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[发明专利]一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法-CN202310868179.1在审
发明人：任开琳;史洋;邹夏植;张建华;殷录桥 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电区的迁移率，提升器件的大电流输出能力、功率密度和高频应用能力。
一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法-CN202310040186.2在审
发明人：王文樑;侯冬曼;周润杰;李国强;林廷钧;赖全光;肖嘉莹 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法，由下至上依次层叠设置衬底、GaN层、第一势垒层及第二势垒层，所述第一势垒层与GaN层形成异质结，所述第二势垒层与第一势垒层形成异质结，双层异质结形成双层二维电子气，实现电子气的展宽，所述第二势垒层的上表面设置阴极结构和肖特基混合阳极结构。本发明与传统的SBD整流芯片相比，具有低开启电压、高工作电流等优点。
一种具有双层结构混合阳极 gan 整流芯片制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211654714.5在审
发明人：樊永辉;朱雷;刘国梁;吴先民 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底及位于所述衬底上的异质结结构。所述异质结结构包括沟道层及位于所述沟道层背离所述衬底一侧的势垒层；所述沟道层的材料为AlxGa(1‑x)N，所述势垒层的材料为AlN。所述制备方法包括：提供衬底；形成位于所述衬底上的沟道层及位于所述沟道层背离所述衬底一侧的势垒层，得到包括所述沟道层与所述势垒层的异质结结构；所述沟道层的材料为AlxGa(1‑x)N，所述势垒层的材料为AlN。
半导体结构及其制备方法

[实用新型]外延片-CN202222438844.7有效
发明人：苏军 -专利权人：远山新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本申请公开外延片，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述AlN层的厚度为1nm～2nm，其中所述AlGaN层的厚度为15nm～25nm。本申请提供的外延片及其生长方法能够有效提升GaN晶体质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和迁移率，实现降低导通电阻的目的。
外延

[实用新型]半导体外延片-CN202222438845.1有效
发明人：苏军 -专利权人：远山新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本申请公开半导体外延片，属于半导体结构技术领域，包括蓝宝石衬底层、缓冲层和GaN主体层；其中所述缓冲层包括在所述蓝宝石衬底层上由近到远依次设置的溅射薄膜层、高温AlN缓冲层、AlGaN层和GaN层，其中所述溅射薄膜层的厚度为15nm～30nm；其中所述GaN层的厚度为5nm～50nm；其中所述GaN主体层的厚度为2000nm～4000nm。本申请提供的半导体外延片通过改善缓冲层的构造，能够从整体上改善半导体外延片的晶体质量。
半导体外延

[发明专利]外延片及其生长方法-CN202211120023.7在审
发明人：苏军 -专利权人：远山新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本申请公开外延片及其生长方法，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述AlN层的厚度为1nm～2nm，其中所述AlGaN层的厚度为15nm～25nm。本申请提供的外延片及其生长方法能够有效提升GaN晶体质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和迁移率，实现降低导通电阻的目的。
外延及其生长方法

[发明专利]一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件-CN202210864713.7在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiNx插入层，所述GaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺层和SiNx插入层；AlGaN外延复合层，位于所述GaN外延复合层上，所述AlGaN外延复合层包括AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，所述AlGaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺层和MgNy插入层；AlGaN外延层，位于所述AlGaN外延复合层上。采用上述结构可以实现GaN外延复合层和AlGaN外延复合层的晶体匹配，为AlGaN外延层提供高质量低应力的生长模板，能够获得低表面缺陷的高晶体质量AlGaN外延层。
一种 algan 外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法-CN202110362209.2在审
发明人：许晟瑞;许文强;张金风;赵颖;王若冰;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法，该异质结包括：具有若干凹槽的金刚石衬底、位于凹槽内的AlN层以及位于金刚石衬底表面的GaN外延层和AlN外延层。本发明提供的多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结采用多槽式的金刚石衬底作为散热材料，极大地增加了器件的散热能力，提高了器件性能；且金刚石衬底化学性质稳定，有利于提高器件的工作寿命。
一种多槽式金刚石衬底环绕 aln gan 异质结及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法-CN202210595458.0在审
发明人：关赫;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法，包括依次从下往上堆叠的衬底、AlN/AlInGaN缓冲层、uGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层、GaN帽层和两个金属电极；GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层和GaN帽层的中部被刻蚀形成一个槽；所述两个金属电极分布在槽两侧；金属电极从下至上依次为Ti、Al、Ni、Au四层结构。本发明制备方法简单且所得器件具有典型的压敏电阻特性。
一种基于 gan 异质结外延压敏电阻器件方法

[发明专利]在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法-CN202210609488.2在审
发明人：许晟瑞;高源;徐爽;王宇轩;张涛;张金凤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上制作异质结的晶体质量低，影响器件散热能力和工作性能的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN外延层(4)和AlN外延层(5)。其中衬底采用经等离子体轰击处理后的单晶金刚石，以提升GaN外延层的成核能力。同时衬底与GaN外延层之间依次增设h‑BN层(2)、溅射BxAl1‑xN层(3)，该h‑BN层为GaN生长提供成核点，该溅射BxAl1‑xN层用于缓冲h‑BN层与GaN层的晶格差异。本发明提高了GaN外延层的晶体质量，可用于制作功率器件，提高器件散热能力和工作性能。
金刚石衬底进行成核优化 aln gan 异质结制备方法

[发明专利]基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法-CN202210610478.0在审
发明人：许晟瑞;高源;王心颢;王宇轩;张涛;张金凤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上外延生长的异质结晶体质量差的问题。其实现方案是：采用单晶金刚石材料作为衬底，且对该衬底进行离子注入和等离子体轰击处理；再在其上磁控溅射AlN层；接着在AlN层上通过MOCVD工艺生长GaN层，并进一步在GaN层上生长AlGaN层，形成自下而上包括衬底、磁控溅射AlN层、GaN外延层和AlGaN外延层的异质结结构。本发明由于对单晶金刚石衬底进行离子注入和轰击处理，因而为在衬底上的后续外延生长提供了更多悬挂键，提高异质结的质量，改善器件的散热能力，可用于大功率GaN基微波功率器件的制备。
基于衬底处理金刚石 algan gan 异质结制备方法

[发明专利]基于AlN插入层的二维空穴气异质结及其制备方法、PMOS器件-CN202210158150.X在审
发明人：张涛;苏华科;许晟瑞;段小玲;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AlN插入层的二维空穴气异质结及其制备方法及PMOS器件，该异质结自下而上依次包括：衬底层，成核层，缓冲层，背势垒层，插入层，p型GaN层，其中，所述插入层的材料为AlN。本发明通过在异质结制备过程中插入一层薄的AlN插入层，利用AlN材料较高的禁带宽度提升异质结界面处的极化效应，使界面处的价带弯曲，靠近甚至到费米能级之上，进而产生高浓度的二维空穴气，有助于实现高性能GaN PMOS制备。
基于 aln 插入二维空穴气异质结及其制备方法 pmos 器件

[发明专利]气体传感器的制备方法及气体传感器-CN202011581584.8有效
发明人：卢红亮;陈丁波 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。
气体传感器制备方法

[发明专利]基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法-CN202111301947.2在审
发明人：张苇杭;樊昱彤;张进成;刘茜;付李煜;黄韧;许国富;文钰;郝跃;张晓东 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。
基于 ingan gan 晶格结构增强器件及其制备方法

[发明专利]N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法-CN202111402684.4在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;张景鸿 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN基射频整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层以及肖特基接触电极，x＝1.35～1.45；整流器外延片包括在硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN势垒层、AlN插入层和非掺杂GaN沟道层；欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上；肖特基接触电极从SiNx/Al2O3钝化层表面通过刻蚀深入非掺杂GaN沟道层，并部分延伸至钝化层表面。本发明提供了一种具有高击穿电压、高截止频率的高性能射频整流器。
极性 gan algan 射频整流器及其制备方法

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