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[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法-CN202310642501.9在审
发明人：王权;程培宇;陈明明 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明属于光电通信和光电器件技术领域，公开了一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法。包括：导电硅基底，钙钛矿层和电极。钙钛矿层由钙钛矿本体和沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF‑67组成。步骤为：将ZIF‑67粉末与钙钛矿前驱体溶质混合，加入溶剂搅拌得到均质的钙钛矿前驱液，然后采用抗溶剂旋涂法在处理过的导电硅基底上制备钙钛矿薄膜，经过梯度热退火得到高质量的钙钛矿层，构建钙钛矿/硅异质结，最后在钙钛矿层表面制备电极，得到钙钛矿/硅异质结光电探测器。ZIF‑67对钙钛矿进行n型掺杂，并与p型低阻硅构建异质结，利用其内建电场加速载流子的分离。此外，ZIF‑67可调控薄膜生长，减少晶界及缺陷态，降低器件的非辐射复合损耗，提升器件性能及稳定性。
一种钙钛矿硅异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途-CN202010304320.1在审
发明人：吴丹;王恺;刘皓宸;李文辉;昂科科觉 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本发明涉及一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途，所述同质结钙钛矿光电探测器中包含相邻设置的N型钙钛矿薄膜和P型钙钛矿薄膜，位于所述N型钙钛矿薄膜背对所述P型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的电子传输层和透明导电衬底，以及位于所述P型钙钛矿薄膜背对所述N型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的空穴传输层和金属电极，本发明所述光电探测器基于同质结钙钛矿的优化，使得其内部形成内建电场，内建电场和外加电场方向相同，其共同作用，进而加强光生电子空穴对的分离和加速载流子输运
一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法用途

[发明专利]钙钛矿型固态电解质的制备方法-CN202310910061.0在审
发明人：何俊琰;杨朝锋;陈晓龙;黄绵煜 -专利权人：格力钛新能源股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本申请涉及一种钙钛矿型固态电解质的制备方法，包括：制备钙钛矿型电解质基体的目标粉料；制备NH4Cl溶液，并将所述目标粉料与所述NH4Cl溶液混合，以使氯化锂层包裹所述钙钛矿型电解质基体，得到钙钛矿型固态电解质，其中，所述氯化锂层为由所述NH4Cl溶液与所述目标粉料发生反应得到的。通过氯化锂层包裹钙钛矿型电解质基体，隔绝电解质与空气，解决了钙钛矿型电解质稳定性不高的问题。
钙钛矿型固态电解质制备方法

[发明专利]一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用-CN202310584432.0在审
发明人：谭海仁;林仁兴 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用，属于太阳能电池技术领域。本发明的三维异质结钙钛矿太阳能电池，其钙钛矿层由吸光层和钝化层复合得到，吸光层和钝化层形成II型异质结，所述吸光层由三维钙钛矿N制成，钝化层由三维钙钛矿Y制成。本发明通过设计在含有厚吸光层的钙钛矿薄膜上构筑三维/三维全钙钛矿II型异质结，有效地钝化钙钛矿表面的缺陷，减少了钙钛矿表面的非辐射复合损失，在提升开路电压和填充因子的同时不影响短路电流源密度，提升了单结和叠层电池的光电转化效率
一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用

[发明专利]一种用于锂电池的柔性固体电解质及其制备方法-CN202310935229.3在审
发明人：黄程;董兴芳;黄亚楠 -专利权人：苏州大学;苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种用于锂电池的柔性固体电解质及其制备方法。利用水热法制备了带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片粉末，通过高温固相反应法及其随后的层插剥离制备了带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片粉末模板；然后通过水热法将带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片与带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片由正负静电吸附作用与自组装过程，制备了2D/2D反钙钛矿/钙钛矿纳米片异质结构固态电解质。离子型或充电型二维层状异质结的构造能够很好的保护反钙钛矿材料的结构空气稳定性，并且为锂离子的传输提供运输通道，高介电纳米复合与离子‑偶极界面耦合增强效应能够更快地进行离子传导。
一种用于锂电池柔性固体电解质及其制备方法

[发明专利]反钙钛矿型固态电解质及合成方法、电池、车辆-CN201711479398.1有效
发明人：克劳迪乌·布库尔·博格丹;杨红新;马忠龙;王格日乐图;庞瑞君;谭宏亮 -专利权人：蜂巢能源科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明公开了反钙钛矿型固态电解质及合成方法、电池、车辆。根据本发明的实施例，所述反钙钛矿型固态电解质包括Li3OX，所述X为卤素元素，所述方法包括：将LiOH以及LiX放入球磨罐中进行球磨处理，以便获得所述反钙钛矿型固态电解质由此，可以简化反钙钛矿型固态电解质的合成过程，获得具有优良性能的反钙钛矿型固态电解质，且球磨处理不需要加热，进而可以降低能耗，降低反钙钛矿型固态电解质的生产成本。
反钙钛矿型固态电解质合成方法电池车辆

[发明专利]一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结-CN202110180402.4在审
发明人：谭海仁;吴金龙;肖科 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体的说是一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结；所述隧穿结包括有致密的n型或p型半导体材料、隧穿复合层和p型或n型的半导体材料，且n型和p型半导体材料均分别具有电子和空穴传输能力；所述隧穿复合层为基于透明导电金属氧化物纳米晶的钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池隧穿复合层；通过本发明的一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结，通过采用导电性较好的金属氧化物纳米晶作为钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池中的隧穿复合层，既提升了钙钛矿/钙钛矿叠层电池的短路电流密度，又解决了金属材料的扩散导致的电池不稳定的问题。
一种钙钛矿两端太阳能电池隧穿结

[发明专利]一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN202210686256.7在审
发明人：李美成;黄浩;瞿树杰;蓝智能;崔鹏;闫路遥;王欣欣;杜淑贤;张强;杨莹莹;纪军;刘本玉;刘家梁 -专利权人：华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法，所述太阳电池结构自下而上依次为：FTO基底、n型钙钛矿层、分子交联层、p型钙钛矿层、金属电极。所述制备方法中，采用热压处理诱导界面重结晶交联，制备钙钛矿同质结，以提高钙钛矿同质结的质量；同时，在钙钛矿同质结界面引入交联结构，钝化界面缺陷，减少光生载流子损失，从而提升无电荷传输层的钙钛矿同质结太阳电池的光电转换效率
一种基于同质界面交联钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿纳米线径向结的光电探测器及制备方法-CN202210774220.4在审
发明人：雷威;赵志伟;周建明 -专利权人：苏州奕赫光电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿纳米线径向结的光电探测器及制备方法，包括探测器衬底、底电极、钙钛矿核心纳米线、钙钛矿第一外延壳层、钙钛矿第二外延壳层、顶电极。所述钙钛矿核心纳米线为p型纳米线或者n型纳米线，所述钙钛矿第一外延壳层为本征层，第二外延壳层为n型层或者p型层；钙钛矿核心纳米线、第一外延壳层和第二外延壳层构成径向pin结或者nip结；所述底电极与顶电极层分别于钙钛矿核心纳米线和第二外延壳层构成欧姆接触本发明由纳米线阵列及其径向结增大了光电效应的有效作用面积，提高光电转换量子效率；纳米线径向具有准单晶结构，提高光生载流子输运能力，进而增大探测外量子效率。
一种基于钙钛矿纳米径向光电探测器制备方法

[实用新型]一种基于钙钛矿纳米线径向结的光电探测器-CN202221687119.7有效
发明人：雷威;赵志伟;周建明 -专利权人：苏州奕赫光电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于钙钛矿纳米线径向结的光电探测器，包括探测器衬底、底电极、钙钛矿核心纳米线、钙钛矿第一外延壳层、钙钛矿第二外延壳层、顶电极。所述钙钛矿核心纳米线为p型纳米线或者n型纳米线，所述钙钛矿第一外延壳层为本征层，第二外延壳层为n型层或者p型层；钙钛矿核心纳米线、第一外延壳层和第二外延壳层构成径向pin结或者nip结；所述底电极与顶电极层分别于钙钛矿核心纳米线和第二外延壳层构成欧姆接触本实用新型由纳米线阵列及其径向结增大了光电效应的有效作用面积，提高光电转换量子效率；纳米线径向具有准单晶结构，提高光生载流子输运能力，进而增大探测外量子效率。
一种基于钙钛矿纳米径向光电探测器

[发明专利]一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用-CN202310313418.7在审
发明人：刘家梁;李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;李新连;张赟;熊继光;伏丰义;夏渊 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用，该制备包括：采用第一溶质配制第一钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成N型钙钛矿层；所述第一溶质包括N型掺杂材料和钙钛矿前驱体材料，所述钙钛矿前驱体材料为PbI2、CsI、MAI、FAI和PbBr2中的一种或多种；采用第二溶质配制第二钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成P型钙钛矿层；所述第二溶质包括P型掺杂材料和所述钙钛矿前驱体材料；将所述N型钙钛矿层和所述P型钙钛矿层压合形成PN结，得到所述钙钛矿材料层。本发明通过“两步法”，掺杂分别形成P型和N型钙钛矿薄膜，然后层压法制备PN结，重掺杂的浓度高，利于在电池器件中应用。
一种 pn 结构钙钛矿材料制备方法应用

[发明专利]用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结及其构筑方法-CN202310632395.6在审
发明人：张龙振;贺宁芳;吴小超;李庆奎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
用于直接射线探测器钙钛矿异质结及其构筑方法

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202110271871.7在审
发明人：张喜林;李鉴华;刘宇瑄;张艺;刘志勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，分别利用电子传输层材料和空穴传输层材料对钙钛矿太阳能电池中的光吸收层进行掺杂，制备n型掺杂和P型掺杂的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层。主要包括以下几个方面：制备n型钙钛矿光吸收层；制备p型钙钛矿光吸收层；制备异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层。在同电子传输层接触部分的光吸收层中引入n型半导体材料TiO2掺杂，实现光吸收层中电子的快速提取；在同空穴传输层接触部分的光吸收层中引入p型有机半导体材料Spiro‑OMeTAD利用此方法实现钙钛矿太阳能电池性能的进一步提高。
一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管-CN202210637352.2在审
发明人：雷威;赵志伟;周建明 -专利权人：苏州奕赫光电子科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管，包括钙钛矿光子吸收体、第一掺杂金属层、第二掺杂金属层、第一电极层和第二电极层；所述钙钛矿光子吸收体两侧分别沉积第一掺杂金属层和第二掺杂金属层，所述第一掺杂金属层用于获得n型掺杂，第二掺杂金属层用于获得p型掺杂；第一掺杂金属层和第二掺杂金属层的金属离子渗透到钙钛矿光子吸收体，形成钙钛矿n型层和钙钛矿p型层；所述第一掺杂金属层和第二掺杂金属层两侧分别沉积第一电极层和第二电极层，从而构成钙钛矿同质结光电二极管。本发明提出的钙钛矿同质结的结区界面晶格匹配，界面缺陷少，可以提高光电二极管的探测量子效率，并且降低缺陷引起的散粒噪声。
一种掺杂钙钛矿光电二极管

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