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[发明专利]晶片边缘刻蚀设备及方法-CN200410047417.X无效
发明人：崔昶源;金太龙;金宗范;徐廷宇;边昌柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风
晶片边缘刻蚀设备方法

[发明专利]包括互连器的半导体封装-CN201710569111.8有效
发明人：郑然丞;朴津佑;洪周妧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：包括互连器的半导体封装。可提供一种半导体封装和/或制造半导体封装的方法。该半导体封装可包括封装基板。该半导体封装可包括通过第一互连器联接至封装基板的第一半导体晶片。该半导体封装可包括通过第二互连器联接至第一半导体晶片的第二半导体晶片。第二半导体晶片可联接至封装基板。
包括互连半导体封装

[发明专利]半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法以及所用的层压保护片和半导体晶片的加工方法-CN03820410.X有效
发明人：妹尾秀男;永元公市;堀米克彦;大桥仁 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后，在搬运等情况下，能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外，本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。
半导体晶片保护结构方法以及所用层压加工

[发明专利]半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法-CN201580015094.2有效
发明人：冈祥文;内山具朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法，该半导体晶片加工用胶带(10)贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，其中，在基材膜(1)上具有粘合剂层(3)，该粘合剂层(3)的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的25％～90％，且所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带(10)整体的厚度的25％以下。
半导体晶片工用胶带加工方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201010606570.7无效
发明人：简俊贤;刘汉诚;张香鈜;傅焕钧;郭子荧;蔡文力 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包括一半导体晶片、多个穿硅导孔以及一阻裂沟槽。半导体晶片具有一第一表面以及相对于第一表面的一第二表面。穿硅导孔埋入半导体晶片，并且连接第一表面以及第二表面。阻裂沟槽位于半导体晶片的第二表面的外围，且阻裂沟槽的深度小于或等于半导体晶片的厚度。所述半导体制作工艺首先提供一半导体晶片，其具有多个穿硅导孔。每一穿硅导孔的一第一端连接半导体晶片的第一表面。接着，在背对第一表面的半导体晶片的一背侧形成前述阻裂沟槽。然后，由背侧来薄化半导体晶片，以暴露出每一穿硅导孔的一第二端。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]缺陷检查方法-CN201210530492.6有效
发明人：土屋范晃 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。本发明涉及的缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于半导体晶片（1）上的既定的器件芯片（2）形成与由该半导体晶片（1）生成的器件芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片（1）的缺陷检查，将标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。
缺陷检查方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及晶片粘合结构体-CN201880040660.9在审
发明人：明田正俊;富士和则 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括：准备半导体晶片源的工序，该半导体晶片源包括一方侧的第一主面、另一方侧的第二主面、以及连接上述第一主面及上述第二主面的侧壁；元件形成工序，在上述半导体晶片源的上述第一主面设定多个元件形成区域，并在上述多个元件形成区域分别制作半导体元件；以及晶片源分离工序，在上述元件形成工序之后，通过从上述半导体晶片源的厚度方向中途部起沿着与上述第一主面平行的水平方向切断上述半导体晶片源，从而将上述半导体晶片源分离为元件形成晶片及元件未形成晶片
半导体主面元件形成工序元件形成区域晶片半导体元件半导体装置分离工序元件形成主面平行中途部侧壁制作制造

[发明专利]一种半导体晶片清洗装置-CN202310655093.0在审
发明人：苏学龙;王斌;陈杰 -专利权人：海珀（滁州）材料科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片清洗装置，包括底座，所述底座上固定有机架，且机架的前方上下两端分别开设有多组清洗腔和凹槽，所述机架的顶部固定有龙门架，且龙门架的下方设置有安装板，所述龙门架的顶部设置有驱动组件一该半导体晶片清洗装置设置有驱动组件一和安装板，使用时，可通过驱动组件一依次将置物盘以及晶片移动至机架上方开设的清洗腔A、清洗腔B以及清洗腔C中清洗，使用时无需多次更换不同溶剂，使用更加方便，并且清洗后对于溶剂的回收，不同溶剂之间不会交叉污染，通过对晶片的自动转移，无需人工参与，有助于提高清洗效率，并且在清洗过程中，安装板会对清洗腔顶部进行封堵，可避免溶剂飞溅对工作人员造成伤害。
一种半导体晶片清洗装置

[发明专利]具有直通芯片连接的前端处理晶片-CN200780047912.2有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人：丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：一种方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及对装置支承半导体晶片进行后端处理，以便在导电过孔和金属化层之间建立电连接。一种替换的方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及处理装置支承半导体晶片，以便在导电过孔和传导半导体层之间建立电连接。
具有直通芯片连接前端处理晶片

[发明专利]一种温差发电器件用slice的制作方法及温差发电器件用slice-CN202211484887.7在审
发明人：杨梅;阮炜;吴永庆 -专利权人：浙江先导热电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种温差发电器件用slice的制作方法及温差发电器件用slice，一种温差发电器件用slice的制作方法，包括以下步骤：S1，对高温发电晶棒进行切割，切割成半导体晶片；S2，对半导体晶片的双面分别进行喷砂处理；S3，对半导体晶片的双面分别进行喷镍处理；S4，对半导体晶片表面清洗后进行电镀处理；还提出一种温差发电器件用slice；本发明解决了现有温差发电器件只能在热源温度低于170℃下发电的问题，本发明制作出的温差发电器件用slice，适用于170℃以上的温差发电器件进行发电，提高了温差发电器件的温度应用范围，扩大了半导体温差发电器件的应用场合，极大的满足更多的客户需求。
一种温差发电器件 slice 制作方法

[发明专利]半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置-CN201080008949.6无效
发明人：出岛裕久;川田政和;米山正洋;高桥丰诚;白石史广;佐藤敏宽 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片接合体，其特征在于，包含：半导体晶片；设置在所述半导体晶片的功能面侧的透明基板；设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间所设置的隔片；以及沿着所述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合所述半导体晶片与所述透明基板的接合部
半导体晶片接合制造方法装置

[发明专利]半导体晶片的清洗液及清洗方法-CN03151423.5有效
发明人：汪钉崇;洪明杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：一种半导体晶片的清洗液及清洗方法，该清洗液由清洗母液溶于去离子水组成，其中清洗母液包括：聚丙烯酸：5～20％、柠檬酸：25～30％、乙二胺四乙酸：55～65％，该方法适用于半导体晶片的铜布线制程中CMP平面化步骤之后，马上将晶片浸泡于清洗液中；由于在铜CMP步骤后紧接着就增加了一个晶片表面处理步骤，先对晶片表面的CuO进行较为彻底的去除，使得铜CMP步骤及其后的阻挡层沉积步骤之间的等待时间可无限制延长
半导体晶片清洗方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201280012270.3有效
发明人：大场隆之 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种在主面侧形成了具有半导体集成电路的多个半导体晶片的半导体基板上对被切割了的半导体晶片进行积层，在不同层的半导体晶片之间以可传递信号的方式进行连接，之后，对被积层了的所述半导体晶片部分进行切割的半导体装置的制造方法，其具有：第1步骤，在所述半导体基板的所述主面上形成绝缘层；第2步骤，将主面侧具有半导体集成电路的被切割了半导体晶片，以使与所述主面相反侧的面面对所述绝缘层并介由所述绝缘层的方式，在所述半导体基板上所形成的半导体晶片上进行积层；及第3步骤，形成可使不同层的半导体晶片之间进行信号传递的连接部。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的系统-CN202111079217.2在审
发明人：李海硕;吴凛;权宁天;吉泛涌;柳济民;崔志显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置和包括其的系统。半导体存储器装置包括接口半导体晶片、至少一个存储器半导体晶片和连接接口半导体晶片与存储器半导体晶片的硅穿通件。接口半导体晶片包括命令引脚以接收从存储器控制器传递的命令信号和对命令信号解码的接口命令解码器。存储器半导体晶片包括被配置为存储数据的存储器集成电路和对从接口半导体晶片传递的命令信号解码的存储器命令解码器。接口半导体晶片不包括从存储器控制器接收时钟使能信号的时钟使能引脚。接口命令解码器和存储器命令解码器生成接口时钟使能信号和存储器时钟使能信号，以基于通过多个命令引脚从存储器控制器传递的电力模式命令控制接口半导体晶片和存储器半导体晶片的时钟供应。
半导体存储器装置包括系统

[发明专利]半导体晶片的分割方法-CN200410078793.5无效
发明人：卡尔·H.·普利韦瑟 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片分割方法是在表面由划道划分多个半导体芯片形成的半导体晶片分割为各个半导体芯片的半导体晶片分割方法，通过至少包括：仅留下上述半导体晶片外周区，沿着划道形成深度相当于完成半导体芯片厚度的槽的槽形成工序；在该槽形成后的半导体晶片表面上配设保护构件的保护构件配設工序；研磨上述半导体晶片的背面，露出上述槽，把上述半导体晶片分割为各个半导体芯片的分割工序，沿着划道形成后的切削槽不是到外周端缘，所以在此后一边供给研磨水一边研磨半导体晶片背面分割的工序中，没有从外周端缘来的脏研磨水向切削槽渗透并污染半导体芯片的担心，而且，不会丧失ID标记信息的认识性和表示晶向的切口的识别性，能很有效地分割。
半导体晶片分割方法