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[发明专利]一种集成电路芯片中单个三极管界面态缺陷的提取方法-CN202310609876.5在审
发明人：张茂林;陶仁贤;李腾飞;张乐君;闫养希;张东岩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片中单个三极管界面态缺陷的提取方法，包括以下步骤：步骤10，获取双极型集成电路芯片的裸芯片，刻蚀裸芯片的钝化层和氧化层并确定目标三极管；步骤20，通过微纳探针对目标三极管进行测试，获得电容‑电压曲线和开启电压Vt；步骤30，以开启电压Vt为起始测试直流偏置电压以及多个不同的测试直流偏置电压测试目标三极管的电容‑频率曲线和电阻‑频率曲线，并确定半导体电容值Cs；步骤40，确定Rpf的值，并确定Rpf曲线；步骤50，对Rpf曲线进行非线性拟合，计算界面态陷阱时常数τit和界面态陷阱浓度Dit，并计算界面态陷阱能级Eit。本发明提高了测试效率，降低了测试的成本，测试精度高，提取的界面陷阱信息全面。
一种集成电路芯片单个三极管界面缺陷提取方法

[发明专利]一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN202111315942.5有效
发明人： 闫养希;覃文杰;李智敏;张东岩;张茂林;靳立;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，该无铅高储能密度陶瓷材料化学式为：(1‑x)[(1‑y)BaTiO3‑yBi(M′M″)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3，其中，0.1≤x≤0.5，0.03≤y≤0.4，M′为Zn、Mg、Li或Ni，M″为Hf、Ta、Nb或Ti。本发明的无铅高储能密度陶瓷材料，通过将具有很大饱和极化强度的BNT作为第三组元与弛豫铁电体BaTiO3‑Bi(M′M″)O3固溶，得到BT‑BM′M″‑BNT体系，本发明的无铅高储能密度陶瓷材料在显著提高了其饱和极化强度下仍保持了极低的剩余极化强度，并能在极低场强下取得极大的储能密度。
一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电陶瓷、雾化片及制备方法-CN202110323683.4有效
发明人：李智敏;罗丰;闫养希;张东岩;张茂林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明提供的一种无铅压电陶瓷、雾化片及制备方法，通过痕量Mn离子取代Fe离子，能够显著提高材料的三方畸变，降低材料的对称性，通过提高压电性能的本征贡献，进而显著提高材料的宏观压电性能。因此制备出的用于雾化片的无铅压电陶瓷可以有效避免PZT压电陶瓷材料在生产、服役和废弃过程中带来的铅污染问题，避免了对人类和环境造成的危害；由于BF‑BT高的居里温度，制成的雾化片具有较好的抗干烧能力，同时具有很好的抗老化特性，并且不存在水解问题，可以很好的在水基溶液中工作，具有相界宽、性能稳定的特点，有利于保证大规模生产的产品一致性，提高良品率降低成本。相较于KNN陶瓷制备的雾化片具有明显的优势。
一种压电陶瓷雾化制备方法

[发明专利]一种表面改性富锂锰正极材料的制备方法-CN201910757900.3有效
发明人：李智敏;张茂林;陈燕;张东岩;闫养希;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性富锂锰正极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：制备KMnO4紫色溶液，并添加Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，形成紫色混合液；对紫色混合液进行离心、冲洗和真空干燥，得前驱体粉料；对前驱体粉料进行热处理和后处理，得到表面改性富锂锰正极材料。本发明方法在不改变富锂锰正极材料本征性能的基础上，在Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料的表面生成了尖晶石相，获得了放电比容量大于290mAh/g的表面改性Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其首次库伦效率高达85％以上。
一种表面改性富锂锰正极材料制备方法

[发明专利]一种高温PIN-PHT压电陶瓷及其制备方法-CN201911101010.3有效
发明人： 闫养希;李智敏;侯鹅;张茂林;张东岩;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温PIN‑PHT压电陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域；本发明采用传统的固相烧结法制备出了化学通式xPb(In0.5Nb0.5)O3‑(1‑x)Pb(Hf1‑yTiy)O3，其中0.07≤x≤0.3，0.53≤y≤0.6的压电陶瓷。本发明通过将具有较小容差因子的铁电体PIN与电学性能较好的PHT固溶，构成三元PIN‑PHT压电陶瓷；其在保持较高居里温度的情况下仍然具有良好的压电性能；解决了现有技术中，压电性能与居里温度不能兼得的问题。
一种高温 pin pht 压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高比容量富锂锰正极材料的制备方法-CN201711078593.3有效
发明人：李智敏;李高锋;宁涛;张茂林;张东岩;闫养希;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比容量富锂锰正极材料的制备方法，具体为：步骤1、将硝酸锂、乙酸镍和乙酸锰依次溶于乙醇中，磁力搅拌至形成绿色透明溶液；再向绿色透明溶液中添加聚乙二醇，于水浴中加热并搅拌，直至形成均匀粘稠状绿色液体；步骤2、将经步骤1得到的绿色粘稠液体倒入坩埚中发生燃烧反应，然后冷却至室温，之后经研磨、过筛得到黑色粉料；步骤3、将经步骤2得到的黑色粉料先经低温预烧后高温煅烧，冷却后得到粉料，再将粉料依次进行研磨、过筛，得到高比容量的富锂锰正极材料。利用本发明的制备方法能获得放电比容量大于280mAh/g的Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其库伦效率高达95％。
一种容量富锂锰正极材料制备方法

[发明专利]一种高电压锂离子电池正极材料及其制备方法-CN202010070285.1在审
发明人：张东岩;李智敏;胡慧聪;张茂林;闫养希;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压锂离子电池正极材料及其制备方法；该正极材料包括：掺铝钴酸锂LiCoxAl1‑xO2和包覆在掺铝钴酸锂表面的富锂锰yLi2MnO3·(1‑y)LiMO2；其中M为Mn、Ni、Co中的一种或多种；0.95≤x≤0.99，0.25≤y≤0.75。本发明的Li2MnO3在高压下可以稳定LiMO2结构作为稳定剂，而LiMO2可以有效抑制电压衰减并且可以激活Li2MnO3电化学活性作为活化剂，Li2MnO3与LiMO2间的协同作用使得整个正极材料具有高的可逆能力；同时可避免传统无机化合物包覆存在界面阻抗高的问题。
一种电压锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结制备铪钛酸铅-铌镍酸铅压电陶瓷的方法-CN201910757888.6在审
发明人：李智敏;闫养希;夏彧顺;张东岩;张茂林;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结制备铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷的方法，该方法包括以下步骤：预制前驱体NiNb₂O₆粉料，预合成0.51Pb(Ti_0.7Hf_0.3)O₃‑0.49Pb(Ni_1/3Nb_1/3)O₃粉料；CuO粉体、Li₂CO₃粉体、Bi₂O₃粉体添加剂的加入，并制备胚体；胚体的排胶和烧结处理；抛光、被银和极化处理，得铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷。通过添加剂与制备工艺的合理匹配，在烧结温度不大于1000℃的情况下，制备出了压电常数大于800pC/N的PHT‑PNN系压电陶瓷，从而使多层压电器件能够与低熔点的Ag电极共烧，提升压电性能的同时，大幅度降低了多层压电器件的生产成本。
压电陶瓷制备多层压电器件铌镍酸铅粉料粉体胚体酸铅铪钛粉体添加剂低温烧结极化处理烧结处理压电常数压电性能制备工艺烧结低熔点前驱体预合成电极抛光被银共烧排胶预制添加剂匹配生产成本

[发明专利]一种枝状CoFeCu三元合金的制备方法-CN201810960651.3有效
发明人：王媛;严珂;李智敏;黄云霞;闫养希 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种枝状CoFeCu三元合金的制备方法，具体包括如下步骤：分别称取CoSO₄·7H₂O、CuSO₄·5H₂O及Fe(NO₃)₃·9H₂O溶于去离子水中在室温下搅拌至完全溶解，得溶液A；将NH₄F加入到溶液A中，搅拌至其完全溶解，得溶液B；将Na₂C₆H₅O₇·7H₂O加入到溶液B中，搅拌均匀；将所得溶液以泡沫镍为基底，在室温下以‑1.1V vs Ag/AgCl电压沉积；将经沉积后的泡沫镍用无水乙醇和去离子水分别清洗；将得到的泡沫镍在真空干燥箱进行干燥，即得枝状的CoFeCu三元合金。利用本发明提供的方法制得的CoFeCu三元合金具有优异的析氧催化性能。
三元合金泡沫镍枝状完全溶解沉积制备真空干燥箱催化性能去离子水无水乙醇称取基底水中析氧离子清洗

[发明专利]一种PHT-PNN压电陶瓷材料的制备方法-CN201710416675.8有效
发明人：李智敏;刘治宏;闫养希;张东岩;张茂林;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开的一种PHT‑PNN压电陶瓷材料的制备方法：将碱式碳酸镍粉体和氧化铌粉体混合后球磨再经烘干和煅烧，得到铌酸镍前驱体粉料；分别称取氧化铅粉体、二氧化钛粉体、氧化铪粉体及铌酸镍粉体，将所有物料混合后进行球磨处理，得到基体混合粉料，将基体混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却，得到铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体；将铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体与氟化锂粉体混合后进行球磨，再经烘干得到预合成干粉料；将PVA溶液添加到预合成干粉料进行造粒，将得到的团粒制成坯体；对坯体进行排胶、随炉冷却及高温烧结得到PHT‑PNN压电陶瓷材料。本发明的制备方法能获得高压电性能氟化锂掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷材料。
一种 pht pnn 压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法-CN201710421613.6有效
发明人：李智敏;孙鹏;宁涛;张茂林;闫养希;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明公开的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，具体为：步骤1、利用RuO₂和银包铜粉体制备出导电相粉末；步骤2、利用ZnO、B₂O₃、SiO₂、PbO以及Bi₂O₃制备出改性ZnBSi玻璃相粉末；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机载体相；步骤4、将经步骤1得到的导电相粉末、经步骤2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步骤3得到的有机载体相混合均匀，得到银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，解决了现有厚膜电阻浆料制作成本过高，不利于大规模生产的问题。
厚膜电阻浆料改性制备氧化钌银包铜有机载体玻璃相导电相丁基卡必醇纤维素银包铜粉蓖麻油松油醇制作

[发明专利]氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法-CN201610161429.8有效
发明人： 闫养希;李智敏;黄云霞;张茂林;孙鹏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开的氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法，具体为：分别称取CaCO₃粉体、La₂O₃粉体、TiO₂粉体、SnO₂粉体，及CeO₂粉体；将上述所有粉体加入球磨罐中球磨，得到混合粉料；将混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却处理，得到预制混合粉料；将预制混合粉料依次进行研磨、球磨及烘干处理，得到预制混合干粉料；将配制的PVA溶液加入预制混合干粉料中进行造粒；将造好的粉粒过筛，剔除大粉粒；最后将过滤后得到的粉粒压制成胚体；对胚体依次进行排胶、自然冷却处理及煅烧处理，得到氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷。本发明钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法实现了在Q×f值不大幅下降的前提下进一步了提高介电常数。
氧化掺杂钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种锂铝共掺杂铪钛酸铅-铌镍酸铅压电陶瓷的制备方法-CN201811231239.4在审
发明人：李智敏;闫养希;刘治宏;张东岩;张茂林;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂铝共掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷的制备方法，具体包括如下步骤：配制预制前驱体铌酸镍粉料；再配制基体材料，再称取Al₂O₃粉体和Li₂CO₃粉体和基体材料一起加入球磨罐中进行球磨处理，得到混合粉料；然后将混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却处理，得到预合成粉料；将得到的预合成粉料依次进行研磨、球磨及烘干处理，得到预制混合干粉料，再加入配制的PVA溶液进行造粒，然后将造好的粉粒过筛，最后将过滤后得到的粉粒压制成胚体；对得到胚体依次进行排胶、自然冷却处理及煅烧处理；将煅烧得到的陶瓷片进行抛光、被银处理；将得到的烧银后的陶瓷片进行极化处理。
球磨煅烧配制混合粉料基体材料压电陶瓷铌镍酸铅共掺杂陶瓷片预合成粉粒粉料粉体胚体酸铅铪钛锂铝制备预制烘干处理混合干粉极化处理冷却处理研磨抛光前驱体烘干被银称取过筛镍粉排胶烧银造粒铌酸过滤压制

[发明专利]一种高电催化活性三维曲面花状氢氧化钴的制备方法-CN201810962666.3在审
发明人：王媛;严珂;李智敏;黄云霞;闫养希 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电催化活性三维曲面花状氢氧化钴的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，将1mmol～1mol CoSO₄·7H₂O作为Co源溶于去离子水中，完全溶解后，得溶液A；步骤2，向步骤1所得的溶液A中加入0.5mmol～2mol水合肼N₂H₄·H₂O，在室温下搅拌1～10h，静置离心，用去离子水离心洗涤3～6次，干燥，即得。本发明克服了传统制备方法需要高温、加热或需要模板剂的工艺要求，大大降低了制备成本和对设备的要求，容易实现量产。
制备高电催化活性氢氧化钴三维曲面花状工艺要求离心洗涤去离子水完全溶解对设备模板剂水合肼量产水中加热离子

[发明专利]量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法-CN201610585452.X有效
发明人：张茂林;李智敏;李金霖;闫养希;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开的量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法将乙基纤维素、聚乙烯醇及无水乙醇混合得到混合物；将TiO2(P25)粉末与混合物球磨混合得到TiO2浆料；将TiO2浆料通过丝网印刷的方式印刷在FTO导电玻璃基体上，用红外烘干后置于箱式电阻炉中，于空气气氛下进行热处理得到TiO2光阳极薄膜；将冷却处理后的钛酸四丁酯与无水乙醇混合均匀，得到钛酸四丁酯的无水乙醇溶液；将钛酸四丁酯的无水乙醇溶液旋涂于TiO2光阳极薄膜上，得到待处理薄膜；将待处理薄膜经红外烘干后于气氛炉中进行热处理，得到经过修复的TiO2光阳极薄膜。本发明的修复方法能修复TiO2材料表面和界面缺陷。
量子点敏化太阳能电池 tio sub 阳极缺陷修复方法

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