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[发明专利]包括层叠的半导体晶片的层叠封装-CN201811579339.6有效
发明人：都恩惠 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：包括层叠的半导体晶片的层叠封装。一种层叠封装包括：第一半导体晶片；第二半导体晶片，该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上；以及第三半导体晶片，该第三半导体晶片被设置在所述提升支撑件上。所述第三半导体晶片与所述第二半导体晶片在竖直方向部分地交叠。
包括层叠半导体晶片封装

[发明专利]用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物-CN200810178886.3有效
发明人：威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·玛·塞若;大卫·贝恩哈德;隆·阮 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： C11D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物，该半导体晶片清洗制剂，其含有按重量计为1-35％的氟化物源，按重量计为20-60％的有机胺，按重量计为0.1-40％的含氮组分如含氮羧酸或亚胺该制剂用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上去除残渣，如从含有精细铜互连结构的半导体晶片上去除无机残渣。
用于清洗半导体基质无机残渣含有特效腐蚀抑制剂含水组合

[发明专利]层叠半导体晶片的方法-CN201811397519.2在审
发明人：申灿镐;金胜桓;裴弼淳;郑辉朝 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：层叠半导体晶片的方法。公开了一种层叠半导体晶片的方法，该方法包括以下步骤：将下半导体晶片用粘合层附接到基底基板并且将上半导体晶片用另一附加层附接到下半导体晶片。向上半导体晶片应用热压接合技术，以使粘合层固化并且将上半导体晶片接合到下半导体晶片。
半导体晶片层叠半导体晶片粘合层固化基底基板热压接合接合附加层粘合层应用

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN200910008028.9无效
发明人：长泽唯人 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的制造方法，其能高效率且不产生加工屑地分割在背面形成有金属膜的半导体晶片。关于将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的半导体芯片制造方法，其特征在于，包括：变质层形成工序，从半导体晶片背面侧将聚光点对准半导体晶片内部，沿间隔道照射相对于半导体晶片具有透射性的波长的激光束，从而在半导体晶片内部形成沿着间隔道的变质层；金属膜成膜工序，在实施变质层形成工序后，在半导体晶片背面形成金属膜；半导体晶片粘贴工序，在安装于环状框架的粘贴带上粘贴半导体晶片；和半导体晶片分割工序，在半导体晶片粘贴在粘贴带上的状态下对半导体晶片作用外力，从而沿变质层将半导体晶片与金属膜一起分割成一个个芯片。
半导体芯片制造方法

[发明专利]制造半导体装置的设备和方法-CN201210067387.3有效
发明人：田中阳子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的是提供制造半导体装置的方法和设备，其中半导体晶片在磨薄之后可从卡吸台安全和可靠地被拾取并传送到下一步骤。在本发明的方法和设备中，通过抽吸将半导体晶片正面吸引到卡吸台的附连板表面，半导体晶片背面被磨削以形成具有凹入构造的内部区域，在半导体晶片的外周缘部留下环形加强部。运输具有环形加强部的半导体晶片的流程包括如下步骤：在与半导体晶片保持位置不同的位置从半导体晶片的背面向正面按压半导体晶片，在保持具有环形加强部的半导体晶片之前进行按压半导体晶片的步骤；通过向卡吸台上供应正压来解除半导体晶片正面通过抽吸的附连；解除在与半导体晶片保持位置不同的位置从半导体晶片背面向其正面对半导体晶片的按压；和在保持半导体晶片的同时，从卡吸台拾取具有环形加强部的半导体晶片。
制造半导体装置设备方法

[发明专利]半导体评价装置及其评价方法-CN201510690208.5有效
发明人：冈田章;波户崎浩介;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在纵向型半导体装置的评价中能够确保绝缘的技术。背面电位导出部(18)具有：在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的背面侧配置的一端部分、以及在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的表面侧配置的另一端部分。半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)能够沿半导体晶片(51)的面内方向移动。在半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)沿面内方向移动的情况下，在半导体晶片(51)的移动区域以外的附近，对背面电位导出部(18)中的、相对于半导体晶片(51)位于面内方向的部分进行固定
半导体评价装置及其方法

[发明专利]一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料的制备方法-CN201910120298.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：郑君雄
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料的制备方法，包括如下步骤：(1)先利用切割设备将半导体材料切割出晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上；(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片；(4)对固定在支撑物上的晶片进行抛光处理；(5)对抛光后的晶片进行表面清洗处理。本发明的超精密半导体材料具有较低的粗糙程度以及较高的加工质量，且能够避免晶片破损的风险，适于进行外延生长，可以广泛用于电子、通讯及能源等行业。
一种用于电子通讯行业精密半导体材料制备方法

[发明专利]用于控制半导体晶片温度的方法和设备-CN201980063482.6在审
发明人：格雷戈尔·埃里奥特;埃里克·汤尼斯;保罗·哈里森;马克·拜里 -专利权人：美特拉斯有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01G23/00 文献下载
摘要：一种半导体晶片质量计量方法包含：通过下述方式控制半导体晶片温度；检测与所述半导体晶片温度相关的信息；以及基于检测到的与所述半导体晶片的温度相关的所述信息来控制所述半导体晶片的冷却或加热；其中控制所述半导体晶片的冷却或加热包含控制所述半导体晶片的所述冷却或加热的持续时间；以及接下来将所述半导体晶片装载至半导体晶片质量计量设备的测量区域上。
用于控制半导体晶片温度方法设备

[发明专利]半导体清洗方法与装置及其控制方法-CN200910254211.7有效
发明人：陈正辉;王俊杰;余柏纬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体清洗方法与装置及其控制方法。该半导体清洗方法包括步骤：提供显影液至晶片的一已预先曝光的光刻胶层上；使位于晶片的中央上方位置的喷嘴持续一段时间喷洒清洗液至光刻胶层，其中，清洗液不与光刻胶层与显影液反应；沿着晶片的半径方向移动喷嘴至晶片上方的至少一下一位置；使停留在该至少一下一位置的喷嘴持续至少另一段时间喷洒清洗液至光刻胶层；以及，清洗晶片直到显影液与溶解在显影液中的光刻胶被冲净为止，以露出晶片的一图案化光刻胶。
半导体清洗方法装置及其控制

[发明专利]金属残留物的清洗方法-CN200810224806.3无效
发明人：胡亚兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C23G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属残留物的去除方法，包括：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物
金属残留物清洗方法

[发明专利]一种半导体组件的制造方法-CN201510480360.0在审
发明人：施勇 -专利权人：海门市明阳实业有限公司
申请日： 2015-08-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组件的制造方法，包括下述步骤：将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，将晶片切割成粒；将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。本发明将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高；在半导体致冷元件外侧设密封胶带，防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能
一种半导体组件制造方法

[发明专利]使半导体晶片变薄的方法-CN200910151326.3有效
发明人： M·J·瑟登;F·J·卡尔尼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种用于制造薄的半导体晶片的方法。将半导体晶片从其后侧削薄，然后在半导体晶片后侧的中心区形成腔。形成腔时在半导体晶片外围区也形成环形支撑结构。至少在腔内形成导电层。将半导体的前侧设置在连接膜层框架的带上。将半导体晶片的环形支撑结构变薄以形成变薄的半导体晶片。将后侧带连接到半导体晶片和膜层框架上并且除去连接到半导体晶片前侧的带。将变薄的半导体晶片进行分割。
半导体晶片变薄方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、曝光设备和记录介质-CN200910225849.8无效
发明人：腰高利明 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法、曝光设备和记录介质。制造半导体器件的方法包括第一吸附步骤、释放步骤、第二吸附步骤和曝光步骤。在第一吸附步骤中，晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片，以调节半导体晶片的温度。在释放步骤中，从晶片卡盘释放半导体晶片。在第二吸附步骤中，用于曝光的晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片。在曝光步骤中，曝光半导体晶片。
制造半导体器件方法曝光设备记录介质

[发明专利]半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件-CN202010137416.3在审
发明人：清泽努;大冈笃志 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体外延晶片、半导体元件及半导体外延晶片的制造方法，抑制与半导体晶片的主面平行的面内的元件特性的偏差。半导体外延晶片具备半导体晶片、和配置在半导体晶片的主面上且包含第1导电型的杂质的第1导电型的半导体外延层，与半导体晶片的主面平行的面内的、半导体外延层的厚度分布和半导体外延层的杂质的浓度分布具有正相关。
半导体外延晶片及其制造方法元件

[发明专利]半导体器件-CN201110181339.2有效
发明人：杨先庆;周景海;蒋航 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：该集成电路至少包括第一半导体晶片、第二半导体晶片以及引线框结构。其中第一半导体晶片具有电气安静的表面，第二半导体晶片用于控制第一半导体晶片且堆叠在第一晶片上，引线框结构用于支撑第一半导体晶片以及将第一半导体晶片和第二半导体晶片同外部电路电耦接。
半导体器件