“刘存生”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果89个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种替代内燃机车撒砂装置的装置及方法-CN201810509838.1有效
发明人：罗银生;王文键;陈德君;刘存生 -专利权人：唐山百川智能机器股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B61C15/08 文献下载
摘要：本发明涉及轨道交通技术领域，尤其涉及一种替代内燃机车撒砂装置的装置及方法。包括通过高温和/或高压气流对轨道与车轮连接处进行喷射的内燃机车增粘组件，所述内燃机车增粘组件设置在转向架上。这样，通过向轮轨接触点及近前方区域轨道上喷射高温压力烟气，使轮轨接触面迅速得到干燥和清洁，从而使轮轨摩擦力恢复到干态水平，达到避免车轮空转打滑的目的。相对于现有技术而言具有的优点是：对轨道和车轮无损伤；气体不会阻断车轮与轨道的电气接触，保证机车运行稳定性；省去了备砂、上砂的人力及设备。
一种替代内燃机车装置方法

[发明专利]一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法-CN202310380741.6在审
发明人：陈晓宇;薛东风;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法，涉及硅微电子领域。将输入/输出MOS和选择管的栅介质层由SiO2单栅介质层调整为HTO/SiO2复合栅介质层，HTO/SiO2复合栅介质层可动电荷和固定电荷比SiO2单栅介质层少，输入/输出MOS和选择管显示出了更好的抗总剂量辐射特性。HTO/SiO2复合栅介质层中HTO层和SiO2层缺陷线错位排列，避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路，可减少输入/输出MOS和选择管的早期失效，提高栅氧的可靠性。在多晶层淀积前对栅介质层增加的高温氮化退火，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，可以进一步提高栅氧的可靠性，并能减少阈值漂移量。
一种可靠辐照 sonos 存储器制备方法

[发明专利]一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法-CN202310287791.X在审
发明人：宋坤;王英民;曹磊;刘存生;陈宝忠;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构中由于寄生栅下方介质厚度的增加，寄生栅电容显著降低，提高逻辑单元的工作速度，对抗辐射深亚微米集成电路性能的提升具有重要意义。
一种高速辐射加固微米 soi 器件结构方法

[发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法-CN202110663157.2有效
发明人：宋坤;王英民;孙有民;王小荷;曹磊;陈宝忠;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
一种辐射加固 ldmos 晶体管制备方法

[发明专利]一种分体互联组合式智能家居开关-CN202110440108.2有效
发明人：宋道远;宋凌曦;刘存生;李瑞明 -专利权人：深圳市凌盛电子有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种分体互联组合式智能家居开关，涉及智能家居控制技术领域，包括开关盒主体和控制主板，开关盒主体内部设有控制主板，开关盒主体背面中心位置粘接设有连接座，连接座远离开关盒主体的一侧设有86线盒，86线盒背面开设有圆形连接槽，开关盒主体通过连接座与86线盒卡合，开关盒主体正面中心位置设有主控显示屏，开关盒主体正面圆周阵列开设有开关槽，开关槽内部均设有分控开关，开关盒主体进行多个分控开关的设置，实现分体独立控制不同空间内的智能家居，开关盒主体通过86线盒进行直接与墙面安装，可通过连接座与现有墙面线盒进行固定，同时可卸下连接座进行墙面固定，避免墙面过度损坏，使开关盒主体的适配性更高，便于实际使用。
一种分体联组合式智能家居开关

[发明专利]一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法-CN202011376406.1有效
发明人：王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。
一种粒子高压 mos 场效应晶体管辐射加固结构制备方法

[发明专利]一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构-CN202110057448.7有效
发明人：杨丽侠;薛智民;刘存生;曹磊;邢鸿雁;王晨杰 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。
一种场效应晶体管接触电阻监控结构

[发明专利]高精电路板烧录移机高稳定性一体化机组-CN202110939463.4有效
发明人：宋道远;刘存生;宋凌曦 -专利权人：深圳市凌盛电子有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明提供高精电路板烧录移机高稳定性一体化机组，涉及电路板加工技术领域，包括承重底板，基础传送装置，移动吸取装置和第一烧录装置，承重底板顶面设有放置圆台，放置圆台顶面设有芯片箱，芯片箱一侧设有送料传送装置，送料传送装置一侧设有第一分料装置，第一分料装置一侧设有第一进料装置和第一中继装置，第一进料装置一侧设有第一烧录装置，第一中继装置一侧设有第二分料装置，第二分料装置侧面分别设有第二进料装置和第二中继装置，第二进料装置一侧设有第二烧录装置，第二中继装置一侧设有第三烧录装置，分料装置根据烧录装置的工作情况选择芯片的运输路径进行烧录，使芯片烧录传输自动一体化，节约时间，提高芯片烧录完成度和准确率。
电路板烧录移机高稳定性一体化机组

[发明专利]一种提高外延后显微镜镜检缺陷识别率的方法-CN202211635208.1在审
发明人：李钊;任永宁;葛洪磊;刘如征;刘存生;潘振雨 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高外延后显微镜镜检缺陷识别率的方法，调整显微镜的视场光阑至目镜内视域同样大小，调整显微镜的光强；根据不同检查情况调整显微镜的孔径光阑大小；采用调整完成的显微镜，检验产品表面，完成缺陷识别；本申请在调节显微镜视场光阑时可以改变视场大小但对分辨率并无影响，当缩小该光阑时，可以增加映像衬度，将视场光阑调节到与目镜内观察的视野大小相同的程度可以提高映像衬度；本申请能够使得显微镜的视野亮度、成像的反差、对比度及分辨率得到提高。
一种提高外延显微镜缺陷识别率方法

[发明专利]一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法-CN202110663161.9有效
发明人：王一义;曾坤;郝军;代鹏昊;李林;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法，具体步骤如下，在硅基表面沟槽中填充双层介质，硅基表面由上到下形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层上进行第一次光刻胶涂胶；对光刻胶和第一介质层进行刻蚀，刻蚀后硅基表面的光刻胶刻蚀完全，硅基表面的沟槽顶部剩余一定高度的第一介质层；经上述处理后，在硅基表面的第二介质层上进行第二次光刻胶涂胶；通过调整光刻胶与第一介质和第二介质的选择比，将第二介质层、第二次涂覆的光刻胶、以及剩余的第一介质层同时刻蚀完全，使用本发明的平坦化回刻方法可显著提高介质刻蚀后硅基上沟槽表面的平整度，提高了加工质量，减少后续工艺缺陷产生。
一种沟槽填充介质平坦化回刻方法

[发明专利]一种星用抗辐射沟槽型MOS管的加固结构和制备方法-CN202011380487.2有效
发明人：王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
一种星用抗辐射沟槽 mos 加固结构制备方法

[发明专利]一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法-CN202110572621.7有效
发明人：何江;王成熙;刘存生;刘如征;李博 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Endura5500型直流磁控溅射台的铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。
一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积处理方法

[发明专利]一种PIP电容的制备方法-CN202211348610.1在审
发明人：陈晓宇;薛东风;赵杰;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSix薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO2。通过注入减少下极板WSix薄膜应力，可以提高PIP电容的可靠性；注入能量的选择原则是使得注入高斯分布的深度(Rp+3ΔRp)达到整个WSix薄膜厚度的80％；经过注入后WSix薄膜的应力减少了一个数量级，选择磷元素消除WSix薄膜应力，因为N型多晶注入掺杂经常选用磷元素。同时，磷注入也能起到增加多晶掺杂浓度，减少了多晶的耗尽。
一种 pip 电容制备方法

[发明专利]一种金属互连层腐蚀方法-CN202211192126.4在审
发明人：张万垚;杨尚洁;折宇;李林;邵璐;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连层腐蚀方法，属于半导体模拟集成电路领域，首先在已制备好的铬硅系电阻硅片上使用物理气相淀积工艺制备金属铝硅铜膜质；使用光刻工艺完成金属层图形的制备；使用烘箱进行坚膜，保证光刻胶形貌；使用打底膜工艺去除光刻显影后的残留；使用铝硅铜腐蚀液对金属层进行腐蚀；进行干法去胶，去除表层的光刻胶；利用扫硅渣液去除金属腐蚀后留下的硅渣；进行湿法有机清洗，对残留光刻胶及颗粒进一步去除；使用双氧水对薄膜电阻区TiW阻挡层进行腐蚀；薄膜电阻金属互连层制备完成。本发明工艺简单，可操作性强，应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
一种金属互连腐蚀方法

[发明专利]一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法-CN202210893868.3在审
发明人：卓青青;赵杰;陈宝忠;刘存生;王成熙;王清波;温富刚 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法，通过增加一次特殊的光刻、刻蚀工艺，选择性的去除除前面工序留下的包含缺陷和电荷的氧化层，从而消除了表面氧化层中的带电电荷引起的稳压二极管击穿电压随时间、温度变化的因素；低温重新生长一层氧化层，消除前道工序对器件表面氧化层的影响，实现对稳压二极管p‑n结表面介质层结构的优化，提高稳压二极管击穿电压的稳定性；本申请的稳压二极管在持续加反偏电流的老炼过程中，器件的击穿电压几乎不变；本申请与现有技术中的双极工艺兼容，对原有双极器件的性能无明显影响，但能够显著提升稳压二极管击穿电压的稳定性。
一种通过优化表面介质结构制备性能稳压二极管方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 89 条