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[发明专利]III-V族化合物半导体3D堆栈式图像传感器焊盘打开的方法-CN202310883847.8在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种III‑V族化合物半导体3D堆栈式图像传感器焊盘打开的方法。上述方法主要包括：提供异质键合晶圆；在半导体晶圆背部沉积SiO2层；在异质键合晶圆表面涂覆光刻胶，去除pixel区以外的光刻胶，刻蚀掉露出的SiO2层；去除剩余的光刻胶，露出剩余的SiO2层；去除非pixel区的部分；确定焊盘的位置并对焊盘及pixel区以外的部分涂覆光刻胶；对不含有光刻胶的位置的SiO2层进行刻蚀。上述方法能够保证半导体晶圆在经过减薄至设定厚度之后，不再受到后续工艺影响其厚度值，同时减少了单独刻蚀InP晶圆背部氧化层的工艺，降低了在焊盘打开工艺过程产生经济损失的风险。
iii 化合物半导体堆栈图像传感器打开方法

[发明专利]一种基于颗粒污泥的污水处理系统及污水处理方法-CN202311039977.X在审
发明人：麻汉卿;韩小波;黄文章;范翊;邹婷;陈思宇;周欣格;范洁 -专利权人：深圳市利源水务设计咨询有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于颗粒污泥的污水处理系统，包括依次采用管道连接的厌氧池、好氧池、缺氧池、沉淀池和颗粒污泥生成器；所述颗粒污泥生成器通过回流管道分别与厌氧池、缺氧池连接；所述颗粒污泥生成器内设有分流壁；所述分流壁上设有多个隔板；所述隔板与分流壁的夹角为45‑60度；所述颗粒污泥生成器的进水管道上设置有活性炭投料口；所述活性炭投料口呈开口漏斗状，其底端的开口方向与进水管道的进水方向呈90度；所述活性炭投料口的底端的开口口径小于进水管道的管径。本发明还公开了基于上述污水处理系统的污水处理方法。本发明通过在污水处理过程中高效产生颗粒污泥，改善了污泥沉淀性能，同时提高脱氮除磷效果，具有环保节能的优点。
一种基于颗粒污泥污水处理系统方法

[发明专利]III-V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法-CN202310883855.2在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种III‑V族化合物半导体晶圆与Si晶圆异质键合背部减薄的方法。上述方法主要包括提供III‑V族化合物半导体晶圆与第一Si晶圆的异质键合晶圆、第二Si晶圆与第三Si晶圆的直接键合晶圆以及石英环、将石英环放置在直接键合晶圆的表面、在石英环的表面沉积teos层、石英环与异质键合晶圆临时键合、使用grinding机台去除teos层及相同厚度的III‑V族化合物半导体晶圆、测量III‑V族化合物半导体晶圆的剩余厚度、选择其他厚度的石英环重复上述步骤、使用grinding机台再次进行减薄。上述方法能够对异质键合的晶圆进行减薄，避免损伤小尺寸第二代半导体晶圆。
iii 化合物半导体 si 晶圆异质键合背部方法

[发明专利]硒碲合金薄膜、光导型红外光探测器及制备方法-CN202210548998.3有效
发明人：王飞;赵东旭;王云鹏;范翊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料设计生长技术领域，尤其涉及一种硒碲合金薄膜及其制备方法，还涉及一种光导型红外光探测器。所述制备方法包括：将碲粉、硒粉和衬底放入三温区CVD管式炉中加热，并向所述三温区CVD管式炉中通入惰性气体；实现在所述衬底上所述硒碲合金薄膜的生长；所述硒粉和碲粉的摩尔比为(1：10)～(10：1)；所述三温区CVD管式炉沿所述惰性气体的气流方向依次包括低温区、高温区和第三温区；所述碲粉置于所述高温区，所述硒粉置于所述低温区；所述衬底置于所述第三温区。通过本发明的方法制备得到的硒碲合金薄膜具有较好的结晶质量及光学质量，并为光导型红外光探测器提供了一种性能最佳的二元合金薄膜材料。
合金薄膜光导型红外光探测器制备方法

[发明专利]基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法-CN202310537747.X在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法，该装置主要包括抽气口、反应腔、注液口、排液口和固定吸盘，通过抽气口降低反应腔内部的气压，将固定吸盘吸附在键合晶圆的待腐蚀区，通过注液口将腐蚀液注入反应腔进行腐蚀，再通过排液口将腐蚀液由反应腔排出，再升高反应腔的内部气压，将装置与键合晶圆分离，清洗并吹干即完成晶圆的背部腐蚀。在BSI工艺中，利用本发明对键合晶圆进行背部腐蚀，既保证了逻辑电路区不会受到腐蚀液的严重侵蚀，又保证了实验人员在工作期间不会直接与腐蚀液接触，不会吸入腐蚀液挥发出的气体，从而提高了实验人员自身的安全性。
基于 bsi 工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置方法

[发明专利]对陶瓷外壳连续激光打标的装置-CN202310587273.X在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供一种对陶瓷外壳连续激光打标的装置，其载台上设置有平行设置的电磁铁，相邻电磁铁的中间区域与激光光源的位置对应，旋转装置固定区包括中心轴和定位槽；旋转装置通过磁吸金属面固定在定位槽内，并通过转动轴承外侧的料盒杆卡槽与料盒连接，料盒内部用于存放try盘，料盒的底部通过弹簧连接有平行的磁吸金属条。本发明通过电磁装置固定料盒位置，使所有陶瓷外壳在激光打标的过程中位置保持一致，可以一次性完成多个陶瓷外壳的打标工作，提高了打标效率还保证了打标位置的一致性，此外，打标区电磁铁的设计充分保证了料盒与激光光源的位置对应，避免了标记位置倾斜或偏移等情况的发生。
陶瓷外壳连续激光标的装置

[发明专利]一种制备花朵样卤化铅铯钙钛矿结构纳米线的方法-CN202111561997.4有效
发明人：范翊;王云鹏;王飞;赵东旭;成明;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备花朵样卤化铅铯钙钛矿结构纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。解决现有多数无机低维钙钛矿纳米晶在晶体结构调控方面存在很多不足，例如需要惰性气体保护下合成、很难实现纳米晶的有序排列等技术问题。本发明的方法包括以下步骤：以卤化铯和卤化铅为原料，以油酸和油胺为配体，以含巯基的化合物为钙钛矿晶体结构导向剂，以脂肪醇醚磷酸酯为特种表面活性剂，在室温下通过刮涂加热法一步合成花朵样卤化铅铯钙钛矿结构纳米线。本发明的方法通过添加巯基化合物和特种表面活性剂，确保花朵样卤化铅铯钙钛矿结构纳米线的形成。采用的特种表面活性剂可以有效调控卤化铅铯钙钛矿结构纳米薄膜的发光特性。
一种制备花朵卤化铅铯钙钛矿结构纳米方法

[发明专利]透射式光学低温恒温探针台-CN202310250969.3在审
发明人：王云鹏;赵东旭;王飞;范翊;成明;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01Q60/22 文献下载
摘要：本发明提供一种透射式光学低温恒温探针台，主要分为真空腔和探测架两部分，真空腔的设置有用于光线透射的法兰口；探测架主要将轴承与载物托板进行嵌合设计，通过电机控制载物托板进行任意圈数的旋转，并将样品槽设计成通孔的形式，保证光线可以通过样品槽。本发明实现了透射式光学探测，在探测过程中需要更换探测样品时，仅需要控制载物托板进行旋转即可更换探测样品，无需手动改变探针位置，无需重新进行回温、回压、抽真空、降温等繁杂的过程，极大较低了探测过程复杂程度以及缩短了探测时间。
透射光学低温恒温探针

[发明专利]一种关系型数据库数据对比方法及系统-CN201911376043.9有效
发明人：王大鹏;冯路;卢健;范翊;张元超 -专利权人：瀚高基础软件股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种关系型数据库数据对比方法及系统，所述方法包括以下步骤：分别从源库和目标库中获取数据表名并进行对比，得到表名对比结果；对于表名对比结果为相同的每一对数据表，进行全表对比，得到全表对比结果；对于全表对比结果为相同的每一对数据表，进行逐行对比，得到逐行对比结果；其中，所述表名对比结果和逐行对比结果中，对于对比结果为不同的记录，均采用操作名称来标识；所述操作名称为更新、操作或删除。本发明依次针对源库和目标库中的数据表名、全表和行进行对比，对比更为准确；且采用操作名称来标识对比结果为“不同”的表名或行，能够为用户提供对于目标库的下一步操作指示。
一种关系数据库数据对比方法系统

[发明专利]用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法-CN202211641306.6在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，将CMP设备停止冲洗并擦拭干净；在CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对UV隔热膜和UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重新贴膜。本发明采用UV隔热膜和UV保护膜进行保护，使得在进行含不同金属的晶圆减薄抛光时，只需要更换UV隔热膜和UV保护膜即可，不会出现因CMP设备自身残留吸附的金属粒子而导致将要进行减薄抛光的异种晶圆受到其它金属离子污染的现象，避免了晶圆出现缺陷甚至功能损失的情况。
用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染方法

[发明专利]小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法-CN202211641308.5在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法，包括以下步骤：通过临时键合胶将磷化铟晶圆胶结在临时载片的中心位置；将胶结在临时载片上的磷化铟晶圆和8寸的硅晶圆进行化学机械抛光，并去除表面铜层，使晶圆的铜柱的高度低于晶圆的表面；对磷化铟晶圆进行光刻工艺，并在临时载片上反刻有标记；键合机依据标记识别磷化铟晶圆，将磷化铟晶圆与硅晶圆实现键合，并保证磷化铟晶圆的铜柱与硅晶圆的铜柱互连；加热去除临时载片。本发明有效实现了小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合，同时保证了铜柱互连问题，降低了磷化铟晶圆在进行CMP、光刻和键合等过程中碎片的风险，降低了磷化铟晶圆的应用成本。
尺寸磷化铟晶圆寸硅晶圆异质键合方法

[实用新型]一种用于墩梁一体化施工的架桥机-CN202222931336.2有效
发明人：赵艺程;牟廷敏;邹圻;王欢;龚振华;康玲;李成君;许诺;李胜;范翊;倪春梅;杜凤;何易修 -专利权人：四川交通职业技术学院;四川省公路规划勘察设计研究院有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及桥梁技术领域，提供了一种用于墩梁一体化施工的架桥机，包含主桁架，所述主桁架具有移动装置，所述主桁架沿行走方向从前至后包含第一段、第二段、第三段和第四段，所述第三段和第四段能够支撑在已安装梁段的主梁或盖梁上，所述第二段能够支撑在未安装梁段的盖梁上，所述第一段能够为悬臂状态，所述第二段用于架设对应梁跨的待安装的主梁，所述第一段用于吊装对应梁跨的待安装的盖梁和待安装的桥墩，所述主桁架顶面的纵向中部具有桥塔，所述桥塔和主桁架之间连接有若干拉索，所有所述拉索均连接于所述桥塔顶部。本装置对桥梁的上部结构和下部结构均能采用架桥机施工，无需或减少施工便道，且明显缩短施工工期。
一种用于一体化施工架桥

[发明专利]薄膜生长装置、方法及二氧化钒薄膜生长方法-CN202210581138.X有效
发明人：王云鹏;赵东旭;王飞;范翊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料薄膜生长技术领域，具体涉及一种薄膜生长装置及薄膜生长方法；尤其涉及一种二氧化钒薄膜生长方法；薄膜生长装置包括散热旋转台、载物旋转盘、石英管、管式炉、直角喷雾脉冲控制架和纳米喷雾器；纳米喷雾器的喷嘴垂直于载物旋转盘；载物旋转盘与散热旋转台连接，散热旋转台旋转，带动载物旋转盘运动；载物旋转盘上设有多个载物槽；石英管上设有第一侧开槽，管式炉上设有第二侧开槽；石英管穿设于管式炉中，第一侧开槽与第二侧开槽匹配；载物旋转盘上的至少一个载物槽位于第一侧开槽内。通过本发明的薄膜生长装置及方法生长二氧化钒薄膜，生长效率更高，且所得到的二氧化钒薄膜具备中红外光开关效应。
薄膜生长装置方法氧化

[发明专利]超薄晶圆的传送装置及方法-CN202211640859.X在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种超薄晶圆的传送装置，包括：两条平行设置的滑道，滑道的两端设置有挡板，挡板用于与晶圆研磨机固定，每条滑道上分别套有连接管，连接管的外侧分别固定有至少一个手柄，连接管的内侧固定有载物片，载物片的水平位置低于连接管的水平位置，载物片具有可拆卸功能。超薄晶圆的传送方法是通过载物片承接因水流浮起的晶圆，通过超薄晶圆的传送装置将晶圆取出。本发明有效解决了在晶圆研磨机完成晶圆大幅度背部减薄后无法安全取出的问题，可实现将单片厚度在50μm以下的晶圆安全取出，同时，载物片具有可拆卸功能，可直接将带有减薄晶圆的载物片放入晶圆键合机中，作为底部晶圆与其他晶圆直接进行键合。
超薄传送装置方法

[发明专利]一种紫外镜头及其光学系统、打标设备-CN202111351349.6有效
发明人：赵东旭;姜洋;王飞;王云鹏;范翊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B23K26/064 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外镜头及其光学系统、打标设备，包括沿入射光方向依次设置的第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜、第五透镜和第六透镜；第一透镜和第二透镜均为向入射光方向弯曲的负弯月形透镜；第三透镜和第四透镜均为向入射光方向弯曲的正弯月形透镜；第五透镜和第六透镜均为双凸透镜。本发明的紫外激光扫描镜头具有较小的光斑汇聚尺寸，较小的远心度和相对畸变以及较大的前后工作距，可以配合二维扫描振镜实现高精度打标的应用。
一种紫外镜头及其光学系统设备

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