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[实用新型]热退火设备-CN201420744922.9有效
发明人：柯其勇;商金栋;左文霞 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种热退火设备，用于对非晶硅薄膜进行热退火处理，包括依序分隔形成的预热室、退火室、以及冷却室，所述退火室内包括温度依序降低的多个工作腔，所述预热室的温度低于多个所述工作腔中与所述预热室相邻的工作腔的温度，所述冷却室的温度低于多个所述工作腔中与所述冷却室相邻的工作腔的温度。采用在退火室前设置预热室，在热退火过程中，使得玻璃基板的温度逐渐上升到最高温度，且在退火室内设置温度依序降低的工作腔，实现玻璃基板的温度逐渐下降，避免玻璃基板进入制程就急速升温到最高制程温度，可降低气泡
退火设备

[实用新型]晶圆传送机台壳体、晶圆传送设备及磊晶制程系统-CN202021938618.X有效
发明人：温智中 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆传送机台壳体、晶圆传送设备及磊晶制程系统，涉及磊晶制程技术领域。本实用新型通过在外壳本体内开设用于容置晶圆传送组件的传送腔室，并在该外壳本体的至少一个壳体侧壁上开设与传送腔室连通的观测口，接着在与观测口对应的壳体侧壁上安装透明件，并通过透明件对观测口进行封闭，从而在传送腔室容置有晶圆传送组件时，使半导体制程人员能够直接透过透明件观测到传送腔室内部器件的运行状态及损坏情况，及时发现机台内部器件的好坏状况，以便于及时地对晶圆传送设备进行维护保养。
传送机台壳体设备磊晶制程系统

[发明专利]基片补偿刻蚀的方法-CN201310057688.2有效
发明人：王兆祥;刘志强;邱达燕;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于等离子处理腔室的基片补偿刻蚀的方法，其中，所述基片置于腔室之中的基台之上进行刻蚀制程，当接收到预警信号时，相应腔室则停止其中对基片的刻蚀制程，待经过一段等待时间执行补偿刻蚀，其特征在于，所述方法包括
补偿刻蚀方法

[发明专利]反应腔室的上盖结构和反应腔室-CN201410705206.4有效
发明人：张伟涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的上盖结构，包括线圈盒、隔板、盖板、多个开盖挂钩和与多个开盖挂钩一一对应的盖板挂钩，所述开盖挂钩在对正位时与所述盖板挂钩对正，在脱离位时与所述盖板挂钩相错开，所述开盖挂钩包括第一钩持部本发明还提供一种反应腔室。与现有技术相比，本发明中的上盖结构上升时，开盖挂钩不需要移动一段空行程，因而可以减少铜连接条受到的拉力。
钩持部挂钩开盖盖板反应腔室上表面上盖结构下表面隔板铜连接条逐渐降低空行程上升时线圈盒错开对正贴合匹配脱离移动

[发明专利]一种液晶面板干蚀刻机制程腔生产方法及存储介质-CN202310637217.2在审
发明人：陈聪;吾继明;杨志帅;葛浩浩;程辉 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种液晶面板干蚀刻机制程腔生产方法及存储介质，包括：产品卡匣由自动化机器搬送到设备卡匣位，待生产；设备接收到系统的配方信息；自动匹配可进行生产的制程腔室；读取并自统计配方的累计时间；判断当产生产的三个制程腔是否为相同配方名称，是，按顺序取片，否，则判断不同制程腔的累计配方时间比是否大于0.6；是，按1:2取片顺序进行生产取片，否，则按1:3取片顺序进行生产取片。本发明通过计算各制程腔的配方时间，优化搬送顺序流程，提高干蚀刻机机台生产效率。
一种液晶面板蚀刻机制生产方法存储介质

[发明专利]烘烤装置-CN201910009179.X有效
发明人：罗善高 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：所述烘烤装置包括箱体、设于所述箱体内且位于所述箱体底部的烘烤腔室、设于所述箱体内且位于所述箱体顶部的冷却腔室、设于所述烘烤腔室顶部的隔热腔门、设于所述烘烤腔室内的多个均匀分布的支撑顶针以及设于所述箱体内且位于所述烘烤腔室和冷却腔室之间的承载机构，所述烘烤腔室、承载机构及冷却腔室相互间隔；当基板在烘烤腔室内烘烤到达预设的烘烤时长时，所述隔热腔门打开，所述支撑顶针升起将基板顶出烘烤腔室，并转移至所述承载机构上由所述承载机构支撑，通过将基板移除烘烤腔室并转移到承载机构上，能够有效避免基板过烘，保证制程品质，提升产品良率。
烘烤装置

[发明专利]一种半导体设备及其基片处理方法-CN202210349870.4在审
发明人：庄宇峰;陶珩 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种半导体设备及其基片处理方法，半导体设备包含成核腔和至少一个处理腔，温度控制系统将成核腔维持为第一温度，将处理腔维持为第二温度，气体控制系统控制含钨气体输入成核腔执行成核工艺，气体控制系统控制不含碳及金属原子的处理气体输入处理腔对执行过成核工艺的特征区内靠近所述开口的上段执行保形抑制处理工艺本发明在利用不同腔室实现温度分别控制的基础上，通过气体控制系统实现对不同操作工艺的压力和气体流速的调节，无需对基片的制程温度进行反复调节，保持了工艺的稳定性，节省了制程时间，实现了温度、压力、气体流速的全面调节，扩大了制程窗口，满足了制程需求。
一种半导体设备及其处理方法

[发明专利]晶圆结构-CN202110902167.7在审
发明人：莫皓然;张英伦;戴贤忠;黄启峰;韩永隆;林宗义 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：一种晶圆结构，包含：一芯片基板，为一硅基材，以半导体制程制出；多个喷墨芯片，包含至少一第一喷墨芯片及至少一第二喷墨芯片以半导体制程制直接生成于该芯片基板上，并切割成至少一该第一喷墨芯片及该至少一该第二喷墨芯片，实施应用于喷墨打印；其中该第一喷墨芯片及该第二喷墨芯片分别包含：多个墨滴产生器，以半导体制程制出生成于该芯片基板上，且每一该墨滴产生器包含一障壁层、一供墨腔室及一喷孔，而该供墨腔室及该喷孔一体成型生成于该障壁层中
结构

[发明专利]一种湿制程系统用颗粒物收集装置和湿制程系统-CN202010511367.5在审
发明人：刘伟 -专利权人：厦门通富微电子有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B04B11/06 文献下载
摘要：本公开提供一种湿制程系统用颗粒物收集装置和湿制程系统，所提出的一种装置包括：处理腔室，所述处理腔室设置有入口、第一出口以及第二出口，所述第二出口比所述第一出口远离所述处理腔室的中心；旋转组件，所述旋转组件设置在所述处理腔室内，所述旋转组件能够使得经由所述入口引入至所述处理腔室内的液体旋转，以将所述液体中的颗粒物引导至所述第二出口处；收集组件，所述收集组件与所述第二出口相连。本公开实施例中的装置，通过旋转组件使得进入该装置的药液旋转，通过离心力的作用将药液中的颗粒物与药液分离，将颗粒物聚集在收集组件中，从而将药液中的颗粒物分离出来，提高湿制程工艺的制备精度，提高湿制程工艺制备出的产品的质量
一种湿制程系统颗粒收集装置

[发明专利]制程处理部件、基板处理设备以及基板处理方法-CN201310077871.9有效
发明人：蔡熙善;李晟旭 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板处理设备，包括：一内部腔室，其中形成有一第一空间；一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；一第一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的气体排放至外部；一制程气体供应构件，其用来向该第一空间供应用以处理该基板的制程气体；以及一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的状态。
处理部件设备以及方法

[发明专利]一种半导体湿制程工艺设备用气体过滤装置-CN202211713456.3在审
发明人：王本义;刘迟;于宏嘉 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01D46/54 文献下载
摘要：本发明涉及半导体湿制程工艺领域，具体地说是一种半导体湿制程工艺设备用气体过滤装置，包括壳体、进风动力源、整流板及滤芯。外界环境气体通过进风动力源被输入至壳体内腔的整流前空间，整流前空间中的气体穿过整流板的整流孔进入至壳体内腔的整流后空间中，整流后空间中的气体经过滤芯并被滤芯过滤、之后从壳体底面的出风口流出。本发明通过壳体、进风动力源、整流板及滤芯的配合设置，可在实现正常对工艺腔室供气的功能的基础上，充分对进入壳体的外界环境空气进行过滤，避免环境中化学气体通过气体过滤装置进入工艺腔室污染基板，保证半导体湿制程工艺的稳定性，同时也可避免工艺腔室内气体从气体过滤装置挥发至工艺腔室外腐蚀其它区域。
一种半导体湿制程工艺备用气体过滤装置

[发明专利]制程设备及制程方法-CN202110068749.X有效
发明人：马克 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种制程设备及制程方法，其中，制程设备包括：反应室，用于对置于反应室中的晶圆进行表面处理工艺，表面处理工艺用于去除晶圆表面的污染层；承载台，位于反应室内，用于承载晶圆或载板；反应室上具有第一进气通道和第二进气通道；第一进气通道用于向反应室内通入反应气体，反应气体用于执行表面处理工艺；在两次表面处理工艺之间，第二进气通道用于向反应室内通入清洗气体，清洗气体用于清洗反应室；本发明实施例旨在于在机台持续去除介质层表面的氧化污染过程中，改善机台内部腔室的状态，从而提高晶圆产品的良率。
设备方法

[发明专利]等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法-CN201210378282.X有效
发明人：叶如彬;尹志尧;倪图强;周宁 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域，所述边缘电极连接有第二射频电源，移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源
等离子体处理装置调节边缘区域速率方法

[发明专利]一种真空卡盘以及键合设备-CN201811089622.0在审
发明人：邹文;周云鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种真空卡盘以及键合设备，所述真空卡盘，用于晶圆的键合工艺，包括第一子卡盘和第二子卡盘，第一子卡盘包括第一吸附腔室，第二子卡盘包括第二吸附腔室，第二吸附腔室和第一吸附腔室均为圆盘状结构，第二吸附腔室朝向第一吸附腔室，第一吸附腔室的直径是第一晶圆的直径的0.7～0.95倍。本发明通过缩小第一吸附腔室的直径，以扩大第一晶圆边缘不被真空吸附的区域，由此可以减小第一子卡盘对第一晶圆的吸附力，进而减小键合晶圆的键合扭曲度，特别是晶圆边缘的扭曲度，提高后续光刻制程中的对准精度，改善后续制程键合晶圆的均一性
吸附腔室晶圆子卡真空卡盘键合设备晶圆边缘扭曲度键合圆盘状结构光刻制程键合工艺真空吸附减小键均一性吸附力减小制程对准

[发明专利]半导体设备及半导体工艺方法-CN201811376584.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体设备包括腔室、支撑座及加热装置，腔室上设置有晶圆进出口、进气口、第一排气口及第二排气口；进气口位于腔室的底部且连接至惰性气体源，以向腔室内供应惰性气体；第一排气口位于与晶圆进出口相对的一侧，第二排气口位于晶圆进出口的上方；支撑座位于腔室内，用于支撑晶圆；加热装置位于腔室内，用于对位于支撑座上的晶圆进行加热。本发明的半导体设备和半导体工艺方法可以在进行热处理等制程工艺前将制程腔室内的氧气等外来气体及颗粒杂质快速彻底清除，有助于提高设备运转率、改善器件性能和提升生产良率。
半导体设备半导体工艺方法