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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法-CN201910217614.8有效
发明人：刘洪军;赵杨杨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明的有益效果：1）侧壁栅与场板无交叠，降低了寄生电容，提升了LDMOS频率特性。2）栅侧面充当了部分场板的功能，降低沟道与漂移区交界的电场强度，为减小沟道长度提供了有效支撑。3）采用离子注入漂移区时，离子侧向散射对沟道区影响减弱，降低了工艺生产的控制难度。4）侧壁栅结构拉开了沟道区和漂移区在纵向上的空间距离，在沟道与漂移区交界的电场降低情况下，可以增加靠近栅侧壁漂移区的浓度，有效降低导通电阻。
一种射频 ldmos 侧壁结构及其制备方法

[发明专利]场效应型晶体管及其制造方法-CN200710127334.5无效
发明人：木下敦宽;古贺淳二 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种场效应型晶体管及其制造方法，可以降低源·漏的寄生电阻，抑制短沟道效应且降低泄露电流。该场效应型晶体管，包括：构成沟道区的第一半导体区；在上述第一半导体区上夹着栅绝缘膜形成的栅电极；对应于上述栅电极，在上述第一半导体区的两侧形成的源·漏电极；以及在上述第一半导体区和上述源·漏电极之间分别形成的、杂质浓度比上述第一半导体区高的第二半导体区，且上述第二半导体区的与上述沟道区相接的部分，在无电压施加的状态下在整个沟道长度方向上被耗尽化。沟道长度方向上的厚度小于等于10nm，且形成为比由杂质浓度决定的耗尽层宽度更薄。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种硅边墙SOI抗辐照MOS器件结构-CN202111322720.6在审
发明人：邹滕浩;闫娜;朱伟强;韩婷婷;田密;李志坚 -专利权人：复旦大学;中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明结构，包括MOS器件的栅端、源端、漏端、体区、衬底和硅边墙；通过改变原本SOI器件边墙绝缘体隔离层为硅边墙，采用与体区同种掺杂的硅侧边墙，可有效降低辐照总剂量效应下侧边墙寄生晶体管产生的泄露电流；同时将体区有效引出与源端相连，可有效解决常规SOI的MOS器件浮体效应产生的衬底寄生晶体管在辐照总剂量效应下产生的背沟道泄露电流问题。本发明在兼容主流SOI工艺情况下，解决了边墙寄生晶体管和衬底寄生晶体管引起的泄露电流问题；此外与现有传统抗辐照器件相比，宽长比设计不受限制，并具有较小面积、高集成度等特性。
一种硅边墙 soi 辐照 mos 器件结构

[发明专利]功率场效应晶体管-CN200980120875.2有效
发明人：黎建;欧阳金 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种超短沟道混合功率场效应晶体管(FET)器件，其使电流从体硅流出而没有NPN寄生。
功率场效应晶体管

[发明专利]一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法-CN202210610220.0在审
发明人：廖永波;冯珂;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;路远;黄乐天 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括以下步骤：S1：在P型衬底上进行离子注入；S2：离子注入形成P+区、N+源区、N+漏区；S3：通过刻蚀工艺，将多余部分进行刻蚀；S4：进行SiO2生长；S5：在沟道区上方生长栅介质层该方法减少了沟道上方栅介质层中的固定空穴电荷，减弱了其对电子的吸引能力，从而减小了阈值电压Vth偏移量；其次沟道的P+区域，也可以有效抑制STI中寄生沟道的形成
一种氧化 pes ldmos 制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110076772.3在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；鳍部结构，位于所述衬底上，所述鳍部结构包括沿衬底表面法线方向间隔设置的多个沟道层，相邻所述沟道层之间具有通道；内侧墙，位于所述通道两侧的相邻所述沟道层之间；栅极结构，横跨所述鳍部结构且填充满所述通道；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁表面；初始空腔，位于所述第一侧墙两侧以及所述内侧墙和所述通道两侧，所述初始空腔暴露出所述沟道层的部分表面；栅极覆盖层，覆盖所述栅极结构的顶部表面本发明实施例提供的半导体结构，有利于减小半导体器件的寄生电容，从而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法-CN202211431331.1在审
发明人：高建峰;刘卫兵;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法，具体包括：提供衬底，衬底一侧具有支撑部，在支撑部上具有交替层叠的牺牲层和沟道层，支撑部、牺牲层和沟道层构成鳍片；形成跨鳍片的假栅；在假栅两侧形成侧墙；在侧墙两侧形成源漏区域向中心方向刻蚀掉牺牲层的边缘部分，形成内嵌的凹槽；沉积内侧墙介质，覆盖整个表面并充满凹槽；利用各向异性刻蚀，去除内侧墙介质位于水平方向上的部分；在源/漏区域的底部形成隔离层；利用各向同性刻蚀，去除内侧墙介质位于垂直方向上的部分；将沟道层进行外延生长本发明利用源/漏区域底部的隔离层，消除源漏之间的衬底寄生沟道。
堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制程方法-CN202210815410.6在审
发明人：薛广杰;李乐;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底部半导体层、埋氧层以及顶部半导体层，所述顶部半导体层被划分成至少一个有源区；在所述有源区中对应沟道区的部分注入第一离子；进行退火处理，以使所述第一离子与所述有源区中的部分硅反应，在对应所述沟道区的部分形成绝缘介质层，以减少所述沟道区的厚度；在所述沟道区上形成栅极，并在所述栅极两侧的所述有源区中形成源区域和漏区域。该半导体器件的制程方法能够减小了源区域和漏区域之间的电容，进而减弱了制得的半导体器件的寄生电容对其射频性能的影响。
半导体器件及其方法

[发明专利]一种新型围栅VFET理想开关结构-CN202310636823.2在审
发明人：廖永波;徐丰和;李平;袁丕根;刘金铭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出的新型围栅VFET理想开关采用纵向设计，器件四面环栅，且沟道区相对漏漂移区重掺杂的技术方案。本发明所要解决的关键技术问题是：在新结构中引入一种新的机制抑制DIBL效应，减小由短沟道效应引起的阈值电压漂移带来的影响，显著降低导通电阻，增加器件导通电流密度，消除寄生BJT效应。本专利优化了其工艺实现流程，器件沟道长度不再受到光刻精度的限制，沟道长度能够小于12nm，大幅缩小了器件的特征尺寸，降低了单个器件占用面积，提高了集成度，突破了当前摩尔定律的限制。
一种新型 vfet 理想开关结构

[发明专利]一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法-CN201310313550.4有效
发明人：廖淼 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明提供一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法，所述栅控二极管反熔丝单元结构至少包括沟道区；P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端；栅极结构，制作于所述沟道区表面，其中，所述沟道区的导电类型可以是本发明具有以下有益效果本发相比于现有的MOS结构反熔丝结构，去除了浅掺杂漏区域LDD，降低了器件的寄生电容；本发明采用栅控二极管结构的反熔丝，降低了导通时栅极所需添加的电压，提高了器件的性能并保证了器件的稳定性
一种二极管反熔丝单元结构及其制作方法

[发明专利]AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管结构-CN201510380107.8有效
发明人：李传皓;李忠辉;彭大青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是一种复合缓冲层极化调制的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管结构，其结构沿外延生长方向自下而上为：单晶衬底；极化调制的Alx1Ga1‑x1N缓冲层、Alx2Ga1‑x2N缓冲层；GaN沟道层；优点：能够显著抬升缓冲层相对沟道势阱的背势垒高度，减小电应力下热电子由沟道进入缓冲层后被深能级受主俘获的几率，抑制电流崩塌；增强沟道二维电子气的限域性，降低缓冲层的寄生电导和漏电流，同时比常规的GaN或者
algan gan 电子迁移率场效应结构

[发明专利]背照式图像传感器及制备方法-CN202011592644.6有效
发明人：周阳 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器，隔离环环绕所述光电二极管和所述第二导电类型沟道区，且贯穿所述半导体衬底和所述第二导电类型外延层；第一导电类型源区，沿所述隔离环内壁，自所述第二导电类型沟道区表面延伸至所述第二导电类型沟道区内，且环绕所述第一导电类型电荷积累区，所述第二导电类型沟道区隔离所述第一导电类型源区和所述第一导电类型电荷积累区。所述背照式图像传感器的隔离环与现在的常规CMOS工艺流程完全兼容，在隔离环内采用多次注入形成垂直分布的光电二极管与第一导电类型源区，减小电荷传输管的寄生电容，提升电荷传输管传输速率，提高图像传感器芯片的图像帧率
背照式图像传感器制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201810028656.2有效
发明人：黄贤国;宋洵奕;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；阱区；体接触区、源区和漏区，位于阱区内，源区位于体接触区与漏区之间，源区与漏区之间形成沟道；栅极导体，位于源区与漏区之间的沟道上；衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型场效应晶体管中存在寄生三极管，通过调节第二阱区的掺杂浓度或者范围来控制寄生三极管的电流大小。通过在第一阱区内形成第二阱区，增大场效应晶体管的维持电压，最终减小场效应晶体管的寄生三极管电流对场效应晶体管的影响。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件-CN202011409291.1有效
发明人：贺利军;赵勃阳;何承运;谢治杨;张金沙;戚飞;张楠;陈伟中 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层/base:Sub>Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
一种具有栅极电子迁移率晶体管器件

[发明专利]一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件-CN202011175903.5在审
发明人：杨国锋 -专利权人：杨国锋
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：所述HEMT器件通过引入组分渐变的背势垒，有效地增强沟道中的电子约束，从而改善器件的性能。此外，背势垒中的极化渐变可以降低寄生沟道中的2DEG浓度并减弱沟道的不利影响，这有利于改善器件的电子性能。
一种具有组分渐变背势垒结构 hemt 器件

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