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[发明专利]一种新型Ti2-CN202210520736.6有效
发明人： 补钰煜;包军林 -专利权人： 补钰煜
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B32/907 文献下载
摘要：本发明涉及二维MXene量子点材料技术领域，公开了一种新型Ti2CO2二维MXene量子点材料的制备方法，包括：一、Ti2C Mxene薄片的制备；二、少层Ti2CTx粉末的制备；三、Ti2CO2二维MXene的制备；四、Ti2CO2二维MXene量子点的制备。本发明采用臭氧脉冲处理方法实现了Ti2CO2二维材料的制备，并在此基础上，结合水热裂解法实现了Ti2CO2量子点的开发，实现了Ti2CO2二维量子点的制取，为Ti2CO2二维MXene量子点材料的应用提供了可行的制备技术。
一种新型 ti base sub

[发明专利]TiO2-CN202211386204.4在审
发明人： 补钰煜 -专利权人： 补钰煜
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明涉及生物传感器技术领域，公开了一种TiO2纳米线阵列/二维Ti2COx光电化学生物传感器制备方法，包括Ti2COx MXene材料、薄层Ti2COx材料、TiO2纳米线阵列及TiO2纳米线阵列/Ti2COx复合光电化学生物传感器的制备。本发明成功将二维Ti2COx MXene材料与TiO2纳米线阵列有效复合形成异质结体系，不仅提高了光生载流子分离效率，而且Ti2COx能够高效锚定DNA适配体探针，从而大幅提高传感器的检测灵敏度和特异性。同时，通过不同的DNA适配体探针固定修饰，可以分别对藻毒素、黄曲霉素、神经类疾病标志物五羟色胺和αβ‑42淀粉样蛋白实现超灵敏、高特异性检测。
tio base sub

[发明专利]铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件及制备方法-CN202210385996.7在审
发明人：刘艳;姚育鹏;周久人;张洪瑞;补钰煜;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。
掺杂正反馈场效应晶体管器件制备方法

[发明专利]一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法-CN202011241769.4有效
发明人： 补钰煜;陈治伟;敖金平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C25B11/054 文献下载
摘要：本发明提供了一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法；包括：p‑Si基底层、表面助催化层和TiO2层；所述p‑Si基底层作为光电阴极；所述表面助催化层为MoS2和Rh‑P的双组分复合型助催化层；所述TiO2层作为调节p‑Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。本发明在p‑Si基底层上逐步沉积制备得到MoS2‑Rh‑P复合型助催化剂，MoS2和Rh‑P分别都在析氢助催化方面表现出优异的性能，而当复合之后他俩之间的协同作用更加能够加快析氢助催化反应速率，从而可显著提高复合体系的光电化学性能，所以本发明提供的复合型光电化学器件具有实际应用的潜力；本发明提供的复合器件在0V偏压下能够有效的完全解水析氢，是一种具有应用前景的光电阴极器件。
一种组分复合催化剂修饰光电阴极制备方法

[发明专利]一种BVO/CN/Co光阳极传感器的制备方法-CN202110989778.X有效
发明人： 补钰煜;王琳;敖金平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种BVO/CN/Co光阳极传感器的制备方法；包括：步骤1，钒酸铋基底的制备：步骤2,在钒酸铋薄膜旋涂50ul氮化碳分散液3次，在250℃下热处理30分钟，得钒酸铋氮化碳光阳极；将Co催化剂配置成0.5mM的溶液，将得到的钒酸铋氮化碳光阳极浸泡2min，退火30min，得BVO/CN/Co光阳极传感器。本发明在BVO/CN/Co光阳极传感器的搭建中，氮化碳和Co助催化剂协同作用，在减少表面态，提高载流子浓度和增加反应活性位点方面都有促进作用，使得光阳极的光电性能得到大幅度的提高；本发明引入Π‑rich材料与钒酸铋材料复合后，利用有机共轭材料吸附适配体，降低传感器的制造成本。
一种 bvo cn co 阳极传感器制备方法

[发明专利]一种辐照改性钒酸铋适配体光电化学传感器-CN202010524535.4有效
发明人： 补钰煜;李阳;敖金平;戴显英 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种辐照改性钒酸铋适配体光电化学传感器的制备方法及应用；本发明采用红外辐照处理BiVO4首次实现了外加偏压可调控的增强和抑制型的传感器，其具有高灵敏、高分辨的特性，同时同一体系的两种传感器，可以实现对难氧化和易氧化肿瘤标志物的检测，本发明设计的PEC适配体传感器的灵敏度是目前灵敏度最高的传感器，因此本发明设计的传感器在PSA早期的精确筛查，前列腺癌的治理过程中和术后动态检测中发挥更大的作用。同时对于其他癌症标志物AFP、CEA同样具有高灵敏的检测特性。另外本发明设计的两种传感器具有反应迅速、操作简单、检测的背景信号低等优点。
一种辐照改性钒酸铋适配体光电化学传感器

[发明专利]一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法-CN201910843353.0有效
发明人：赵天龙;补钰煜;过润秋;冯兰胜;宋建军;戴显英 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法，该减薄方法包括：选取衬底层；设计衬底层的厚度与应变量之间的第一预设关系模型，根据第一预设关系模型计算得到衬底层的第一预设厚度和第一预设应变量；利用化学机械抛光工艺对衬底层进行第一次减薄得到第一减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第一减薄衬底层进行第二次减薄得到第二减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第二减薄衬底层进行第三次减薄得到第一预设厚度的纳米级衬底层。本发明设计了衬底层的第一预设关系模型，通过第一预设关系模型得到衬底层的临界厚度，通过三次减薄工艺得到厚度为临界厚度的衬底层，工艺实现简单，且实现了衬底层由间接带隙到直接带隙类型的转变。
一种纳米级减薄方法直接应变 soi 及其制备

[发明专利]一种PEC适配体传感器及其制备方法-CN201910856428.9有效
发明人： 补钰煜;李阳;戴显英 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高特异性和超高检测灵敏度的PEC适配体传感器及其制备方法，其中，该PEC适配体传感器包括：BiVO4薄膜(作为光阳极)、DNA适配体和g‑C3N4薄膜，该PEC适配体传感器以g‑C3N4薄膜作为光阳极和DNA适配体之间的界面调和体，g‑C3N4薄膜的厚度为5nm～15nm。本发明的有益之处在于：BiVO4薄膜和g‑C3N4薄膜之间能带结构存在差异，这种能带结构差异可促进BiVO4薄膜上的光生空穴向g‑C3N4薄膜方向定向转移，从而可显著提高光生空穴向待检测物质定向输运的能力，所以该PEC适配体传感器具有超高的检测灵敏度，另外，g‑C3N4薄膜对DNA适配体具有良好的π‑π吸附特性，可有效固定DNA适配体，从而实现对待检测物质的高特异性捕获，所以该PEC适配体传感器具有高特异性。
一种 pec 适配体传感器及其制备方法

[发明专利]一种能源转换三层复合器件及其制备方法-CN202010680754.1有效
发明人： 补钰煜;陈曦;敖金平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种能源转换复合器件及其制备方法；包括：上转换材料、光电子通路和光阴极；所述上转换材料为掺杂稀土离子Er3+,Yb3+的NaYF4薄膜，其用于实现红外吸收，荧光辐射；所述光电子通路为AZO薄膜，其用于创建电子迁移通道，提高光电化学能源转换材料的电子产率；所述光阴极为Cu2O薄膜，其用于生成还原性电子。本发明首次将AZO多晶薄膜引入到上转换耦合半导体光电化学能源转换器件中；本发明设计的光电子通路上转换耦合半导体光电化学能源转换器件对红外光具有高响应性，具有良好的光致发光特性，得益于光电子通路的存在本发明在红外光下的光电响应比目前报道的同类型器件有大幅的提升。因此本发明在太阳能电池领域、新能源领域都具有很好的应用前景。
一种能源转换三层复合器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201911279219.9有效
发明人：敖金平;王霄;补钰煜;李小波;王婷婷;徐杨 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q，欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100‑780℃，反应时间为1‑10小时，流量范围为5‑100sccm，压强范围为1‑1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。
一种氮化肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种纳米花状WO₃薄膜光阳极的制备方法-CN201510869047.6有效
发明人：李卫兵;补钰煜 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米花状WO₃薄膜光阳极的制备方法。本发明通过在钛基底表面沉积WO₃种子，之后通过水热法制备了纳米花状WO₃薄膜光阳极样品。通过控制反应时间制备了一系列的光阳极样品。研究表明，钛基底上沉积的WO₃种子层对随后的WO₃花状材料的水热生长过程尤为重要，纳米花状结构逐步完善并在8h达到最佳，此时样品的纳米花状结构生长完整、分布均匀。光生电流密度以及光电转化效率也达到最高。最佳的水热反应时间为8h，此时样品纳米花状结构生长最好，光吸收最强，光生电流密度最大，同时具有最高的光电转化效率。
一种纳米 wo sub 薄膜阳极制备方法

[发明专利]一种铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极及其制备方法和应用-CN201910071993.4有效
发明人： 补钰煜;张亚萍;敖金平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极及其制备方法和应用，采用电化学沉积的方式在FTO表面沉积BiOI前驱体；用0.2M的乙酰丙酮钒溶液进行交换，得到钒酸铋电极，多余的V₂O₅用NaOH溶液除去；BiVO₄‑Rh‑SrTiO₃光阳极的合成。本发明制备的铑掺杂钛酸锶超薄纳米层覆盖的钒酸铋光阳极进行了Rh掺杂之后的SrTiO₃与BiVO₄复合后，其光电化学性能有了明显的提升，且当Rh掺杂量为5％时光电化学性能最好，BiVO₄与Rh5％‑SrTiO₃之间形成的异质结的作用非常微弱，而是Rh5％‑SrTiO₃起到了很好的产氧助催化的作用，有效降低了电极与电解液接触界面的反应能垒，并且接触界面的反应活性位点增多，使得钒酸铋价带上的空穴能够有效地转移到电极表面与水发生氧化反应，光生电子空穴得到了有效的分离。
钒酸铋光阳极掺杂钛酸锶纳米层制备方法和应用空穴电极覆盖光电化学性能电化学沉积电化学性能电解液接触反应活性位乙酰丙酮钒表面沉积电极表面光生电子氧化反应掺杂量前驱体异质结有效地价带能垒氧助制备催化掺杂合成复合交换

[发明专利]一种纳米红磷/石墨烯复合光催化剂及其制备方法-CN201511035268.X有效
发明人：李卫兵;田国栋;谢淑雅;徐擎擎;王琳;田继明;补钰煜 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，尤其涉及一种纳米红磷/石墨烯复合光催化剂；还涉及一种上述纳米红磷/石墨烯复合光催化剂的制备方法。本发明的纳米红磷/石墨烯复合光催化剂，以红磷为基本原料，通过机械研磨法和超声浮选法将红磷纳米化，将纳米红磷颗粒负载到石墨烯的表面，制得纳米红磷/石墨烯复合光催化剂。本发明的优点是光催化性能好，其可见光光催化还原水产氢性能以及可见光光催化RhB脱色性能与现有技术相比均有显著提高。
一种纳米红磷石墨复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法-CN201810943369.4在审
发明人：敖金平;蒲涛飞;王霄;补钰煜;刘辰阳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p‑GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS‑HEMT器件及其制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件沟道退化和栅控能力弱的问题。其包括：衬底1、缓冲层2、未掺杂的高阻GaN层3、未掺杂的AlGaN势垒层4及其上左右两端的源电极9和漏电极10，未掺杂的AlGaN势垒层上中间位置设有本征GaN隔离层5，本征GaN隔离层依次往上为p‑GaN帽层6、SiN绝缘层7以及栅电极8。本发明改善了因Mg扩散导致沟道退化及高温导致栅极退化的情况，提高了器件的阈值电压、减小栅极漏电流，且通过自对准栅结构，提高了器件的栅控能力，可用于GaN基逻辑电路和开关电路。
未掺杂栅结构自对准退化本征沟道绝缘层增强型器件栅极漏电流开关电路阈值电压缓冲层漏电极源电极栅电极衬底高阻减小可用帽层制作扩散

[发明专利]一种复合光催化材料-CN201510020006.X在审
发明人：杜巍涛;补钰煜 -专利权人：济南雷诺新能源科技有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用太阳光裂解水制氢气和氧气的光催化材料，属于电极材料制备技术领域。所述的复合光催化材料包括ZnO纳米颗粒和Ag@AgCl包覆层，且Ag@AgCl包覆层均匀分散在ZnO纳米颗粒中间。所述的Ag@AgCl包覆层特点是Ag以少量、微小的颗粒形式分布在AgCl的表面。优选的，所述的ZnO纳米颗粒和Ag@AgCl的物质量（分别以锌离子和银离子计）之比为1：1。本发明的制备方法为：1）通过水热法制备ZnO基础；2）通过沉积沉淀法和光还原结合的方法在已制备好的ZnO基础上制备ZnO/ AgCl复合材料；3）将AgCl部分还原为Ag，得到ZnO/AgCl复合材料。本发明的有益效果：一是实现了光催化材料对可见光的吸收，二是ZnO和Ag@AgX之间形成的异质结电场实现了光生电子-空穴的迅速分离和转移，从而有效提高Ag@AgX材料的光催化性能。
一种复合光催化材料

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