“双极型集成电路”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1852605个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双极型集成电路设计中的版图/电路提取方法-CN03115447.6无效
发明人：林争辉;林涛;荣荧;范宏春 -专利权人：上海芯华微电子有限公司
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极型集成电路设计中版图/电路提取方法。由于双极型集成电路工艺制造上的复杂性和元件品种的多样性，导致双极型集成电路版图/电路提取工作技术上的特殊困难，而该项提取工作尤为对集成电路设计正确性进行验证的关键所在。本发明首先提出了双极型集成电路版图关系图和元件关系图，并建立了两者之间的映射关系和方法。以该关系和方法为基础，提出了双极型集成电路元件识别表。发明还提出了在元件识别表基础上确立了双极型集成电路版图/电路提取的步骤，并把这些步骤纳入计算机程序，形成了电路识别与提取的框图。本发明具有通用性，应用范围涵盖了所有的双极型集成电路和MOS集成电路；并具有周密性。
双极型集成电路设计中的版图电路提取方法

[发明专利]双极型集成电路设计的有效验证和电网络一致性比较方法-CN03115483.2无效
发明人：林争辉;林涛;荣荧;黄志强 -专利权人：上海芯华微电子有限公司
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种双极型集成电路设计的有效验证和电网络一致性比较方法，其中双极型集成电路比较验证方法包括逻辑级、电路级和版图级的三级实施方案；其中电网络一致性比较方法是提出了一种应用图论中多元图的方法，并结合双极型集成电路中电原理图特点的实施方法，使在所述的双极型集成电路比较验证方法中被提取电路与原电路的电网络一致性判别得以实现。由于双极型集成电路工艺制造上的复杂性和元件品种的多样性，导致设计中易出差错，利用比较验证方法和电网络一致性比较方法能保证集成电路设计的正确性。本发明的双极型集成电路设计中的比较验证方法和和与之有关的双极型集成电路电网络一致性比较方法具有严密性和通用性。
双极型集成电路设计有效验证网络一致性比较方法

[实用新型]一种双极型集成电路互联用辅助结构-CN201921192564.4有效
发明人：赵秀红;杨天保 -专利权人：深圳市红特威电子科技有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双极型集成电路互联用辅助结构，包括两个双极型集成电路板和两个安装座，所述安装座上固定安装有互联结构，两个所述双极型集成电路板通过互联结构相互连接，所述互联结构包括安装槽、焊接基板、密封盖板和多个焊接连接座
一种双极型集成电路联用辅助结构

[实用新型]多功能音乐教学演示器-CN200820020305.9无效
发明人：葛军;段彬;辛亚红;李霞 -专利权人：济宁市盲校
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G09B15/00 文献下载
摘要：它是由十二平均率的半音音阶山键盘的电阻R12至R1与555双极型集成电路的4脚和8脚连接，节奏演示器上设有两只V形槽，电容C1的一端连接555双极型集成电路的3脚，另一端连接扬声器，电容C2的一端连接555双极型集成电路的5脚，另一端连接电池一极上，金属导电棒的触头分别触及键盘和有声五线谱导线与节奏演示器的触点，分别发出有声音阶不同音阶声音和有声五线谱声音与节奏演示器演示不同节奏型的声音。
多功能音乐教学演示

[发明专利]双极型集成电路制造工艺-CN01112662.0无效
发明人：陈康民;陆晓敏;王炜;吕浩;王浩;张征;翁丽敏;樊芸;张一峰;张学文;李铭;张昱;朗宁;屠文莉 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2001-04-18 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：一种双极型集成电路制造方法，包括：硅基片制备，对通隔离，薄层外延，浅结基区，磷注入发射区；还描述了全平面工艺，TEOS/Si₃N₄/LTO三层结构，干-干-湿的刻孔工艺
双极型集成电路制造工艺

[发明专利]双极型集成电路互连结构及其制造方法-CN200710037616.6有效
发明人：刘北平 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型集成电路互连结构，至少包括下层材料，依次生长在下层材料上的隔离介质层，氮化硅，低温氧化物以及光刻胶，光刻胶中间设有接触孔；其中，氮化硅和低温氧化物的中间设有牺牲层。本发明还提供所述双极型集成电路互连结构的制造方法。
双极型集成电路互连结构及其制造方法

[发明专利]带有稳压管的双极型集成电路及其制造方法-CN97106766.X无效
发明人：王剑峰;须国忠;陈学良 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1997-12-08 - 公布日： 2000-04-26 - 主分类号： H01L21/8224 文献下载
摘要：一种带有稳定管的双极型集成电路的制造方法，其系与普通双极型集成电路的制造工艺相兼容，特点是采用二步注入法；一次形成双极型晶体管基区；另一次是用不同剂量形成稳压管的一极，并控制注入量和掺杂区深度以确定稳压管的稳定电压值，因此，本发明的电路包括一个半导体基片，该基片为第一导电型的衬底，表面上经外延生长第二导电型的外延层，该外延层经过隔离即构成双极型第二导电型晶体管的集电极或第一导型晶体管的基极，其特征在于，该外延层上某些区域经掺杂制造出一些第一导电型的区域
带有稳压双极型集成电路及其制造方法

[实用新型]一种用于双极型集成电路工艺线的设备-CN201320231784.X有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;杨忠武;陈轮兴 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于双极型集成电路工艺线的设备，所述的设备设有扩散高温炉、石英扩散管、排气口、进气口、均流石英装置；石英扩散管设置在扩散高温炉中，石英扩散管的前部设有进气口，进气口与均流石英装置相连，本实用新型也可以推广应用到其它如双极型分立器件埋层扩散，也可以应用在双极型工艺为主的BiCMOS集成电路生产线上。
一种用于双极型集成电路工艺设备

[发明专利]一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法-CN202111227963.1在审
发明人：何江;马朝柱;刘存生;潘振雨;杜星 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法，包括以下步骤：准备硅衬底片；调整B2H6流量，在硅衬底片上沉积BSG薄膜该方法快速退火激活硼杂质的热预算相对较低，可大幅压缩工艺监控时间至1h以内，提升了双极型集成电路隔离工艺的产能。
一种双极型集成电路隔离工艺掺杂测试方法

[发明专利]一种平面型双向触发二极管及其制备方法-CN201811508784.3在审
发明人：姜岩峰;于平平;王旭峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：所述平面型双向触发二极管的结构是自下而上包括：p型衬底和n型外延层；在n型外延层上掺杂两个处于同一水平位置的p阱，在两个p阱上分别掺杂一个n阱；本发明突破分立器件的设计思想，不再沿用垂直设计的思路，而是采用与双极型集成电路工艺兼容的方法，设计出一款平面型DIAC器件，将集成电路的整个p型衬底和上述平面型DIAC器件做成一体，改善了触发二极管的触发特性，应用于电路中使得电流的触发更为灵敏，整流效率得到提高，电源输出效率可达90％以上，且增强了热容量，使得其能够应用于集成电路中，且不存在易被烧坏的缺点。
平面型双向触发二极管衬底制备集成电路掺杂半导体技术领域双极型集成电路同一水平位置烧坏触发二极管触发特性电源输出分立器件工艺兼容整流效率热容量触发易被应用灵敏电路垂直

[发明专利]一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路-CN201910168453.8有效
发明人：尤路;魏海龙;陈蒙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。
一种面向备份系统双极型集成电路应用静电保护电路

[发明专利]一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法-CN201110031632.0有效
发明人：夏辉;熊爱华;梅海军;吴昌贵;林立桂;林善彪 -专利权人：福建福顺微电子有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）预刻蚀，以去除金属层表面氧化物及ARC层；2）刻蚀1/2~2/3厚度的铝介质层；3）刻蚀剩余1/3~1/2厚度的铝介质层
一种双极型集成电路制作过程中的刻蚀方法

[发明专利]一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法-CN201310158166.1有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;陈轮兴;杨忠武 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明实现了双极型集成电路埋层扩散技术优化，也可以推广应用到其它如双极型分立器件埋层扩散，也可以应用在双极型工艺为主的BiCMOS集成电路生产线上。
一种用于乳胶源埋层扩散专用设备方法

[发明专利]一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管-CN201310615925.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州贝克微电子有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管，形成一个导电型的外延层，包括与导电型相反的薄沟道有关的漏源区。沟道区形成该导电型薄的表面层，在漏源区的中间层表面形成高速导电接触面。
一种双极型集成电路中的高速场效应晶体管

[发明专利]一种集成电路芯片中单个三极管界面态缺陷的提取方法-CN202310609876.5在审
发明人：张茂林;陶仁贤;李腾飞;张乐君;闫养希;张东岩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片中单个三极管界面态缺陷的提取方法，包括以下步骤：步骤10，获取双极型集成电路芯片的裸芯片，刻蚀裸芯片的钝化层和氧化层并确定目标三极管；步骤20，通过微纳探针对目标三极管进行测试
一种集成电路芯片单个三极管界面缺陷提取方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条