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[发明专利]玻璃衬底上可动硅微机械结构集成化的制作方法-CN00119498.4无效
发明人：熊幸果;陆德仁;王渭源 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2000-07-21 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种单晶玻璃衬底上可动硅微机械结构集成化的制作方法，该方法通过硅-玻璃静电键合技术将单晶硅敏感结构制作在玻璃衬底上，在硅片键合面一侧对应可动结构底部预腐蚀浅坑实现可动结构的悬空，引入单晶硅深反应离子刻蚀技术进行微结构刻蚀成型，可以单晶硅为结构材料制作出从表面微机械到体微机械尺度厚度的高深宽比的平面可动微结构，适合于加速度传感器，陀螺，谐振器等各种平面可动微结构的制作。
玻璃衬底上可动硅微机结构集成化制作方法

[发明专利]一种基因芯片的膜转印检测法-CN01113297.3有效
发明人：赵建龙;景奉香;孙悦;张为;毛红菊;赵辉 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：一种基因芯片的膜转印检测法，在待检测样品的PCR扩增过程中，加入地高辛或生物素标记，然后将PCR产物与芯片进行杂交，杂交以后用抗体与地高辛或生物素标记结合，再用浸润了显色液的尼龙膜或硝酸纤维膜将杂交结果转印到膜上，使杂交信号强度大大提高，以提高检测灵敏度，可用一般的光学扫描仪检测杂交结果。
一种基因芯片膜转印检测

[发明专利]有机发光器件的保护膜及它的封装方法-CN01121100.8无效
发明人：王曦;冯涛;张福民;邹世昌;罗乐;王旭洪;黄卫东;李述汤 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所;香港城市大学
申请日： 2001-06-14 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光器件的保护膜及它的封装方法，保护膜是由无机绝缘层和有机绝缘层两层组成，封装方法是在有机发光器件的背面生长一层无机薄膜，然后在无机薄膜上涂覆一层有机材料，从而达到阻挡水汽、氧气的渗透，以达到提高器件使用寿命的目的。
有机发光器件保护膜封装方法

[发明专利]结核分支杆菌耐药性检测芯片及其制作方法和应用方法-CN01105981.8有效
发明人：赵建龙;景奉香;胡忠义;孙斌;孙悦;徐元森 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-04-13 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明涉及结核分支杆菌耐药性检测芯片及其制作方法和应用方法，主要是根据已知的结核分支杆菌耐利福平、异烟肼等的基因突变信息，设计相应的结核分支杆菌耐药性寡核苷酸探针，然后将合成的探针固定在经修饰的玻片上，从而构成结核分支杆菌耐药性检测芯片，利用设计的相应引物将结核分支杆菌DNA样品扩增并加入荧光标记处理以后，与芯片杂交，然后用芯片信号分析系统扫描芯片，并对杂交信号进行分析，获得有关结核分支杆菌的耐药性信息。
结核分支杆菌耐药性检测芯片及其制作方法应用方法

[发明专利]在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法-CN01113449.6无效
发明人：唐衍哲;王文辉;李铁;王跃林 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-06-15 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法，属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料，利用硅在各向异性腐蚀液中的性质，提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件，多模波导区为矩形波导，侧壁垂直且波导侧壁非常平整，多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。
绝缘材料制作干涉耦合器方法

[发明专利]以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料的制备方法-CN01126315.6无效
发明人：万青;章宁琳;林青;沈勤我;张苗;林成鲁 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种以Al₂O₃为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料的制备方法，属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成，顶层单晶硅，厚度100-2000nm，中间是Al₂O₃埋层，厚度为50-500nm，下层是硅衬底，其制备特征在于系利用超高真空电子束蒸发或化学气相沉积技术在硅衬底上制备具有较高热导率的Al₂O₃薄膜，并与氢、氦离子注入和硅片键合(智能剥离)工艺结合，制备以三氧化二铝(Al₂O₃)为绝缘埋层的SOI结构，该SOI衬底材料热传导性能和抗辐照性能优于传统以SiO₂为埋层的SOI，有利于减少器件的自加热效应，更加适合高温、大功率或辐照环境下的SOI电路的需要。
氧化铝绝缘层上硅结构衬底材料制备方法

[发明专利]一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法-CN01105783.1无效
发明人：孙晓玮;李小卫;程知群;王嘉宽;郝幼申;姚文澜 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-03-23 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法，属于微电子机械系统领域。每个单刀双掷开关中共有由三条共平面波导，一条作为信号输入端，另二条和信号输入端相连形成一种一分为二的分支结构。每个分支线上各有一个电容和一个外加电压端。分支线上两条平面波导各构成一个微机械开关(MEMS)，通过分支线上外加电压端交替施加电压实现单刀双掷开关的功能，从而实现隔离度高、插入损耗小而又体积小、成本低的目的。
一种射频微电子机械单刀开关及其制造方法

[发明专利]制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液-CN01112872.0无效
发明人：李爱珍;林春;郑燕兰;简贵胄;张永刚 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-05-11 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液不会破坏光刻胶掩膜，能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系III-V族锑化合物的台面腐蚀，腐蚀速率可控，且小于1μm/min，与器件工艺兼容。
制备锑化镓基半导体器件化学腐蚀

[发明专利]一种高分辨率单碱基突变检测的杂交方法及其应用-CN01105267.8有效
发明人：赵建龙;景奉香;孙悦;张为;徐元森 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-01-21 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：一种寡核苷酸杂交方法，探针长度相同，以玻璃等无机载体为固定载体。使用烷基季铵盐氯化四甲铵(TMACL)杂交体系，杂交液为按终浓度0.01M pH6.8磷酸钠、1mM pH7.6 EDTA、0.5％SDS、100μg/ml鱼精DNA、5×Denhardt溶液，0.5-1.5M TMACL，洗涤液配方按终浓度0.2％SDS，50mMpH8.0 Tris-HCl，TMACL浓度与杂交液中相同，杂交温度低于Ti值5-10℃，洗涤温度低于杂交温度5-10℃。本发明提供的杂交方法适用于相同长度，不同G+C或A+T含量的寡核苷酸芯片，具有芯片设计简单，单碱基分辨清晰的优点。
一种高分辨率碱基突变检测杂交方法及其应用

[发明专利]锂离子电池负极用的碳基合金复合电极材料的制备方法-CN01113060.1无效
发明人：杨军;刘宇;解晶莹;陈健 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-06-01 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池负极用的碳基合金复合电极材料的制备方法，属于锂电池领域。特征是负极材料是以碳类材料为载体，掺入锡类或锡与贮锂合金材料，掺入量为10-50wt％它均匀分散和镶嵌在载体碳材料微观表面或内部，制备方法是以多碳链结构的锡类有机化合物为前驱物，通过固相加热方法，本发明具有廉价和种类丰富特点，适用于工业化大生产。
锂离子电池负极合金复合电极材料制备方法

[发明专利]一种镜面全反射型弯曲波导器件结构及制作方法-CN01105879.X无效
发明人：唐衍哲;王文辉;李铁;王跃林 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-04-06 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种镜面全反射型弯曲波导器件结构及制作方法，特征在于以绝缘层上的硅为基材料，利用硅的各向异性腐蚀特性，通过氧化、光刻、腐蚀等微机械加工技术，制作出位置精确、镜面平整度高且与波导平面绝对垂直的全反射镜，并和用绝缘层硅材料制作出的单模脊形波导一起构成大角度、小尺寸、损耗低的弯曲波导。将此结构应用于无源光器件(如光耦合器、阵列波导光栅等等)中以实现结构紧凑、集成度高、性能好、工艺简单、可以批量生产的光通信器件。
一种全反射弯曲波导器件结构制作方法

[发明专利]曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法-CN01126836.0有效
发明人：李昕欣;董健;王跃林 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2001-09-21 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G01P15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法，属于硅微机械传感器技术领域。其结构特征在于悬臂梁的过载保护是采用位于悬臂梁两侧的二个曲面，该曲面是按悬臂梁的挠曲函数设计的，整个硅微加速度传感器为单片硅的整体式结构，无需另外封接过载保护盖板。本传感器在制作方面的特征是利用N掺杂(100)硅片微机械加工技术，用深反应离子刻蚀加工横向悬臂梁的同时，在其二侧加工出与挠曲函数表达的梁挠曲相同的过载保护曲面。本发明特点是结构简单、构思巧妙，传感器体积小，制作方便，可适合高量程(1万-10万g)的加速度传感器，具有广阔的应用前景。
曲面贴合过载保护加速度传感器制造方法

[发明专利]深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法-CN00119595.6无效
发明人：王东平;王文辉;李铁;杨艺榕;王跃林 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所;浙江大学
申请日： 2000-08-11 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题，采用牺牲层固定可动结构，使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保持静止不释放状态以保护可动结构的完整性，而采用后续的无损去牺牲层方法释放可动结构并最终完成器件的制作，提高可动器件制作中的成品率。
反应离子刻蚀技术中可动结构牺牲保护方法

[发明专利]一种用于微机械器件制作玻璃/硅键合装置及其使用方法-CN00116305.1无效
发明人：熊斌;车录锋;王跃林 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2000-06-02 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： C03C27/00 文献下载
摘要：一种用于微机械器件制作的玻璃/硅键合装置，主要由探针电极工作台、显微镜、CCD及监视器组件，硅片加热工作台及玻璃片定位工作台四部分组成，实施在玻璃/硅片受热膨胀变形均匀稳定后进行对准并同时键合，使键合对准精度达到1微米的要求，提高了键合器件的精度和性能。
一种用于微机器件制作玻璃硅键合装置及其使用方法

[发明专利]微机械热电堆红外探测器的制造方法-CN00116388.4无效
发明人：熊斌;徐峥谊;王跃林;王渭源;戈肖鸿 -专利权人： 中国科学院上海冶金研究所
申请日： 2000-06-07 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：一种微机械热电堆红外探测器的制造方法，最为关键的工艺是采用正面光刻技术，制造出周围用空气层减小热耗散的悬臂结构，且应用绝缘体上单晶硅材料，不仅简化了微机械热电堆红外探测器的制造工艺，提高了热电转换效率，而且也使制造出来的探测器具有较高的灵敏度。
微机热电红外探测器制造方法

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