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[发明专利]半导体制程腔室、半导体制程系统及产生制程气体流的方法-CN202110031932.2在审
发明人：叶祐良;赵志刚;黄秉恺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程腔室、半导体制程系统及产生制程气体流的方法，产生制程气体流的方法包括通过进气口将制程气体引入制程腔室的内部空间，其中基板支撑在该内部空间内；通过真空源通过与该制程腔室的内部空间流体连接的排气口从该内部空间排出制程气体；以及通过将排气挡板支撑在通过排气口从内部空间中排出的制程气体的流动路径内，控制通过真空源排出制程气体而建立的制程气体的流动。
半导体制程腔室系统产生气体方法

[发明专利]利用整合度量工具监测制程的稳定度-CN200410056399.1无效
发明人：慕依大卫;刘炜;佐佐野弘树 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于监测基底制程腔室的稳定度及调整制程参数的方法及装置。利用一整合的或原位的度量机台收集晶圆处理前与处理后的厚度及关键尺寸测量资料，以监测制程腔室的稳定度及调整制程参数。通过整合的度量机台而能够达到实时监测腔室之稳定度，以减少对晶圆进行错误制程的风险及成本。实时制程参数调整可以严格管制制程参数。利用此方法及装置亦可以缩短制程建立循环。
利用整合度量工具监测稳定

[发明专利]喷墨印头及其制程-CN200510083143.4有效
发明人：李致淳;蔡尚颖;陈佳麟;庄仁贤 -专利权人：国际联合科技股份有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明是有关于一种喷墨印头及其制程。该喷墨印头制程提供一晶圆，而此晶圆具有多个致动元件。在晶圆上形成一图案化光阻层，其中图案化光阻层具有多个腔室与分别连接至这些腔室的多个流道，且这些腔室位于这些致动元件上方。在图案化光阻层上形成一负光阻层，其中负光阻层覆盖这些腔室与这些流道。对于负光阻层进行一曝光制程，然后对于负光阻层进行一显影制程，以形成一图案化负光阻层，其中图案化负光阻层具有多个喷嘴，而这些喷嘴分别与这些腔室连通，且各喷嘴的孔径由图案化负光阻层的上表面往图案化负光阻层的下表面逐渐增加
喷墨及其

[发明专利]笛卡尔机械臂群集工具架构-CN201210342380.8有效
发明人： M·利斯;J·胡金斯;C·卡尔森;W·T·威弗;R·劳伦斯;E·英格哈特;D·C·鲁泽克;D·塞法缇;M·库查;K·范凯特;V·霍斯金;V·沙阿;S·洪乔姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使用多腔室制程系统来处理基材的方法及设备，该系统具有增加的产能、增强的系统可靠度、改善的器件合格率表现、可重复性更高的晶片制程历史、以及较小的占地面积(footprint)。该群集工具的各种实施例可使用以平行制程配置法配置的两个或多个机械臂，以在留置在所述制程架内的各个制程腔室间传送基材，因而可执行预期的制程程序。在一个方面中，该平行制程配置法包含两个或多个机械臂组件，该组件适于在垂直和水平方向上移动，以存取留置在所述制程架内的各个制程腔室。在一个实施例中，机械臂叶片适于限制基材，使得传送过程期间该基材所经历的加速不会使该机械臂叶片上的基材位置改变。
笛卡尔机械群集工具架构

[发明专利]笛卡尔机械臂群集工具架构-CN200680013355.8有效
发明人： M·利斯;J·胡金斯;C·卡尔森;W·T·威弗;R·劳伦斯;E·英格哈特;D·C·鲁泽克;D·塞法缇;M·库查;K·范凯特;V·霍斯金;V·沙阿;S·洪乔姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：兹提供一种使用多腔室制程系统来处理基材的方法及设备，该系统具有增加的产能、增强的系统可靠度、改善的元件合格率表现、再现性更高的晶片制程历史、以及较小的占地面积(footprint)。该群集工具的各种实施例可使用以平行制程配置法配置的两个或多个机械臂，以在留置在所述制程架内的各个制程腔室间传送基材，因而可执行预期的制程程序。在一实施态样中，该平行制程配置法包含两个或多个机械臂组件，其是适于在垂直和水平方向上移动，以存取留置在所述制程架内的若干制程腔室。在一实施例中，一机械臂叶片适于限制一基材，使得传送过程期间该基材所经历的加速不会使该机械臂叶片上的基材位置改变。
笛卡尔机械群集工具架构

[实用新型]真空溅镀系统-CN201921973356.8有效
发明人：郭金柱;郑博仁;黄泳钊 -专利权人：威欣系统股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种真空溅镀系统，适用于在至少一基板上沉积薄膜，所述真空溅镀系统包含腔体、基座、自动化横移台车，及自动化取放片单元。所述腔体界定出制程腔室及邻近所述制程腔室的低真空腔室，并包括设置于所述制程腔室与所述低真空腔室之间的真空阀门。所述基座设置于所述制程腔室且用于承载所述至少一基板。所述自动化横移台车可移动地设置于所述低真空腔室并供至少一待溅镀基板置放。所述自动化取放片单元可移动地设置于所述低真空腔室且用以移动置放于所述基座上的所述至少一基板，或是置放于所述自动化横移台车上的所述至少一待溅镀基板。
真空系统

[发明专利]等离子体刻蚀方法-CN201210567790.2有效
发明人：王兆祥;梁洁;杨平;李晶 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。
等离子体刻蚀方法

[发明专利]湿式制程腔室及包含其的湿式制程装置-CN201480015848.X有效
发明人：郑光春;温雄龟;韩英求 -专利权人：印可得株式会社
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种湿式制程腔室及包含其的湿式制程装置，所述湿式制程腔室是用于进行对被处理材的湿式制程的湿式制程腔室，包含壳体，其具备以供所述被处理材通过的方式形成的一个以上的开口部；及阻断部，其以与所述开口部对应的方式配置由此，可容易地保持湿式制程腔室内部的洁净度而精密地控制湿式制程。
湿式制程腔室包含湿式制程装置

[发明专利]真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法-CN201210199548.4有效
发明人：李苍;刘忠笃 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座、反应腔室、喷淋头，基座和喷淋头分别位于反应腔室内的下部和上部，喷淋头用于向反应腔室供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，基片放置在基座上，该装置还包括一个超声波发生单元，用于在反应腔室中产生超声波，使得制程气体的制程颗粒向下运动，与基片进行反应。采用这种装置不再需要专门的反应腔室清洗工艺，提高了生产效率、节省了开销。
真空处理装置控制颗粒沉积路径方法

[发明专利]基材蚀刻系统与制程的方法及设备-CN201110402772.4有效
发明人：夏尔马·V·帕马斯;乔恩·C·法;科哈伊德·西拉朱迪茵;伊兹拉·R·高德;詹姆斯·P·克鲁斯;斯科特·奥尔斯则维斯基;罗伊·C·南古伊;萨拉弗野特·辛加;道格拉斯·A·布池贝尔格尔;札瑞德·A·李;张春雷 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程的方法及设备。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材在另一实施例中，系统可以包括气体输送系统，该气体输送系统包含：第一气体盘，其用于供应第一气体到腔室；第二气体盘，其用于供应第二气体到该腔室；以及多个流量控制器，其用于引导这些气体到该腔室，以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡
基材蚀刻系统方法设备

[发明专利]基材蚀刻系统与制程的方法及设备-CN200980110364.2无效
发明人：夏尔马·V·帕马斯;乔恩·C·法;科哈伊德·西拉朱迪茵;伊兹拉·R·高德;詹姆斯·P·克鲁斯;斯科特·奥尔斯则维斯基;罗伊·C·南古伊;萨拉弗野特·辛加;道格拉斯·A·布池贝尔格尔;札瑞德·A·李;张春雷 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材在另一实施例中，系统可以包括气体输送系统，该气体输送系统包含：第一气体盘，其用于供应第一气体到腔室；第二气体盘，其用于供应第二气体到该腔室；以及多个流量控制器，其用于引导这些气体到该腔室，以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡
基材蚀刻系统方法设备

[发明专利]半导体处理装置、方法与系统-CN202110053319.0在审
发明人：魏恺进;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：制程腔室是耦接至装载端口，而风扇是配置以选择性地改变制程腔室中的流体流。一或多个感测器是被提供在制程腔室中，并配置以感测制程腔室中的一或多个处理参数。控制器是耦接至风扇及一或多个感测器，而控制器是配置以控制风扇，以基于所感测到的一或多个处理参数来改变制程腔室中的流体流。
半导体处理装置方法系统

[发明专利]笛卡尔机械臂群集工具架构-CN201110080003.7有效
发明人： M·利斯;J·胡金斯;C·卡尔森;W·T·威弗;R·劳伦斯;E·英格哈特;D·C·鲁泽克;D·塞法缇;M·库查;K·范凯特;V·霍斯金;V·沙阿;S·洪乔姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：兹提供一种使用多腔室制程系统来处理基材的方法及设备，该系统具有增加的产能、增强的系统可靠度、改善的元件合格率表现、再现性更高的晶片制程历史、以及较小的占地面积(foot print)。该群集工具的各种实施例可使用以平行制程配置法配置的两个或多个机械臂，以在留置在所述制程架内的各个制程腔室间传送基材，因而可执行预期的制程程序。在一实施态样中，该平行制程配置法包含两个或多个机械臂组件，其是适于在垂直和水平方向上移动，以存取留置在所述制程架内的若干制程腔室。在一实施例中，一机械臂叶片适于限制一基材，使得传送过程期间该基材所经历的加速不会使该机械臂叶片上的基材位置改变。
笛卡尔机械群集工具架构

[发明专利]光致抗蚀剂移除处理装置及方法-CN201180007223.5无效
发明人：艾里克·J·伯格曼;杰瑞·达斯廷·伦哈德;布赖恩·普奇;杰森·赖伊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23G1/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种制程腔室（20），其系在酸性环境（如硫酸）且选择性配合氧化剂（如过氧化氢），利用直接照射红外线以移除固化之光致抗蚀剂，制程腔室包括一晶片承载单元（26），其系承载并较佳可旋转晶片；一红外线产生组件（126）包括复数红外线灯，其系设置于制程腔室外，并用以发出红外光进入制程腔室，红外线灯所发出之红外光可以实质上照射位于承载单元上之晶片的完整表面；一冷却组件（150），其系用以协助快速冷却红外线产生组件，以避免制程反应过度。
光致抗蚀剂移处理装置方法

[发明专利]批次处理原子层沉积反应器的处理制程-CN200680034362.6无效
发明人： B·A·麦克道格尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供处理制程，以在气相沉积腔室中的制程期间降低基板的污染。处理制程可在例如原子层沉积(ALD)制程的气相沉积制程之前、期间或之后进行。在ALD制程的一例子中，含有中间处理步骤及预定循环数目的ALD循环的制程循环是重复进行，直至沉积材料具有所需厚度。腔室及基板在处理制程期间可暴露于惰性气体、氧化气体、氮化气体、还原气体或其等离子。在一例子中，在批次制程腔室中沉积氧化铪材料的制程包括预处理步骤、ALD制程的中间处理步骤及后处理步骤。
批次处理原子沉积反应器