“形隧穿”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1660966个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有氮化硅－氧化硅介电层的非挥发性记忆元件-CN200610087295.6有效
发明人：吴昭谊;徐子轩;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：非挥发性记忆胞还包括位于半导体基底上的第一载子穿隧层、位于第一载子穿隧层上的电荷储存层、位于电荷储存层上的第二载子穿隧层以及位于第二载子穿隧层上的导体控制闸极。在一实施例中，第二载子穿隧层在抹除操作时提供电洞穿隧，且其包括至少一介电层。
具有氮化氧化硅介电层挥发性记忆元件

[发明专利]低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法-CN201410745889.6有效
发明人：靳晓诗;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管，在集电结和发射结中引入低杂质浓度的耐压层结构提升器件的正向及反向耐压能力，利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系，实现更低的亚阈值摆幅和更好的开关特性通过绝缘隧穿层上产生的遂穿电流作为集电极电流的驱动电流，对比普通半导体带间遂穿场效应晶体管实现更好的正向电流导通特性。本发明还提出低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管的具体制造方法。
阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管-CN201510937928.7在审
发明人：韩根全;王轶博;张春福;冯倩;汪银花;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，解决现有III-V族材料制备的隧穿场效应晶体管性能差的问题。本发明通过源极Ga(In)AsN与沟道GaAsBi的相互接触形成交错型异质隧穿结，减小了隧穿势垒高度，增大了隧穿几率和隧穿电流，提升了器件的整体性能，可用于制作大规模集成电路。
基于 gaasbi ga in asn 材料交错型异质结隧穿场效应晶体管

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201810003282.9在审
发明人：林志伟;陈凯轩;姜伟;吴真龙;张双翔 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。
电池生长基区太阳能电池发射区隧穿结下隧欧姆接触层底电池顶电池垂直入射光线电池转换效率上波导层下波导层制作吸收

[发明专利]一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器及其制备方法-CN201810099307.X在审
发明人：马忠元;孙杨;谭定文 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：氮化硅隧穿结阻变层由富氮的氮化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同化学配比的富硅氮化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢富氮氮化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成隧穿结阻变存储器的隧穿层势垒高度，控制穿过隧穿层的电流，进而达到调控工作电流，实现超低功率，使氮化硅隧穿结阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
氮化硅隧穿结阻变存储器阻变层化学配比条形电极低功耗隧穿层富氮非挥发性存储器富硅氮化硅薄膜微电子工艺技术氮化硅薄膜超低功率存储器件工作电流硅基纳米互相垂直上下两层存储器上表面下表面中间层调控势垒制备兼容穿过应用

[发明专利]一种片上微型电子源及制造方法、电子源系统、电子设备-CN202010477613.X在审
发明人：魏贤龙;詹芳媛;李志伟 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源可以包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有导体盘和电子隧穿结，电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成，导体盘与电子隧穿结中的导电区域接触，驱动电极对用于驱动电子隧穿结发出电子束。这样，在电子隧穿结中的导电区域的导体盘，可以在对阻变材料层进行软击穿形成电子隧穿结时表面出现等电势，因此在一定程度上缩短了需要击穿的阻变材料层的宽度，相比于未形成有导体盘的器件而言，需要更小的驱动的电压
一种微型电子制造方法系统电子设备

[发明专利]一种非接触式半导体电性故障分析法-CN202110748761.5在审
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣;林荣君 -专利权人：汎铨科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式半导体电性故障分析法，利用一包含探针、电流放大器、反馈控制器及计算机的扫描穿隧式显微镜以非接触方式半导体样品的表面方式进行电性故障分析，其特征在于扫描穿隧式显微镜的探针放置于相对于半导体样品表面的(+)Z轴方向，施加一偏压于扫描穿隧显微镜的探针与半导体样品之间以产生一穿隧电流后沿相对于半导体样品表面的X、Y轴方向进行扫描且同时侦测半导体样品的表面所量测到的穿隧电流，穿隧电流经放大后被送到计算机进行分析
一种接触半导体故障分析

[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201510351099.4有效
发明人：潘锋;梁军;林钦贤;苏彦涛;张明建;梅宗维;杨晓杨 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请的薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层，隧穿整流层设于前电极层和半导体层间，或者设于半导体层和背电极层间，或者同时设于前电极层和半导体层间，以及半导体层和背电极层间；隧穿整流层为单层或多层结构，隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池，在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层，利用隧穿整流层对电子进行整流，从而有效的避免了载流子的复合，提高太阳能电池的短路电流以及开路电压，进而提高光电转化效率。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管-CN201510490482.8有效
发明人：韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。本发明通过GaAsN与GaAsSb两种材料相互接触形成II型异质隧穿结使得隧穿势垒高度降低，隧穿几率和隧穿电流增大，器件整体性能提升，可用于制作大规模集成电路。
基于 gaasn gaassb 材料 ii 型异质结隧穿场效应晶体管

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249534.9有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。
gainp gaas inganas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]精密测量加速度的单分子装置-CN201710119943.X有效
发明人：向东;王玲;赵智凯;王璐;梅婷婷;倪立发;张天;张伟强 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01P15/00 文献下载
摘要：利用微纳加工技术制作纳米电极芯片，利用MCBJ装置构筑间隙可控的单分子结，通过测量纳米粒子在纳米间隙中位置的相对移动而导致的隧穿电流的变化，精密测量对应的加速度值。由于隧穿电流值对隧穿距离的变化极其敏感(隧穿距离每变化0.1纳米，对应的隧穿电流可以变化1个数量级)，因此可以通过测量隧穿电流的变化，实现对不同加速度的精确探测。
精密测量加速度分子装置

[发明专利]一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管-CN201910255123.2有效
发明人：谢倩;夏霜;李杰;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域，用以增大隧穿场效应晶体管的开态电流。本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。
一种有效增大电流场效应晶体管

[发明专利]动态虚拟私有网络的装置和方法-CN201810731070.2有效
发明人：陈崇智;赵士铭 -专利权人：资富电子股份有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：一种动态虚拟私有网络的方法，适用于动态虚拟私有网络母装置，该方法包括：(a)于该母装置未建立穿隧连接以前，直接或通过第三方云端服务来得到关于子装置的加入白名单请求，并回复接受信息或拒绝信息给该子装置；(b)直接或通过第三方云端服务来得到关于子装置的联机请求，并判断是否与该子装置建立穿隧连接或回复拒绝信息给该子装置；(c)于该母装置与该子装置建立穿隧连接以后，通过该穿隧连接来接收该子装置所传送的联机密码，并判断该子装置所传送的联机密码是否正确；若正确，则维持该穿隧连接；若不正确，则中断该穿隧连接；其中联机密码得进一步加以编码以提升安全性。
动态虚拟私有网络装置方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN201911346925.0有效
发明人：王劲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构。该空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构，该隧穿结结构可以形成内建电场，而六方氮化硼材料在隧穿结结构中能改善电流扩展效率，增加空穴的隧穿几率；这样，具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层可以提高空穴迁移率
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法-CN201910304860.7有效
发明人：张玮;陆宏波;李欣益;李戈 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F30/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法，针对不同对象的网格优化与偏微分方程组求解交替进行，将网格优化分成通用网格优化与隧穿网格优化两个过程，提高了非局域量子隧穿关联项的数值计算精度，具体思想是依据量子隧穿器件中能带曲率、晶格温度曲率与内建电场分布情况，通过选择合适的不同的网格离散控制标准与控制函数，先后在不同区域进行网格重整，重新分布能带区域与晶格温度区域数值高和量子隧穿区域的网格分布，使得网格分布即能够充分保证电荷分布、载流子输运与晶格温度分布数值精度，又能使得能带之间、能带与深能级缺陷之间量子隧穿几率的数值精确度大大提高。
一种数值精度量子器件模拟方法