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[发明专利]一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺-CN202210812122.5有效
发明人：唐义洲 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺，在碳化硅键合前对碳化硅晶圆基片进行多步骤边缘修边工艺，然后进行晶圆的键合工艺、晶圆的多次减薄抛光及退火工艺、晶圆的背面工艺、晶圆的解键合工艺、晶圆的高温退火工艺，最后进行晶圆的键合工艺和晶圆二次修边工艺。通过采用上述的工艺流程，不仅大大降低SiC晶圆在减薄时的碎片和烧片风险，还可安全有效的完成碳化硅晶圆基片的背面工艺和高温回火工艺。
一种碳化硅背面加工工艺

[发明专利]一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法-CN201310266359.9在审
发明人：赵高辉;姜国伟;牟善勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。本发明通过在进行薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先喷射反应气体，使晶圆在工艺开始前先缓慢升温，并在工艺完成后持续对晶圆平射反应气体，使晶圆在工艺完成后缓慢降温，实现晶圆在整个工艺过程中柔和形变，以降低晶圆破损率
一种降低破损薄晶圆背面金属溅射方法

[发明专利]具有承载晶圆的晶圆组件-CN201210350992.1在审
发明人：黄义雄;刘恒信;李宏仁;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有承载晶圆的晶圆组件，包括工艺晶圆和承载晶圆。在工艺晶圆上形成集成电路。承载晶圆结合至工艺晶圆。承载晶圆具有至少一个对准标记。
具有承载组件

[发明专利]一种晶圆托环及具有该晶圆托环的反应腔室-CN201610107767.3在审
发明人：董琪琪;赖朝荣;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶圆托环，呈立体状设置，且待工艺处理之晶圆的面积小于所述晶圆托环之晶圆置入方向的上端开口面积，并在所述晶圆托环内形成用以承载所述待工艺处理之晶圆的卡合部。本发明晶圆托环呈立体状设置，并通过在所述晶圆托环内形成用以承载所述待工艺处理之晶圆的卡合部，不仅使得所述晶圆仅其外边缘与所述晶圆托环接触，最大限度减少热量损失，而且稳定固定所述晶圆，提高晶圆工艺处理之转速，使其受热更均匀，工艺稳定性更强。
一种晶圆托环具有反应

[发明专利]晶圆的调度方法、装置及半导体工艺设备-CN202210490941.2在审
发明人：钟结实;梁妍;郭训容;张立超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的调度方法、装置及半导体工艺设备，用于调度工艺前由两个晶圆键合形成的键合晶圆和键合晶圆在工艺后分离为的第一晶圆和第二晶圆；调度方法包括：在工艺腔室中对键合晶圆进行工艺将其分离为第一晶圆和第二晶圆之后，确定与第一晶圆所对应的源晶圆盒和可用于装载第二晶圆的空置晶圆盒，源晶圆盒为工艺前用于装载键合晶圆的晶圆盒；通过晶圆盒机械手将源晶圆盒传输至第一装卸载位，通过晶圆盒机械手将空置晶圆盒传输至第二装卸载位；通过晶圆机械手的第一机械臂将第一晶圆传输至放置于第一装卸载位上的源晶圆盒，通过第二机械臂将第二晶圆传输至放置于第二装卸载位上的空置晶圆盒。本发明提供了新型的键合晶圆调度方案。
调度方法装置半导体工艺设备

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202210080289.7在审
发明人：王景宏;林勇志;李静宜;余子维;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：该方法包括将第一晶圆和第二晶圆装载到接合平台上，使得第二晶圆覆盖第一晶圆。借助于多个晶圆销执行对齐工艺，以在第一晶圆上对齐第二晶圆，其中在对准工艺期间，多个第一参数与晶圆销相关联。接合第二晶圆至第一晶圆。借助于多个晶圆销在第一晶圆和第二晶圆上进行叠置(OVL)量测工艺，其中在对齐工艺期间，多个第二参数与晶圆销相关联。基于在对齐工艺期间与晶圆销相关联的第一参数与在叠置量测工艺期间与晶圆销相关联的第二参数之间的比较，来确定第一晶圆和第二晶圆之间的叠置偏移量。本发明可以提高半导体组件的效能和可靠度或提高半导体制造工艺良率。
形成半导体结构方法

[实用新型]晶圆自动添加装置-CN201821759736.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆自动添加装置，包括缓冲栈、存储栈、检测模块及晶圆传送模块；缓冲栈用于在进入批次型工艺处理栈前暂时存放待处理批次的工艺晶圆，设置有多个卡槽；存储栈用于存储替位晶圆，其具有替位晶圆进出口；检测模块用于检测缓冲栈内未放置有工艺晶圆的卡槽的位置和数量；晶圆传送模块传送替位晶圆于缓冲栈和存储栈之间，抓取替位晶圆并传送至缓冲栈内未放置有工艺晶圆的卡槽处，以使工艺晶圆和替位晶圆的数量之和符合缓冲栈的卡槽数量采用本实用新型的晶圆自动添加装置，可以有效避免因每批次工艺晶圆的实际数量不同而引发的工艺不良等问题，有助于提高生产良率。
晶圆缓冲栈自动添加装置存储栈本实用新型传送模块检测模块传送抓取的卡槽处工艺处理批次工艺卡槽良率种晶存储进出口检测生产

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201711117419.5有效
发明人：王伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺-CN201410405897.6有效
发明人： R·纳加拉贾;陈福勤;卢家辉;易俊豪;吴稼祺;田晶泽;P·R·耶勒汉卡;R·库马尔 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
互补金属氧化物半导体相容晶圆键合层工艺

[发明专利]晶圆转移装置、半导体工艺设备、晶圆转移控制方法-CN202110629437.1在审
发明人：张亚斌;胡睿凡;王锐廷;南建辉;赵宏宇;杨斌 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆转移装置，用于在半导体工艺设备的第一工位与第二工位之间转移晶圆，包括驱动模组、第一载片架和第二载片架，驱动模组用于驱动第一载片架将位于第一工位的工艺前晶圆转移至第二工位，并驱动第二载片架将位于第二工位的工艺后晶圆转移至第一工位在本发明中，晶圆转移装置可通过第一载片架将位于第一工位的工艺前晶圆转移至第二工位，通过第二载片架将位于第二工位的工艺后晶圆转移至第一工位，从而分别通过不同的承载架与工艺前晶圆、工艺后晶圆接触，避免工艺前晶圆表面的污染物以承载架为媒介污染工艺后晶圆，进而保证工艺后晶圆表面的洁净度。本发明还提供一种半导体工艺设备和一种晶圆转移控制方法。
转移装置半导体工艺设备控制方法

[发明专利]一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺-CN202010300797.2在审
发明人：严立巍;陈政勋;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆热处理工艺，包括以下步骤：将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。与现有技术相比，本申请的晶圆双面电镀与热处理工艺，能够有效避免晶圆在热处理工艺或双面电镀工艺中的弯曲变形。
一种热处理工艺以及双面电镀

[发明专利]晶圆自动添加装置及方法-CN201811270236.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆自动添加装置及方法，该装置包括缓冲栈、存储栈、检测模块及晶圆传送模块；缓冲栈用于在进入批次型工艺处理栈前暂时存放待处理批次的工艺晶圆，设置有多个卡槽；存储栈用于存储替位晶圆，其具有替位晶圆进出口；检测模块用于检测缓冲栈内未放置有工艺晶圆的卡槽的位置和数量；晶圆传送模块传送替位晶圆于缓冲栈和存储栈之间，抓取替位晶圆并传送至缓冲栈内未放置有工艺晶圆的卡槽处，以使工艺晶圆和替位晶圆的数量之和符合缓冲栈的卡槽数量采用本发明的晶圆自动添加装置及方法，可以有效避免因每批次工艺晶圆的实际数量不同而引发的工艺不良等问题，有助于提高生产良率。
自动添加装置方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201210333108.3有效
发明人：费孝爱;洪齐元 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄方法包括：提供晶圆，并对所述晶圆执行研磨工艺；对研磨后的晶圆执行退火工艺；对退火后的晶圆执行湿法刻蚀工艺。通过本发明提供的晶圆减薄方法所形成的减薄后的晶圆不易发生晶圆破片的问题，极大地提高了工艺的可靠性，降低了生产成本。
晶圆减薄方法

[发明专利]晶圆清洗设备及其晶圆清洗方法-CN202210493051.7在审
发明人：张鹏飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗设备，包括晶圆传送组件、工艺传输机构和干燥传输机构，晶圆传送组件用于取出晶圆盒中的待清洗晶圆或将已干燥晶圆放回晶圆盒中；工艺传输机构用于将晶圆传送组件获取的待清洗晶圆传入晶圆清洗模块中清洗，并用于将晶圆清洗模块的已清洗晶圆传入干燥模块中干燥；干燥传输机构用于在干燥模块中承载已清洗晶圆并将已干燥晶圆传输至晶圆传送组件。在本发明中，工艺传输机构仅用于将晶圆传入晶圆清洗模块中以及传入干燥模块中，已干燥晶圆由干燥传输机构传输至晶圆传送组件，既节省了工艺传输机构传输待干燥的晶圆及进行洗手的时间，又保证了晶圆表面的洁净度。本发明还提供一种晶圆清洗方法。
清洗设备及其方法

[发明专利]一种MEMS晶圆切割对准方法及MEMS晶圆-CN201910409069.2在审
发明人：王通;王潇斐 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS晶圆切割对准方法及对应该方法的MEMS晶圆，其中晶圆切割对准方法包括以下步骤：在覆盖晶圆上嵌入切割对准标记；将所述覆盖晶圆与器件晶圆接合形成多个MEMS腔体；以及根据所述切割对准标记进行晶圆切割本发明解决了现有MEMS晶圆的切割工艺复杂，缺陷率大，难以与传统切割工艺兼容等问题，可使MEMS晶圆工艺与CMOS工艺兼容，切割准确率高。
一种 mems 切割对准方法晶圆

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