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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高效的半导体封装镀膜系统-CN202310160392.7在审
发明人：徐旻生;张永胜 -专利权人：深圳奥卓真空设备技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明包括装卸站、进出片室、搬送室、基片架、机械手、制程室以及阴极系统。其中，制程室圆筒状设计，制程室的中央安装有可旋转的伞架，制程室的壁上设有可旋转的阴极系统与深冷系统、ICP离子源、温度计、气体系统。本发明的制程室采用圆筒室设计，制程室内部设有快速旋转的伞架，制程室侧壁采用深冷系统有效地吸收溅射时的热量，解决了冷却与溅射连续性问题，提高镀膜效率；采用旋转式镀膜，有效节省靶材损耗；采用可旋转的阴极系统保证
一种高效半导体封装镀膜系统

[实用新型]一种高效的半导体封装镀膜系统-CN202320303972.2有效
发明人：徐旻生;张永胜 -专利权人：深圳奥卓真空设备技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型包括装卸站、进出片室、搬送室、基片架、机械手、制程室以及阴极系统。其中，制程室圆筒状设计，制程室的中央安装有可旋转的伞架，制程室的壁上设有可旋转的阴极系统与深冷系统、ICP离子源、温度计、气体系统。本实用新型的制程室采用圆筒室设计，制程室内部设有快速旋转的伞架，制程室侧壁采用深冷系统有效地吸收溅射时的热量，解决了冷却与溅射连续性问题，提高镀膜效率；采用旋转式镀膜，有效节省靶材损耗；采用可旋转的阴极系统保证
一种高效半导体封装镀膜系统

[发明专利]一种曝边机-CN201810686676.9有效
发明人：王威 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝边机，该曝边机包括：送风机构和曝光腔室；曝光腔室的顶壁设置有进气口，送风机构用于通过进气口向曝光腔室内输送气体；曝光腔室的底壁设置有第一排放口，以使得曝光腔室内的残留物通过第一排放口排出曝光腔室通过上述方式，本申请可以为曝光制程提供良好的环境，减少曝光过程产生的PR残留，进而提高显示面板的良率。
一种曝边机

[发明专利]用于等离子体处理装置的基片制程方法-CN201310057226.0有效
发明人：黄智林;席朝晖;杨平 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一用于等离子体处理装置的基片制程方法，根据等离子体处理装置的装载状态确定调整系数，在制程前根据调整系数和工艺参数调整因子对预设工艺参数进行调整，得到实际工艺参数，并以实际工艺参数对待处理半导体基片进行制程该方法针对具有两个或两个以上处理腔室的等离子体处理装置，能够在对多片待处理半导体基片同时进行制程的同时，不受同时进行处理的半导体基片数量限制的保证制程效果的一致性。
用于等离子体处理装置基片制程方法

[发明专利]晶圆冷却系统-CN201711275822.0在审
发明人：陈嘉任;陈嘉直 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开描述一种晶圆冷却/加热系统，包含一负载锁定腔室以及一冷热模块。负载锁定腔室是使用一层流设计，以改善在冷却/加热制程中横跨一或多个晶圆的温度的均匀性。负载锁定腔室可包含：(1)一晶圆固持器，被配置以于负载锁定腔室的一前侧接收多个晶圆；(2)沿着负载锁定腔室的一背侧、负载锁定腔室的一侧面或其组合所设置的一气体扩散器；以及(3)一或多个排气管路。另外，冷热模块可被配置以控制提供给负载锁定腔室的一气体的温度。
负载锁定腔室晶圆冷热冷却/加热系统气体扩散器控制提供冷却系统排气管路固持器均匀性层流配置制程种晶加热横跨冷却侧面

[发明专利]移除残余物的后蚀刻处理-CN200580038937.7无效
发明人：江康烈;柴曼平;马绍铭;叶雁;彼特·赫西 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用以由基板上的导电材料层移除残余物的方法。在一实施例中，此方法包含导入制程气体至真空反应室中，该真空反应室具有因暴露在含氟环境下而有残余物生成其上的基板表面。制程气体包含含氢气体。或者，制程气体另包含含氧气体或含氮气体。制程气体的等离子体之后是在真空反应室中维持一段预定时间以移除表面上的残余物。在等离子体步骤中，基板温度维持在大约10℃至大约90℃之间。
残余物蚀刻处理

[发明专利]晶圆处理系统-CN201811359669.4在审
发明人：谢文杰;叶书佑;高克斌;钟佳宏;吴立仁;陈俊佑;陈宏铭;吴泳铤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。
采样管排放导管防护元件气体感测器处理腔室上游端晶圆处理系统处理系统气体状况制程腔室延伸种晶监测覆盖观察配置

[发明专利]散热件-CN202111627070.6在审
发明人：王柏森;郭馨慈 -专利权人：奕昌有限公司;王柏森;郭馨慈
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种散热件，用以解决毛细现象瓶颈及现有散热件因设置支撑柱于腔体中而难以简化制程的问题。包含：一壳体，具有一腔室，该腔室中填充有一工作流体；及一毛细结构，位于该腔室中，该毛细结构具有至少一支撑部连接一基板，该基板与该支撑部分别抵接该壳体的相对二内表面。
散热

[实用新型]全自动气体置换装置-CN200820046802.6无效
发明人：彭燕丰 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型主要涉及一种气体置换装置，尤其是指一种全自动气体置换装置；其系包含一氮气管路、压缩空气管路与一腔室，氮气管路与压缩空气管路可分别将氮气与压缩空气送入腔室中，以供腔室进行生产模式与清洁模式之用，本实用新型不但可减少制程生产的成本，又能降低维修人员的危险。
全自动气体置换装置

[发明专利]处理发生于制程设备的废气的等离子体反应器-CN201480077937.7在审
发明人：高京吾;姜景斗;卢明根 -专利权人：清洁要素技术有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体反应器，其设置于制程腔室与真空泵之间分解从制程腔室排出的废气，包括：导管，其供所述废气流动；等离子体生成部件，其设置于所述导管引起等离子体放电以分解所述废气；壳体，其环绕所述导管，
处理生于设备废气等离子体反应器

[发明专利]免针连接器-CN201910356721.9有效
发明人：陈戴毅 -专利权人：陈戴毅
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A61M5/31 文献下载
摘要：底座设置在导流座上且具有螺合部及贯穿螺合部的通道。导流座与底座之间形成腔室，且导管与通道分别沿轴向连通于腔室。阀构件设置在导流座与底座之间，且可移动地位于该腔室内。密封件设置在阀构件远离导管的一端，且适于在同一制程中连结为一体。
连接器

[实用新型]免针连接器-CN201920612340.8有效
发明人：陈戴毅 -专利权人：陈戴毅
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： A61M5/31 文献下载
摘要：底座设置在导流座上且具有螺合部及贯穿螺合部的通道。导流座与底座之间形成腔室，且导管与通道分别沿轴向连通于腔室。阀构件设置在导流座与底座之间，且可移动地位于该腔室内。密封件设置在阀构件远离导管的一端，且适于在同一制程中连结为一体。
连接器

[实用新型]晶圆清洁单元及晶圆处理装置-CN202222097849.8有效
发明人：伍修颀;苏财钰;张涛;王鹏鹏 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆清洁单元及晶圆处理装置，该晶圆处理装置包括该晶圆清洁单元，该晶圆清洁单元包括：第一腔室，用于存储晶圆；吹扫组件，设置于所述第一腔室内，所述吹扫组件用于向晶圆表面吹扫清洁气体；及负压建立组件，与所述第一腔室连接，所述负压建立组件用于抽吸所述第一腔室内气体。当晶圆进入制程腔前或制程完成后，将晶圆至于该第一腔室内，通过吹扫组件吹扫晶圆的表面，使晶圆表面附着的微尘颗粒或副产物减少，并通过负压建立附件抽吸第一腔室内的气体，使这些微尘颗粒或副产物被抽出第一腔室内，
清洁单元处理装置

[实用新型]真空溅镀系统的阴极装置-CN201821174296.9有效
发明人：方振籛;郭金柱;郑博仁;黄泳钊 -专利权人：威欣系统股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种真空溅镀系统的阴极装置，适用于安装在界定出腔室的腔体上，并包含密封板、阴极单元，及抽气帮浦。该密封板适用于与该腔体组装并密封该腔室，该密封板形成有抽气口。该阴极单元组装在该密封板下方并位于该腔室，该阴极单元与该密封板配合界于出抽气流道。该抽气帮浦对应该抽气口而组装在该密封板上，且其位置与该阴极单元上下对应，该抽气帮浦适用于经由该抽气口与该抽气流道而抽走该腔室的气体。通过该抽气帮浦位于该阴极单元上方，抽气时可缩短气体移动路径，抽气速度快、效率高，并可提升制程稳定性。
密封板抽气阴极单元帮浦抽气口腔室真空溅镀系统组装阴极装置气流道腔体气体移动路径上下对应出腔界定制程密封配合

[发明专利]一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法-CN201310631819.3有效
发明人：顾梅梅;朱玉传;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。通过优化氮化硅薄膜工艺的传片方式：将“第一片硅片传入预热腔室等待工艺腔室SDC结束”，优化为“第一片硅片停留在装载端口里等待工艺腔室SDC结束”，以此减少首片硅片在预热腔室的等待时间，后续重复此类条件跑货
一种有效降低硅片小丘缺陷方法

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