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[发明专利]一种半导体材料晶片的抛光方法-CN202211359644.0在审
发明人：李伟;高苗苗 -专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及抛光技术领域，且公开了一种半导体材料晶片的抛光方法，包括以下步骤：步骤1)处理包括调配、检测、过滤和加热等工序，步骤4)浸泡抛光，步骤5)喷洗抛光，步骤6)清洗和干燥，步骤7)抛光液的回收。该半导体材料晶片的抛光方法，通过在对半导体材料晶片抛光处理前对抛光液进行处理和检测，包括过滤和加热，使得抛光液保持在较好的状态，在对半导体材料晶片进行抛光打磨，从而提高半导体材料晶片的打磨效果和状态，然后经过两侧的抛光呈现出较好的抛光效果，其次在抛光对半导体材料晶片进行干燥处理以及对抛光液的回收处理，都提高了半导体材料晶片的抛光效果和质量以及方便程度。
一种半导体材料晶片抛光方法

[发明专利]采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法-CN200380107179.0无效
发明人：容倍金;寅权丁;政烨金 -专利权人：诺沃研究有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：清洗半导体晶片表面的装置和方法，利用从气体喷嘴结构喷出的气态材料的气流在形成于半导体晶片表面的清洗液的边界层上产生凹陷或者贯穿该边界层的孔，以增加穿过该边界层而到达晶片表面的气态材料的量。
采用臭氧清洗半导体晶片表面装置方法

[发明专利]未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法-CN200610141238.1有效
发明人： W·亨泽尔;R·莱纳;H·施文克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造未抛光半导体晶片的方法，包括以下步骤：a)拉制半导体材料的单晶，b)将半导体晶片研磨成圆形，c)从该晶体分离半导体晶片，d)磨圆该半导体晶片的边缘，e)表面研磨半导体晶片的至少一侧，f)用蚀刻剂处理半导体晶片，g)最终清洗半导体晶片。本发明还涉及一种未抛光半导体晶片，具有前侧和后侧，其中研磨至少前侧并蚀刻前和后侧，其具有至少在前侧上的95％或更高的反射度、至少在前侧上的3nm或更小的表面粗糙度、80－2500μm的厚度、5μm或更小的全部平整度值
抛光半导体晶片用于制造方法

[发明专利]半导体器件的制造生产线-CN200510081113.X无效
发明人：井上准一;浅川辉雄;杉山一彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2000-04-11 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造生产线，在1个生产线的运送系统中，配置对1个尺寸的半导体晶片实施形成集成电路的一连串处理的多个处理装置，包括：半导体晶片搬入搬出装置，从外部搬入或搬出规定的半导体晶片；第1处理装置，进行在半导体晶片上形成电路元件的清洗；第2处理装置，在半导体衬底上形成金属膜或绝缘膜；第3处理装置，形成在薄膜成形的半导体晶片上形成电路元件和布线的抗蚀剂图形；第4处理装置，除去形成抗蚀剂图形的半导体晶片的不需要的金属膜部分或绝缘膜部分；第5处理装置，对半导体晶片上形成的集成电路元件进行光学和电气检查；各个处理装置，通过插入可拆装自由地被连接到运送系统。
半导体器件制造生产线

[发明专利]光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法-CN200710039253.X无效
发明人：杨光宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]半导体晶片的清洗方法-CN01129647.X有效
发明人：陈中泰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-06-26 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体晶片的清洗方法，此方法提供一晶片，以浓度随清洗时间的增加而降低的一化学清洗液清洗晶片，以及用去离子水清洗晶片，去除残留在晶片表面的化学清洗液。
半导体晶片清洗方法

[发明专利]一种晶片背面清洗装置-CN201410220405.6有效
发明人：胡延兵;卢继奎 -专利权人：沈阳芯源微电子设备有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体行业晶片处理领域，具体地说是一种用于前道半导体工艺的晶片背面清洗装置，包括晶片夹持机构、承片台、清洗腔体和吹干装置，待清洗的晶片放置于承片台上并通过晶片夹持机构夹起升降，清洗腔体在晶片上升停止后水平移动至该晶片下方，在清洗腔体内设有毛刷和背喷管，清洗晶片时，晶片夹持机构夹持晶片下降使晶片的背面与毛刷相抵，毛刷在旋转电机的带动下旋转，背喷管喷出清洗液配合毛刷清洗晶片，晶片清洗干净后上升至吹干位置，此时背喷管喷出气体吹干晶片背面，在晶片清洗及吹干时，安装在晶片夹持机构上的吹气装置向晶片的上表面吹气。本发明使清洗液不会溅落在晶片正面，不会对晶片正面造成损伤。
一种晶片背面清洗装置

[发明专利]化学机械研磨后残留物的去除方法-CN200610119134.0有效
发明人：张斐尧;李福洪;杜应提;薛景星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。该方法能够去除研磨后的污染物残留。
化学机械研磨残留物去除方法

[发明专利]一种半导体环保清洗剂的制备方法-CN202110759776.1在审
发明人：杨柳;张高杰;李振飞 -专利权人：东莞市柯林奥环保科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体环保清洗剂的制备方法，半导体环保清洗剂包括络合剂、酸度调节剂、软化剂、有机碱、无机碱和纯水，其具体制备方法包括备料预处理、初步混合、进一步混料、最终混合配料、成品预处理和分装以上的步骤，本发明改善了传统半导体材料清洗的问题，降低了CMP后衬底晶片的表面Particle数量；对终检的无尘室晶片最终清洗影响显著，提高了晶片的通过率；本发明整道清洗制程后，对比现行的清洗效果有显著的提升，送入无尘室进行最终清洗，晶片的通过率相对原工艺提升10％～15％；整体性能良好、使用环保安全，并能降低SIC衬底晶片的颗粒污染，清洗效率高，提高了SIC衬底晶片的加工效率。
一种半导体环保洗剂制备方法

[发明专利]半导体晶片清洗槽-CN201410849086.5在审
发明人：谭鑫;华冠男;张华;陈鹏 -专利权人：锦州华昌光伏科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体晶片清洗槽，包括清洗槽本体，其特殊之处是：所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块，在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板，所述镂空隔板上设有晶片花篮，所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴，所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。该半导体晶片清洗槽结构简单、成本低、使用方便，将晶片花篮放在镂空隔板上，利用搅拌轴上的搅拌杆使液体流动，整个清洗过程中晶片花篮静止，防止清洗过程晶片损坏，从而提高晶片的成品率，避免晶片二次污染。
半导体晶片清洗

[实用新型]一种半导体晶片处理设备-CN202222863428.1有效
发明人：王汉清 -专利权人：江苏阀邦半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片处理设备，涉及到半导体晶片领域，包括设备主体箱，设备主体箱的顶部设置有处理平台。本实用新型通过设备主体箱，使用者将设备主体箱打开并向储液桶注入适量的化学洗涤液，使用者将半导体晶片放置于处理平台内，然后打开水泵，水泵运作通过入水口吸入化学洗涤液并通过出水管道注入处理平台内，进而能够对半导体晶片进行清洗作业，待清理完毕打开排水阀门，处理平台内液体将通过积液漏斗流向排水管道并注入沉淀桶内进行沉淀，然后打开气泵，气泵运作通过进气口吸入空气并通过排气管道从气喷头中喷出，进而能够对半导体晶片干燥及清灰作业，从而实现了一种半导体晶片处理设备清洗及干燥的功能
一种半导体晶片处理设备

[发明专利]用于清洗半导体晶片的装置和方法-CN96105115.9无效
发明人：亨利·F·厄克;罗纳德·D·巴特姆;尤金·R·霍兰德;柴京 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-04-18 - 公布日： 1997-01-01 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一个清洗半导体晶片的方法包括将液体放置在槽内并且在液体表面形成一个气—液界面。半导体晶片被放置在槽中以便于它沿通常竖直位置被定向，而且晶片至少有一部分处于液体中并低于气—液界面。声能被引导穿过液体。至少半导体晶片的位置和槽中液体相对于半导体水位这两者之一被变动以使得晶片的整个表面重复穿过气—液界面。
用于清洗半导体晶片装置方法

[发明专利]一种半导体晶片的湿洗装置-CN202210846844.2有效
发明人：李敏;王锡胜;谭进 -专利权人：盐城矽润半导体有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶片的湿洗装置，包括底舱，设置在底舱上的铰座以及通过铰座设置在所述底舱上的舱盖，底舱内设有喷孔朝上的下喷座，由底舱的底部向底舱内贯穿有连接于所述下喷座的下喷管，半导体晶片放在底舱上，清洗液自两喷座喷出后就会喷到晶片的上下两面上，握杆除了带有气囊以外，还可通过抓取握杆使舱盖遮盖在底舱上或者通过抓取握杆使舱盖与底舱分离，使得半导体晶片清洗时便于存放，转环上设置了一圈叶片，使得半导体晶片被清洗的同时，确保叶片旋转时还不会划伤晶片，并且这些叶片旋转的同时还可使清洗液产形成水压，并通辅助于气囊按压所产生的负压效应将清洗液更好的顺着水管吸入气囊中，清洗时液体循环使用，利于环保。
一种半导体晶片装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN98102290.1无效
发明人：滝泽朋子 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-06-19 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，用于防止树脂与半导体芯片的分离。该制造方法包括切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片并形成半导体芯片；在所述半导体芯片上安装一组引线端；以及清洗有源电路反面的所述半导体芯片的表面。然后用密封材料封闭半导体芯片。因此防止了半导体芯片与树脂的分离。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体晶片的清洗装置以及半导体晶片的清洗方法-CN202080092346.2在审
发明人：野田魁人;大久保知洋;中尾勇贵;富田迪彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提出一种在半导体晶片的清洗中能够抑制清洗液的烟雾向半导体晶片的表面附着的半导体晶片的清洗装置以及清洗方法。本发明所述的半导体晶片的清洗装置（1）中，旋转杯（20）具有：环状的侧壁部（21）、下端部（22d）与侧壁部（21）的上端部（21c）连接且相对于铅直方向向旋转工作台（13）侧倾斜的倾斜部（22）、上端部（23c）与倾斜部（22）的上端部（22c）连接的环状的折返部（23），构成为，侧壁部（21）的上端部（21c）的高度位置（h21）配置在低于晶片保持部（14）
半导体晶片清洗装置以及方法