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[发明专利]光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法-CN200710044346.1有效
发明人：郝静安;尹朝丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面
光刻方法图形形成

[实用新型]半导体晶片清洗装置-CN201921762503.7有效
发明人：陈海;顾正龙 -专利权人：张家港海扬超声清洗设备有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片清洗装置，包括箱体，所述箱体的一侧设有进料口，另一侧设有出料口。所述箱体内设有用于输送半导体晶片的输送组件、用于清洗半导体晶片的清洗组件。所述箱体顶部布设有多个位于所述清洗组件上方的层流罩，所述层流罩的一侧设有排风组件，所述排风组件包括位于箱体内的导流板，所述导流板与箱体内侧壁之间设有排风区。
半导体晶片清洗装置

[发明专利]半导体晶片质量计量装置和半导体晶片质量计量方法-CN201980026826.6在审
发明人：格雷戈尔·埃里奥特;埃里克·汤尼斯 -专利权人：美特拉斯有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体晶片质量计量装置，其包括：测量室，其用于测量半导体晶片的重量和/或质量；第一温度改变部件，其用于在将所述半导体晶片传送到所述测量室之前改变所述半导体晶片的温度；以及第一温度传感器，其用于感测第一温度，其中所述第一温度为：所述第一温度改变部件的温度；或当所述半导体晶片在所述第一温度改变部件上时，或当所述半导体晶片离开所述第一温度改变部件时，所述半导体晶片的温度。
半导体晶片质量计量装置方法

[实用新型]一种半导体晶片加工及对晶片进行探针测试的装置-CN201821602638.2有效
发明人：张小伟 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片加工及对晶片进行探针测试的装置，包括半导体晶片检测装置，所述半导体晶片检测装置上靠近其底部的两侧开设有第一斜面。本实用新型通过设置移动块、滚珠和放置块，当需要移动半导体晶片检测装置时，转动螺纹杆驱动与其螺纹连接的两个移动块做相离运动，使移动块沿着半导体晶片检测装置的两侧滑动到与地面接触，然后反向转动螺纹杆，通过螺纹杆将两个移动块相向运动，将半导体晶片检测装置和放置块抬起，从而方便移动半导体晶片检测装置；将移动块复位即可，使滚珠悬空，半导体晶片检测装置通过放置块稳定的放置在地面上，达到了移动到合适位置后稳定放置半导体晶片检测装置的效果。
半导体晶片检测移动块螺纹杆半导体晶片加工本实用新型探针测试滚珠晶片移动半导体晶片地面接触反向转动方便移动合适位置检测装置螺纹连接稳定放置相离运动相向运动滑动复位抬起转动悬空驱动移动

[发明专利]在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法-CN201010542361.0有效
发明人：林宅基;尹慈恩;李成尹 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法。半导体晶片包含第一半导体管芯。形成贯穿半导体晶片的TSV。第二半导体管芯安装到半导体晶片的第一表面。第一胶带被施加到半导体晶片的第二表面上。在该第二半导体管芯和晶片的第一表面上形成保护材料。保护材料可以是密封剂或者聚乙烯醇和水。在第二管芯之间将晶片单颗化成个别管芯到晶片封装，每个管芯到晶片封装包含堆叠在第一管芯上的第二管芯。所述保护材料在单颗化期间保护该晶片。该管芯到晶片封装可以安装到衬底。可以在管芯到晶片封装上形成内建互连结构。可以去除所述保护材料。可以在第一和第二管芯之下沉积底部填充材料。在管芯到晶片封装上沉积密封剂。
半导体管芯之间形成保护材料半导体器件方法

[发明专利]一种半导体显示面板的制造方法-CN201310286869.2有效
发明人：程君;严敏;周鸣波 -专利权人：程君;严敏;周鸣波
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高密度半导体显示面板的制造方法，包括：将具有多颗半导体发光共晶晶片的圆片的焊接面进行贴膜；对圆片进行激光切割，得到黏贴在贴膜上的多颗半导体发光共晶晶片；将多颗半导体发光共晶晶片的发光面黏贴于扩张膜上；去除多颗半导体发光共晶晶片的焊接面贴膜；对扩张膜进行扩晶操作，使多颗半导体共晶晶片之间的间隔与基板上的晶片装载空位的间隔相同；将扩晶后的扩张膜粘贴在表面贴装设备的托盘上并将托盘的移动定位，使多颗半导体发光共晶晶片的位置与晶片装载空位相对应；步进移动托盘，使扩晶后的多颗半导体发光共晶晶片步进接近基板上的晶片装载空位；将多颗半导体发光共晶晶片植入晶片装载空位，并通过粘结剂与基板电连接。
一种半导体显示面板制造方法

[发明专利]双面抛光半导体晶片的方法-CN201010144726.4有效
发明人： J·施万德纳 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面抛光半导体晶片的方法，所述方法包括在第一步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时用不含磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面，但是在这个过程中将含有磨料的抛光剂加入到该抛光垫和半导体晶片的背面之间，然后翻转半导体晶片，然后在第二步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面，同时用不含固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面，含有磨料的抛光剂被加入到该抛光垫和半导体晶片的正面之间。
双面抛光半导体晶片方法

[发明专利]用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法-CN200910118648.8有效
发明人：川岛教孔;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。
用于研磨半导体晶片背面粘合以及使用方法

[发明专利]半导体晶片处理带卷装体、使用其的半导体晶片处理带贴付装置及半导体晶片加工处理装置-CN200610100730.4有效
发明人：濑川丈士;山口弘一;岩方裕一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无需像以往那样访问主机，可对写入数据载体构件中的处理数据进行读取，基于读取的处理数据，在最佳条件下将半导体晶片处理带贴付到半导体晶片上的半导体晶片处理带贴付装置。该半导体晶片处理带贴付装置包括：具有可自由拆装地安装半导体晶片处理带卷装体的导出轴的导出装置；对写入半导体晶片处理带卷装体的数据载体构件中的处理数据进行读写的带数据读写装置；以及基于带数据读写装置读取的处理数据将从导出装置导出的半导体晶片处理带贴付到半导体晶片上的带贴付装置
半导体晶片处理带卷装体使用带贴付装置加工

[发明专利]半导体测试装置-CN200610098421.8无效
发明人：三宅直己;真田稔 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种半导体测试装置，包括：基板，其具有面对晶片的表面，在进行老化测试时，具有多个嵌入式半导体器件的半导体晶片面对所述表面地设置；提供在所述基板上的布线层；和温度传感器，其用于在所述半导体晶片面对所述基板地放置的状态下测量所述半导体晶片的温度，其中所述布线层包括布线，所述布线在所述半导体晶片面对所述基板地放置的状态下连接到所述半导体晶片，并提供用于老化测试的信号和电压给所述半导体晶片，并且所述温度传感器临近所述面对晶片的表面地提供在所述基板上
半导体测试装置

[发明专利]用于半导体装置转印的方法-CN202111618954.5在审
发明人：安德鲁·胡斯卡;科迪·彼得森;克林特·亚当斯;肖恩·库普考 -专利权人：罗茵尼公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种将半导体装置转印到产品衬底的方法，所述方法包括将所述产品衬底的表面定位成面向在其上具有所述半导体装置的半导体晶片的第一表面；以及致动转印机构以致使所述转印机构啮合所述半导体晶片的第二表面所述半导体晶片的所述第二表面与所述半导体晶片的所述第一表面相对。致动所述转印机构包括致使销推抵于所述半导体晶片的所述第二表面上的一个位置，所述位置对应于位于所述半导体晶片的所述第一表面上的特定半导体装置的位置；以及将所述销缩回到静止位置。所述方法还包括从所述半导体晶片的所述第二表面拆离所述特定半导体装置；以及将特定半导体装置附接到所述产品衬底。
用于半导体装置方法

[发明专利]用于半导体装置转印的方法-CN201910706964.0有效
发明人：安德鲁·胡斯卡;科迪·彼得森;克林特·亚当斯;肖恩·库普考 -专利权人：罗茵尼公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种将半导体装置转印到产品衬底的方法，所述方法包括将所述产品衬底的表面定位成面向在其上具有所述半导体装置的半导体晶片的第一表面；以及致动转印机构以致使所述转印机构啮合所述半导体晶片的第二表面所述半导体晶片的所述第二表面与所述半导体晶片的所述第一表面相对。致动所述转印机构包括致使销推抵于所述半导体晶片的所述第二表面上的一个位置，所述位置对应于位于所述半导体晶片的所述第一表面上的特定半导体装置的位置；以及将所述销缩回到静止位置。所述方法还包括从所述半导体晶片的所述第二表面拆离所述特定半导体装置；以及将特定半导体装置附接到所述产品衬底。
用于半导体装置方法

[发明专利]用于半导体装置转印的方法-CN201680016956.8在审
发明人：安德鲁·胡斯卡;科迪·彼得森;克林特·亚当斯;肖恩·库普考 -专利权人：罗茵尼公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种将半导体装置转印到产品衬底的方法，所述方法包括将所述产品衬底的表面定位成面向在其上具有所述半导体装置的半导体晶片的第一表面；以及致动转印机构以致使所述转印机构啮合所述半导体晶片的第二表面所述半导体晶片的所述第二表面与所述半导体晶片的所述第一表面相对。致动所述转印机构包括致使销推抵于所述半导体晶片的所述第二表面上的一个位置，所述位置对应于位于所述半导体晶片的所述第一表面上的特定半导体装置的位置；以及将所述销缩回到静止位置。所述方法还包括从所述半导体晶片的所述第二表面拆离所述特定半导体装置；以及将特定半导体装置附接到所述产品衬底。
用于半导体装置方法

[发明专利]晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法-CN02141411.4无效
发明人：菅野诚一郎;川原博宣;末広满;金井三郎;增田俊夫 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种包括晶片平台的晶片处理装置，其中半导体晶片安装在晶片平台上以便处理半导体晶片，其中对于多个晶片平台来说，共用晶片平台的保持机构，因此，晶片平台可以改变为具有不同功能的晶片平台，以便处理半导体晶片。
晶片处理装置平台以及方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410031633.5无效
发明人：田久真也;黑泽哲也;持田欣也;渡边健一 -专利权人：株式会社东芝;琳得科株式会社
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：在已在第1面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第1面上，设置最终加工厚度以上的沟；向已设置有上述沟的上述晶片的上述第1面之上粘贴粘接性带；采用从与已粘贴上上述粘接性带的上述半导体晶片的上述第1面相反的第2面使上述半导体晶片薄厚度化的办法，把上述半导体晶片分离成已形成了上述半导体元件的多个半导体芯片，向分离后的上述半导体晶片的整个背面上粘贴粘接剂层；使得分离成每一个上述半导体芯片那样地切断上述粘接剂层；在切断上述粘接剂层后，用至少已分离成2个吸附区的多孔质构件边借助于吸附固定上述半导体晶片，边从上述半导体晶片上剥离上述粘接性带。
半导体器件制造方法