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[发明专利]小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法-CN202211641308.5在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法，包括以下步骤：通过临时键合胶将磷化铟晶圆胶结在临时载片的中心位置；将胶结在临时载片上的磷化铟晶圆和8寸的硅晶圆进行化学机械抛光，并去除表面铜层，使晶圆的铜柱的高度低于晶圆的表面；对磷化铟晶圆进行光刻工艺，并在临时载片上反刻有标记；键合机依据标记识别磷化铟晶圆，将磷化铟晶圆与硅晶圆实现键合，并保证磷化铟晶圆的铜柱与硅晶圆的铜柱互连；加热去除临时载片本发明有效实现了小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合，同时保证了铜柱互连问题，降低了磷化铟晶圆在进行CMP、光刻和键合等过程中碎片的风险，降低了磷化铟晶圆的应用成本。
尺寸磷化铟晶圆寸硅晶圆异质键合方法

[实用新型]一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片-CN201921656468.0有效
发明人：李林;董北平;李鸿建 -专利权人：武汉云岭光电有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟半导体激光晶圆包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长其上端面的外延结构，将覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层去除，通过解理面区域对磷化铟半导体激光晶圆解理得到磷化铟半导体激光芯片。其可以降低磷化铟激光芯片的整体应力，主要是降低解理方向上二氧化硅电介质膜层产生的应力，从而降低其对施加机械外力的影响，保证机械应力能够沿解理方向传递，从而达到理想解理效果。
一种磷化半导体激光芯片

[发明专利]一种磷化铟加工用输送系统-CN202210127964.7有效
发明人：陈国祥;张明月;潘功寰;顾正伟 -专利权人：苏州信越半导体有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B25J19/00 文献下载
摘要：本发明属于输送系统技术领域，具体涉及一种磷化铟加工用输送系统，本磷化铟加工用输送系统包括：上料机构、上料输送机构、转运机构、清理机构和下料输送机构；其中上料机构在磷化铟晶圆放置处吸附单片磷化铟晶圆送至上料输送机构上，转运机构在清理机构上做圆周运动，并吸附相应磷化铟晶圆转运至下料输送机构；以及清理机构对转动的转运机构的表面进行清洁、润滑；本发明通过设置上料机构将磷化铟晶圆搬运到上料输送机构进行输送、加工，并由转运机构将在上料输送机构加工完成的磷化铟晶圆转运到下料输送机构进行最终下料
一种磷化工用输送系统

[发明专利]硅基液晶屏生产系统及其生产方法-CN201110255320.8无效
发明人：代永平;范伟;董续怀;范义 -专利权人：深圳市长江力伟股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了硅基液晶屏生产系统及其生产方法，本方法包括(1)基板清洗步骤：氧化铟锡玻璃与硅晶圆交替输送进入聚酰亚胺涂覆前清洗机完成清洗；(2)将清洗后的氧化铟锡玻璃和硅晶圆依次进行涂覆、烘干、摩擦，干法超声清洗；(3)将清洗后的氧化铟锡玻璃和硅晶圆送入玻璃/硅晶圆分流系统，氧化铟锡玻璃输送进入紫外框胶滴胶机，硅晶圆和完成在氧化铟锡玻璃上涂布图案框胶加工的氧化铟锡玻璃进行硅基液晶屏贴合加工，然后完成框胶曝光固化；(4)经过框胶曝光的硅基液晶屏依次进行框胶再固化、密封、密封胶水固化处理；(5)经过密封胶水固化处理的硅基液晶屏进行灌晶制得反射式液晶显示器，采用本方法提高了硅基液晶屏组装品质。
液晶屏生产系统及其方法

[发明专利]氧化铟纳米颗粒晶圆级成膜方法、薄膜及应用-CN202211018680.0在审
发明人：段国韬;张彦林;张征 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟纳米颗粒晶圆级成膜方法、薄膜及应用，属于纳米粒子物理法成膜技术领域，成膜方法包括：按照氧化铟纳米颗粒材料：乙醇：烷基硫醇＝(100‑500)mg：(10‑50)ml：(1‑5)ml的比例，对氧化铟纳米颗粒材料进行疏水化处理；以烷基醇为分散剂、疏水化处理后的氧化铟纳米颗粒材料为分散质，配置浓度为10‑50mg/ml的分散液；利用移液枪向盛有液相物体的容器中注射分散液，直至薄膜铺满整个液面；利用1‑4英寸的晶圆捞取薄膜并晾干；对晾干后附着有薄膜的晶圆进行退火处理，以提升薄膜与晶圆衬底的界面结合力。成膜方法简单、可重复性强、成本低廉，可制备4英寸晶圆级薄膜，且具有普适性。
氧化纳米颗粒晶圆级成膜方法薄膜应用

[实用新型]一种磷化铟晶圆传递清洗盒-CN202122889714.0有效
发明人：刘源;覃文治;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造工艺工装领域，公开了一种磷化铟晶圆传递清洗盒，该传递清洗盒整体为长方体结构，全部采用聚四氟乙烯材料制作；传递清洗盒分为主体、上下填充挡板、前挡板三个部分，上下填充挡板为实心圆板，前挡板为实心方板；主体部分共有7层，每层结构完全相同，每一层都是由方形过渡板、晶圆凹槽、下凹槽、通孔以及前挡板卡槽构成。该传递清洗盒能够安全、方便、快捷地进行磷化铟晶圆传递、清洗，减少磷化铟晶圆在传递、清洗作业过程中发生碎裂、损伤和沾污的风险。
一种磷化铟晶圆传递清洗

[发明专利]一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统-CN202110645549.6有效
发明人：张韶轩;郭靖;张毓盛;李坤 -专利权人：东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统，切割方法包括：首先将晶圆放置在箍环绷紧的蓝膜上，然后根据晶圆的切割道宽度选取对应的切割刀片，根据晶圆的切割道宽度、晶圆的厚度以及芯片大小设定对应的切割参数，切割刀片按照切割参数对装配好的晶圆进行自动机械切割，最后对切割好的晶圆进行去离子水清洗后风淋甩干。切割控制系统包括：晶圆装配器、晶圆切割控制器和晶圆清洗处理器。本发明通过装配晶圆、切割晶圆和清洗、风淋甩干晶圆实现了对磷化铟晶圆的一次性自动机械切割，有效提高了切割效率；通过切割控制系统实现了整个晶圆切割工艺的自动化加工，提高了晶圆切割的加工精度和芯片的成品率。
一种磷化铟晶圆切割方法控制系统

[发明专利]一种磷化铟的减薄抛光方法-CN202111455364.5有效
发明人：孙锦洋 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟的减薄抛光方法，其包括如下步骤：(1)将磷化铟晶圆放在铺满研磨液的研磨机上进行研磨；研磨液以6～100ml/min的流量滴在旋转盘上，转速范围为20～90rpm/min；(2)将磷化铟晶圆放在铺满抛光液的抛光机上进行抛光，抛光液以6～100ml/min的流量滴在抛光垫上；(3)对完成化学机械抛光的磷化铟晶圆进行清洗。
一种磷化抛光方法

[发明专利]一种硅基液晶屏贴合固化方法-CN201110255557.6无效
发明人：代永平;范伟;董续怀;范义 -专利权人：深圳市长江力伟股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基液晶屏贴合固化方法，它包括将硅晶圆输送承载到基板正压贴合机的硅晶圆承片托上并将其真空吸附在硅晶圆承片托上；将覆盖有图案框胶的氧化铟锡玻璃输送承载到基板正压贴合机的玻璃架上并将其吸附在所述玻璃架上；使硅晶圆正对覆盖有图案框胶的氧化铟锡玻璃设置；当硅晶圆与图案框胶之间形成紧密接触时就形成了由硅晶圆、图案框胶和氧化铟锡玻璃构成的硅基液晶屏；使吸附着硅基液晶屏的硅基液晶屏承载盘接近盖板架上的透明石英玻璃直至硅基液晶屏的氧化铟锡玻璃与透明石英玻璃紧密接触
一种液晶屏贴合固化方法

[发明专利]一种阵列型的霍尔芯片磁传感器及其制备方法-CN202310234778.8在审
发明人：周谭;蔡江伟;黄启泰;朱忻 -专利权人：苏州大学;苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本申请属于芯片级传感器领域，提出了一种阵列型的霍尔芯片磁传感器及其制备方法，该传感器包含IC芯片、第一铟柱阵列、互连基板、第二铟柱阵列、霍尔晶圆阵列；通过设置于互连基板内部的电路布线层连接导通第一铟柱阵列及第二铟柱阵列；第一铟柱阵列一端连接IC芯片，第二铟柱阵列一端连接霍尔晶圆阵列，经电路布线层的连接导通实现电气连接；并通过内部集成的IC芯片进行小信号的选通放大功能以实现高分辨率的磁检测。本申请的传感器不仅可以进行多点检测，而且有效提高了单位面积的霍尔晶圆的分布密度，从而提高了检测分辨率，解决了传统测试装置效率低的问题，同时为集成化以及后续增添新型功能电路提供了更大的空间。
一种阵列霍尔芯片传感器及其制备方法

[发明专利]一种铟柱起球控制方法、装置和设备-CN202211263760.2有效
发明人：王阳;魏猛;张健;孙源 -专利权人：芯达半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种铟柱起球控制方法、装置和设备。所述方法包括控制旋涂单元的旋转驱动机构动作，带动晶圆跟随所述旋转驱动机构进行旋转；当旋转驱动机构达到预设转速时，将甘油混合溶液喷涂至晶圆上表面的中心位置；若处于晶圆表面的甘油混合溶液覆盖全部晶圆表面，则控制旋涂单元停止甘油混合溶液的喷涂以及停止旋转驱动机构；在旋转驱动机构处于停止状态后，控制机器人手臂将表面覆盖甘油混合溶液的晶圆依次进行送入烘烤单元和清洗单元进行烘烤和清洗。本发明操作过程简单，能够实现铟柱自动起球，反应后只需要对晶圆的一个面进行清洗即可。
一种铟柱起球控制方法装置设备

[发明专利]磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法-CN201911070369.9在审
发明人：史艳磊;孙聂枫;王书杰;赵红飞;李亚旗;付莉杰;王阳;李晓岚;邵会民;刘惠生;姜剑 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，属于半导体衬底制备领域，包括步骤：1）定向，将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；2）多线切割，在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；3）清洗，清洗晶片，至表面无残渣、无污物；4）割圆，晶片进行割圆，裁取所需晶向区域。该技术方案中，对于直径控制难度大，生长过程中容易出现孪晶/夹晶的磷化铟晶棒，摒弃会将大量的InP材料磨削去除的滚磨工序，先将晶棒多线切割为晶片，再从晶片中最大化的裁切与标准尺寸相近的晶向可用的衬底晶圆，
磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片方法

[实用新型]一种通过键合实现的新型晶圆片-CN201220002239.9有效
发明人：杨继远 -专利权人：杨继远
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种通过键合实现的新型晶圆片，其特征在于：包括蒸镀有反射层的外延片，反射层下蒸发设置金(Au)层；经过镜面抛光的硅片表面蒸发设置一定厚度的金层和铟(In)层，铟(In)层上面与反射层下蒸发设置金(Au)层键合连接；通过铟(In)层键合，实现外延片和硅片的成型连接。本实用新型新型晶圆片可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。
一种通过实现新型晶圆片

[发明专利]一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法-CN201310592285.8在审
发明人：熊传兵;肖伟民;刘声龙;赵汉民 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法，包括如下步骤：在生长衬底上外延生长铟镓铝氮半导体发光薄膜，形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片，在所述晶圆片的电极焊盘上形成一层掩膜层，在所述晶圆片上涂覆一层混有荧光粉的硅胶，形成一层荧光粉硅胶层，切割所述电极焊盘上的荧光粉硅胶层，使其与晶圆片台面上的其他硅胶分离，刻蚀所述电极焊盘上的掩膜层及荧光粉硅胶层，暴露出电极焊盘，对所述晶圆片划片获得单颗芯片。
一种垂直结构白光 led 芯片及其制造方法

[实用新型]一种研磨装置-CN201921551719.9有效
发明人：廖世容;刘朝辉 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型可以提高研磨的磷化铟晶圆片的均匀性，同时可以加快研磨后从陶瓷盘上取下磷化铟晶圆片的速度。
一种研磨装置

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