
一种基于正交信号消除突起电极

[发明专利]一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统及工艺-CN202210090934.3在审
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，MEME晶圆上设置有谐振器，MEME晶圆和盖片之间设置有密封金属条，盖片内设置有真空腔，盖片上设置有吸气剂层和过渡金属。硅‑硅键合，键合前通入的还原气体可以还原金属，使其在接下来的退火工艺中更好的与腔体内的气体反应，增强吸气剂的作用，提高真空度。工艺为，750℃‑1100℃高温退火既改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也可以使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。本发明的优点：利用过渡金属的高速扩散性从真空腔外侧扩散到真空腔内侧墙壁与氧气，氢气，氮气，碳水化合物，水汽等反应，吸附键合后真空腔的残余气体。
一种用于晶圆级 mems 真空封装金属扩散吸附系统工艺

[实用新型]一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器-CN202122568725.9有效
发明人： 黄向向;杨敏;道格拉斯.雷.斯巴克斯;关健;张晓磊 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01L1/10 文献下载
摘要：一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器，所述的基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器，包括为压力薄膜，谐振器固定点，谐振器，HF释放孔，感应电极和驱动电极，谐振器弹簧，外表面层；其中：压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上，谐振器上带有HF释放孔，感应电极和驱动电极与谐振器连接，谐振器上带有谐振器弹簧，谐振器侧壁带有外表面层。本实用新型的优点：所述的基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器，利用谐振器/硅掺杂、氧化层和晶体取向改善压力传感器的超温性能。
一种基于 mems 芯片补偿谐振压力传感器

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