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[发明专利]ITO薄膜的制作方法-CN201810374609.3有效
发明人：何海山;刘力明;黄伟东;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO薄膜的制作方法，包括：将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；对成膜腔室进行抽气处理；向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；为所述背板提供直流电；停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理。在低温条件下，对成膜腔室内通入工艺气体以清除隔离层表面的粒子，使得薄膜在成膜板上的附着性提升。一次抽气处理使得成膜腔室内部达到高真空状态，保证成膜腔室内的洁净度，改善了薄膜的致密性；二次抽气处理去除了薄膜表面异物，降低了因异物导致后续制程缺陷的超标率，从而获得符合更高参数要求的薄膜。
ito 薄膜制作方法

[发明专利]用以执行等离子相关制造制程的系统-CN201710137506.0在审
发明人：廖汉文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用以执行等离子相关制造制程的系统，包含处理腔室及位于处理腔室内的晶圆台。晶圆台用以固定处理晶圆。系统还包含位于晶圆台下面的底部电极、位于腔室外部的顶部电极及等离子分布机构。
等离子圆台分布机构制程可重新配置处理腔室底部电极顶部电极分布轮廓腔室外部处理腔晶圆制造室内统一

[实用新型]一种膜片贴附系统-CN201820941313.0有效
发明人：赵冬兵;王莉莉 -专利权人：川奇光电科技（扬州）有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： B29C63/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种膜片贴附系统，其包括膜片吸附平台、多个真空控制部件及真空泵，膜片吸附平台具有排成一列的多个吸附腔室，其底部具有吸附面，吸附面具有多个吸附气孔，多个吸附气孔分别位于多个吸附腔室的底部，并分别连通对应的吸附腔室；膜片吸附平台的侧壁具有多个气体进出口，多个气体进出口分别连通对应的吸附腔室；多个真空控制部件分别连接多个气体进出口；真空泵连接多个真空控制部件。本申请的膜片贴附系统过多个真空控制部件的控制多个吸附腔室的吸附状态，避免尾端的膜片因吸力不足而掉落在基板的问题，避免影响到后段制程和成品组装。
吸附腔室真空控制部件膜片气体进出口膜片贴附吸附平台吸附面吸附连通本实用新型真空泵连接成品组装后段制程吸附状态吸力不足真空泵掉落侧壁基板申请

[实用新型]一种SMD接线端子-CN201920021846.1有效
发明人：陈建万 -专利权人：慈溪市万捷电子有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01R9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种SMD接线端子，其特征在于包括绝缘壳体、导电紧固件、顶紧螺丝及位于所述壳体底面的定位柱；所述壳体底部设有至少一侧面开口的腔室，所述紧固件设有穿线孔；所述紧固件固定在该腔室中且所述穿线孔对应所述腔室的侧面开口；所述顶紧螺丝穿过所述腔室顶壁和所述紧固件顶部的通孔并与所述通孔内壁的螺纹相配合实现竖直运动以将位于所述穿线孔中的导线压紧固定；定位柱与PCB板上的安装孔过盈配合。同时定位柱的凸起筋条使得定位柱与PCB板过盈干涉，可有效解决制程工艺上的产品,与PCB板贴板后，进入回流焊接之前，减少受外力轻微振动因素导致的产品上浮隐患。
定位柱穿线孔紧固件腔室本实用新型侧面开口顶紧螺丝壳体导电紧固件高电流负载小安装空间过盈配合回流焊接接线端子绝缘壳体腔室顶壁轻微振动竖直运动通孔内壁凸起筋条压紧固定有效解决装配工艺安装孔螺纹上浮贴板通孔制程穿过干涉配合

[发明专利]用于制程处理室喷洒头的悬置机构-CN200610126789.0有效
发明人： E·凯勒 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：用以在制程处理室中悬吊喷洒头的悬吊壁内的应力可通过下列一或多种方式予以改善：(1)气体密封外围，协助保护悬吊壁不直接接触制程气体。该气体密封外围连接至处理室壁或喷洒头，但非直接连接两者；(2)悬吊壁中的开口，在处理室盖件开启时，所述开口可减少悬吊壁暴露于制程气体或周遭环境的机会；(3)实质上垂直配置的一或多个裂口，位于悬吊壁中以协助悬吊壁水平弯折或弯曲
用于处理喷洒悬置机构

[发明专利]PVD－CVD混合系统-CN200510137090.X有效
发明人：竹原孝子;孙昇;约翰·M·怀特 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制作具有一或多层含硅层及一或多层含金属层的膜堆栈的方法，以及一种具有此膜堆栈形成于基板上的基板处理系统。此基板处理系统包括，一或多个传送室，连接至一或多个装载室以及二或多个不同种类的制程反应室上。此二或多个种类的制程反应室是用以淀积一或多层含硅层及一或多层含金属层于相同基板处理系统中，而不需打破真空，或将基板移出此基板处理系统以避免表面污染、氧化等，用以省略额外的清洗或表面处理步骤。此基板处理系统构成为，向原处基板处理提供高产率及紧凑的占地面积，以及执行不同种类的制程。
pvd cvd 混合系统

[发明专利]一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置-CN201210594588.9有效
发明人：杜若昕;梁洁;王兆祥;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法
一种射频脉冲等离子体刻蚀方法及其装置

[发明专利]真空传输制程设备及方法-CN201010520962.1有效
发明人：桑尼·沃哈·诺奇;金浩;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空传输制程设备及方法，该设备包括一真空制程腔，该真空制程腔中设有一加工装置，该加工装置具有一加工区域，该真空制程腔的一端设有一进件腔、另一端设有一出件腔；该真空制程腔中在该加工区域的接近该进件腔的一侧设有一第一等待区域，该真空制程腔中在该加工区域的接近该出件腔的另一侧设有一第二等待区域；该真空传输制程设备还包括多个传输平台；各传输平台用于依次连续地移动通过该加工区域完成工件加工。
真空传输设备方法

[发明专利]远端电浆增强化学气相沉积装置-CN201611029688.1有效
发明人：张宇顺 -专利权人：张宇顺
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：该装置包括相互连通的反应室和远端电浆产生室，远端电浆产生室上设有制程气体入口，反应室上设有副产品抽出口；反应室内设有平台，平台的平台面上放置有基片，远端电浆产生室中同时且互相隔离地设置有直流放电单元、射频放电单元和微波放电单元，直流放电单元、射频放电单元和微波放电单元同步产生放电，用以使远端电浆产生室内的制程气体形成电浆，并通入反应室中。本发明通过远端电浆产生室产生符合要求的电浆源，能够有效控制电浆密度，避免形成的电浆密度较低或空间分布不均等缺陷，提升了该远端电浆增强化学气相沉积装置的使用效率及其制程效率。
远端增强化学沉积装置

[发明专利]用于处理晶圆的设备以及处理晶圆的方法-CN202011541481.9在审
发明人：吴承恩;陈裕凯;方进坤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于处理晶圆的设备以及处理晶圆的方法，用于处理晶圆的设备包含第一制程处理室、第二制程处理室、转移区、机器手臂装置以及抽气管。转移区连接该第一制程处理室以及该第二制程处理室。
用于处理设备以及方法

[发明专利]阴极放电装置-CN200810184386.0有效
发明人：董福庆;沈添沐;何荣振;吴佩珊;陈家铭;陈冠州;简荣祯;梁沐旺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明是提供一种阴极放电装置，其包括一阳极、一阴极以及多个阴极腔室。其中该阴极位于该阳极内，该阴极内部具有多个气体流道及至少一流道通孔，其中该多个气体流道经由该流道通孔相通；该多个阴极腔室位于该阴极内，每一该阴极腔室具有一腔室气体入口与一腔室气体出口，每一该阴极腔室经由该腔室气体入口与该气体流道相通本发明可应用于太阳能电池等光电装置的大面积薄膜制程的中空阴极放电的电浆源装置，通过工作气体流道的稳压作用，电浆具有高均匀度与高解离度的特性，并可提高成膜速率，大幅提升太阳能电池等光电装置的制造技术、产品性能
阴极放电装置

[发明专利]液晶盒成盒装置及其方法-CN201010505974.7有效
发明人：王贇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶盒成盒装置及其方法，所述液晶盒成盒装置包含一预对位真空腔室、一真空压合腔室及一密封胶固化腔室。所述预对位真空腔室包含一梳式运送系统可使一待压合的第一基板及第二基板对位并将所述第一基板及第二基板送入所述真空压合腔室。所述真空压合腔室于接近真空状态下利用一压合装置压合所述第一基板及第二基板而成一基板组件，再利用一滚轮装置将所述基板组件送入所述密封胶固化腔室。所述密封胶固化腔室利用至少一紫外光点光源在所述基板组件上方移动并照射所述基板组件表面，以固化所述基板组件内的至少一密封胶，进而完成液晶面板的液晶盒制造。所述液晶盒成盒装置可缩短制程时间并且降低设备成本。
液晶盒装及其方法

[发明专利]一种晶圆加热设备-CN202310929388.2在审
发明人：张琪;符友银;杨涛 -专利权人：新毅东（上海）科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆加热设备，包括加热主体和覆盖于所述加热主体顶面的承托板，所述加热主体与承托板围成加热腔室，所述加热腔室内注入传热介质，所述加热腔室连通换热导管，所述换热导管另一端穿过一换热装置后连通于所述加热腔室本发明用以解决现有技术中晶圆加热器降温所需时间过长而导致当后续加热步骤需要降温时所存在的影响晶圆整个制程效率的问题。
一种加热设备

[发明专利]监控半导体生产稳定性的方法以及监控系统-CN202110948923.X在审
发明人：蒋中任 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种监控半导体生产稳定性的方法以及监控系统，方法包括：获取预设时间段内不同半导体制程的半导体的性能数据，不同半导体制程采用不同类型的机台组进行，且每一类型所述机台组具有不同的机台，每一所述机台具有不同的机台腔室对所述性能数据进行第一分类处理，获取每一类型的所述机台组的第一失控行为的数量；基于所述第一失控行为的数量，从不同类型的所述机台组中获取出错机台组；对所述出错机台组的所述性能数据进行第二分类处理，获取每一所述机台腔室的第二失控行为的数量；基于所述第二失控行为的数量，获取并停用出错的所述机台腔室。
监控半导体生产稳定性方法以及系统

[发明专利]等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法-CN201310688060.2有效
发明人：贺小明;徐朝阳;彭帆 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法，所述气体喷淋头是一体成型的，其中设置有若干个一次加工完成的气体通孔，所述气体喷淋头外壁以及气体通孔内壁覆盖有一层第一抗腐蚀层。本发明提供的等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法工序简单、制造成本低。气体喷淋头结构更加稳定可靠，并且抗腐蚀层无空隙且更稠密，不会开裂。本发明提供的等离子体处理腔室中基片制程更加稳定。
等离子体处理气体喷淋及其制造方法