“型异质结 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2420086个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器-CN201720803487.6有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南湘标新材料科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器，包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)为内部分散有有机无机杂化钙钛矿粉体(21)的有机半导体薄膜。该体相异质结型钙钛矿光电探测器光电探测性能优秀、空气稳定性好。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器

[发明专利]高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法-CN202111540841.8在审
发明人：李爽;程鹏;刘伟;俞鹏飞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法。其包括：（1）计算带极性材料的功函数和能带，提取能带中导带底、价带顶和真空能级；（2）根据带极性材料的功函数大小，以及导带底、价带顶和真空能级的相对位置构建带极性材料的异质结构，对其进行结构优化，并计算异质结的能带；（3）根据异质结的能带，得到异质结的能带弯曲方式，以能带弯曲最大的异质结作为Z型异质结。本发明通过DFT计算方法，利用带极性材料设计Z型异质结光催化剂，从而提高光催化效率，为设计高效率Z型异质结光催化剂提供了指导作用。
高效率光催化分解型异质结催化剂设计方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110105996.9无效
发明人：陈万军;魏进;汪志刚;张竞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结场效应晶体管的栅极与MOS管的源极互连；MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管之间采用介质隔离槽隔离。本发明通过控制与耗尽型GaN异质结场效应晶体管相串联的低压MOS管的开关状态实现了将耗尽型GaN异质结场效应晶体管向增强型GaN异质结场效应晶体管的转变，不仅具有低压MOS器件的常关型特性，而且具有耗尽型GaN异质结场效应晶体管的高耐压、低导通电阻等优点，具有良好的频率特性和输出功率密度，适用于高频、大功率领域。
一种基于 mos 控制增强 gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202110917167.4在审
发明人：李志刚;杨永豪;路通 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，n型半导体和p型半导体皆为有机材料，有机体异质结半导体层采用协同蒸发n型半导体和p型半导体制得。本发明可以制备工艺相较于多层结构有机异质结器件更为简单，通过电编程即可实现双极性存储特性，可以在空气中稳定运行，不受使用环境限制，有效的降低了制备成本。本发明还公开了制备上述体异质结有机场效应晶体管的方法。
一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380493.1有效
发明人：任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺-CN201110405263.7有效
发明人：王旺平 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构，包括P型晶体硅，所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构，所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间，N型异质材料层外部包裹有绝缘层，所述的绝缘层的底部设置有铝金属层；所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区，P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时，可以将光生空穴通过背结构良好导出，还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。
基于异质结浮动太阳能电池钝化结构及其制备工艺

[发明专利]半导体异质结及其发光晶体管-CN200710026964.3无效
发明人：郭志友;张建中;孙慧卿;范广涵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n－型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n－型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上，所述有源层渐变生长在n－型掺杂层上，在n－型掺杂层/n+型掺杂层形成突变同型异质结，在靠近n－型轻掺杂的结区一侧形成一个量子阱，n+型一侧形成势垒。在半导体异质结的n－型掺杂层上再生长有源层、p型掺杂层，然后再制作n+型电极、n－型电极、p型电极即得到发光晶体管。上述基于半导体异质结的发光晶体管，通过改变施加在n－型掺杂层的电压可以控制电子的通过和截止，从而可以控制发光晶体管的发光强度。
半导体异质结及其发光晶体管

[发明专利]一种新型异质结光伏电池及其制备方法-CN201810645089.5有效
发明人：张军 -专利权人：江苏日御光伏新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型异质结光伏电池及其制备方法，本发明的新型异质结光伏电池的制备过程中，首先在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区，然后再旋涂PEDOT:PSS溶液形成PEDOT:PSS层，使得本发明的新型异质结光伏电池中，一部分n型硅片与p型扩散区形成PN结，剩余部分的n型硅片与PEDOT:PSS层形成肖特基结，且通过优化p型扩散区尺寸以及相邻p型扩散区的间距，使得各p型扩散区均匀分散在n型硅片上，有效结合PN结和肖特基结的优势，有效提高了该新型异质结光伏电池的开路电压，进而提高其光电转换效率。
一种新型异质结光伏电池及其制备方法

[发明专利]一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法-CN202111299654.5在审
发明人：范祥祥;黄淳;陆宇杰;代盼;贺无名;徐亚娟 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时，所述异质结与被检测气体的接触面积，并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附，进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率；且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法，所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。
一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条