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[发明专利]一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法-CN202210382860.0在审
发明人：尹以安;李佳霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、p型埋层、沟道层、插入层和势垒层，势垒层上设置有双异质结栅极、源极和漏极，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成该器件中双异质结栅极与势垒层接触能够耗尽沟道的二维电子气，使得器件阈值电压提高，且在器件想达到导通状态时，PNP型双异质结作为两个面对面的二极管，这两个二极管会消耗一定的压降，使得达到沟道层的电压减小，进而使得器件的阈值电压进一步提高，且PNP型双异质结能够防止电子从栅极进入沟道层，从而减小了栅极泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种耐压增强双异质结栅极 hemt 及其制备方法

[发明专利]一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法-CN202011493926.0在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热制备方法

[发明专利]一种纳米线p‑n异质结及其制备方法-CN201710979906.6在审
发明人：李宝军;杨先光;张垚;李宇超 -专利权人：暨南大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米线p‑n异质结的制备方法，属于异质结材料制备领域。本发明将p型量子点或n型量子点与导电聚合物和苯类有机溶剂混合，得到掺杂p型或n型量子点的混合溶液，对掺杂p型或n型量子点的混合溶液进行拉制，得到p型或n型纳米线，最后在光学显微镜下，将p型纳米线与n型纳米线进行微操控，得到交叉结构，即为纳米线p‑n异质结。本发明通过直接拉制技术和显微操控技术的结合实现纳米线p‑n异质结的快速制备，该方法无需复杂的工艺流程，克服了模板难以获取的难题，使得纳米线p‑n异质结的制备既经济又高效。
一种纳米异质结及其制备方法

[发明专利]一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380465.X在审
发明人：陈昌明;周国平;李正平;刘超;杨杰;任栋樑;徐小娜 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层、n型非晶硅前电场层、正面透明导电氧化物层、正面金属电极；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明所述异质结电池的p型非晶硅发射极层位于电池的背面，同时利用氧化铝的场效应钝化来钝化p型非晶硅发射极层，提升异质结电池的开路电压和转换效率。
一种氧化铝钝化背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法-CN202110759016.0有效
发明人：迟力峰;黄丽珍;王滋;薛娣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速
基于有机晶态异质结紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂的制备方法和应用-CN202210486978.8在审
发明人：王楷;王湖坤;邵秀丽;李可;陈郭强 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂，硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结由介观五氧化二铌的(001)衍射晶面、硫化镉锌的(002)衍射晶面构成。制备方法：在硫化镉锌的水热生长过程中投加介观五氧化二铌，经过二次水热得到硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂。硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂在可见光下催化氧化降解还原抗生素中的应用。硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂在可见光下催化氧化降解还原抗生素产氢中的应用。有益效果为：硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂光催化性能优越，且由于S型异质结的形成，使其具有更强的光吸收能力和更高的载流子分离效率。
硫化介观五氧化型异质结纤维光催化剂制备方法应用

[发明专利]钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂的制备方法和应用-CN202210486986.2在审
发明人：王楷;王湖坤;邵秀丽;李可;陈郭强 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂，钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结由硫铟锌的(200)衍射晶面、钽酸铋量子点的(102)衍射晶面构成。制备方法：在硫铟锌微球的溶剂热生长过程中投加钽酸铋量子点，经过二次溶剂热，得到钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中的应用。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中制氢的应用。有益效果为：钽酸铋/硫铟锌S型异质结光催化剂光催化性能优越，由于S型异质结的形成，使其具有更强的光吸收能力和更高的载流子分离效率。
钽酸铋量子修饰硫铟锌微球型异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法-CN201510394761.4在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。
一种基于衬底磷化铟异质结双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法-CN201710337539.X有效
发明人：马东阁;代岩峰;孙倩;陈江山;王小利 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成。所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结。本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层，解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题，使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点，简化了器件结构和工艺。
一种倒置发射有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种全有机自旋相关磁致电流调控器件及其制备方法-CN202010584251.4有效
发明人：马东阁;元培森;郭晓敏;乔现锋;代岩峰;孙倩;杨德志 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L41/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全有机自旋相关磁致电流调控器件及其制备方法，该器件依次包括透明基底、阳极、n/p型平面异质结、给体‑受体共混型体异质结、p/n型平面异质结、金属阴极。本发明采用全有机器件结构设计，在常温及小的外磁场作用下，平面异质结与给‑受体体异质结中的电荷转移态可分别形成明显的负和正的磁致电流，通过改变偏压与激发条件实现自旋相关的磁致电流调控。并且给‑受体体异质结设计增大了界面接触，提升光激发下电荷转移态的分离与复合，同时共混的结构不会阻碍自两侧平面异质结分离的电荷传输，在一定的光激发及低偏压下，器件中电荷转移态的分离与复合受磁场作用改变的幅值十分明显且不变
一种有机自旋相关致电调控器件及其制备方法

[发明专利]一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法-CN200610124505.4无效
发明人：方国家;程彦钊;李春 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法，该异质pn结二极管是由n型硅片上生长出的硅纳米线和硅纳米线间的缝隙中填充的p型导电有机物组成。该异质pn结二极管的制备方法是首先用无电金属沉积法在n型硅片上生长出硅纳米线，然后用甩胶方法先后将有机聚合物绝缘层和p型导电有机物填充入纳米线间的空隙形成异质pn结或用甩胶方法直接将p型导电有机物填充入纳米间的空隙线形成异质pn结，最后用溅射或热蒸发制作金属电极。这种新型的异质pn结二极管具有较低的正向开启电压和较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。
一种纳米导电有机物 pn 二极管及其制备方法

[发明专利]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN201710540483.8有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南纳昇电子科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)包括复合在基底(1)上表面的2，4，6‑三甲基三苯胺薄膜以及分散在所述2，4，6‑三甲基三苯胺薄膜内的有机无机杂化钙钛矿粉体(21)。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]异质结电池及异质结电池制备方法-CN202110765905.8在审
发明人：徐晓华;周肃;姚真真;张良;龚道仁;王文静;庄挺挺;杨龙;魏文文 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池，将N型衬底原片一面设计成绒面结构，另一面设计成光面结构，反射率增加，使光面的单位面积的缺陷态密度减小，使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层
异质结电池制备方法