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[发明专利]等离子体产生器、等离子体处理设备及电力脉冲供应方法-CN201880023582.1有效
发明人：夕巴斯汀·哈柏特斯·舒兹;汤玛斯·沛尔瑙;弗洛里安·那把尔;菲力克斯·华克 -专利权人：商先创国际股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体产生器包括：控制单元，配置为获得及评估有关至少两个制程室中的制程的制程数据；具有输出的可控制的供电单元，配置为在其输出上以响应控制单元的控制信号的方式输出直流电；以及切换单元，具有用于各自与制程室中的一个连接的至少两个切换单元输出控制单元配置为协调制程室的功率需求且驱动供电单元及切换单元，使得在各与制程室连接的切换单元输出上将与功率需求对应的功率在一时间段作为脉冲提供，各制程室的脉冲在时间上相互错开，使得制程室能够同步工作。
等离子体产生器处理设备电力脉冲供应方法

[发明专利]等离子体系统的回馈控制方法及其系统-CN201210585488.X有效
发明人：洪政源;陈威宇;吴奕达;杨思华;孙嘉鸿;翁敏航;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体系统的回馈控制方法及其系统，该等离子体系统包含一个等离子体产生腔室、一个光传感器、一个操作模块，及一个控制模块，且该控制模块具有一个包括有多种对应不同等离子体制程条件的等离子体标准光谱的标准光谱数据库借由该光传感器对该等离子体产生腔室中气体电离产生等离子体时所发出的光进行检测，并将其转换得到一个放光光谱，再将该放光光谱与该标准光谱数据库中相对应等离子体制程条件的等离子体标准光谱进行比对，经由比对的结果以实时调整与控制该等离子体系统的制程条件与参数
等离子体系统回馈控制方法及其

[发明专利]一种用于人脸识别滤光片镀膜设备-CN202111649984.2在审
发明人：徐旻生;张永胜;庄炳河;张晓鹏;伍发根;杨凤鸣 -专利权人：深圳奥卓真空设备技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于人脸识别滤光片镀膜设备，包括进出片室、搬运室与制程室，进出片室两端各设有门阀与大气、搬运室真空密封连接，搬运室设在制程室内部一侧，真空机械手安装在搬运室内，制程室内部还设有ICP氧化源、可旋转伞架、阴极系统与真空泵；横向隔离机构设在制程室中部；粗抽泵组与进出片室、搬运室真空密封连接；搬运系统包括依次穿过生产线的导轨、基片架、夹紧机构、传感器与动力组件。本发明在制程室中部设有多个横向隔离机构，解决了气氛隔离偏低问题，从而实现ICP进气量增大，使得ICP工作气氛更加稳定，进而镀膜压力更低，膜质更加优良，生产良率大幅提高，成本大幅下降。
一种用于识别滤光镀膜设备

[发明专利]用于如晶粒附接系统、覆晶接合系统、及片夹附接系统之设备的烤箱及相关方法-CN202180042399.8在审
发明人： C·B·卢钦格 -专利权人：库利克和索夫工业公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：该烤箱包括：(a)腔室，该腔室至少部分地由(i)烤箱板和(ii)盖体定义；(b)材料处理系统，用于将工件移动通过与导电接点成形制程相关的烤箱；以及(c)至少一真空室，位于腔室内。
用于晶粒系统接合片夹附接设备烤箱相关方法

[发明专利]化学气相沉积装置及其沉积方法-CN201611029745.6有效
发明人：张宇顺 -专利权人：张宇顺
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：该装置包括反应室、与反应室相连通的制程气体入口和副产品抽出口，反应室内设有平台，平台上固定有平台面，用以承置基片；反应室中存有由制程气体所形成的电浆，反应室内腔中设有至少一电场装置，用以对反应室内的电浆产生电性吸力效应本发明利用电场装置对反应室中的电浆产生电性吸力效应，使电浆中的源材料或薄膜先前物在成膜之前发生移动，从而增进沉积薄膜的均匀性，同时还可有效控制并减小沉积薄膜的厚度，避免先前技术因沉积成较厚薄膜而须另进行研磨的麻烦，提升了电浆增强化学沉积反应室的使用效率及薄膜的制程效率。
化学沉积装置及其方法

[发明专利]微流体致动器-CN201811404394.1在审
发明人：莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;陈宣恺 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种微流体致动器，包含一基板、一腔体层、一振动层、一下电极层、一上电极层、一孔板层及一流道层。基板透过蚀刻制程形成一出流孔洞、多个第一进流孔洞以及一第二进流孔洞。腔体层形成于基板上，并透过蚀刻制程形成一储流腔室。振动层形成于腔体层上。下电极层形成于振动层上。压电致动层形成于下电极层上。上电极层形成于压电致动层上。孔板层透过蚀刻制程形成一出流口以及一进流口。流道层形成于孔板层之上，透过光刻制程形成一出流通道及一进流通道，并接合于基板。提供驱动电源至上电极层及下电极层，以驱动并控制振动层产生上下位移，以完成流体传输。
流体致动器

[实用新型]微流体致动器-CN201821939228.7有效
发明人：莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;陈宣恺 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种微流体致动器，包含一基板、一腔体层、一振动层、一下电极层、一上电极层、一孔板层及一流道层。基板借助于蚀刻制程形成一出流孔洞、多个第一进流孔洞以及一第二进流孔洞。腔体层形成于基板上，并借助于蚀刻制程形成一储流腔室。振动层形成于腔体层上。下电极层形成于振动层上。压电致动层形成于下电极层上。上电极层形成于压电致动层上。孔板层借助于蚀刻制程形成一出流口以及一进流口。流道层形成于孔板层之上，借助于光刻制程形成一出流通道及一进流通道，并接合于基板。提供驱动电源至上电极层及下电极层，以驱动并控制振动层产生上下位移，以完成流体传输。
电极层振动层基板孔洞蚀刻制程下电极层孔板层压电致动腔体层出流通道光刻制程进流通道流体传输驱动电源上下位移接合出流口储流腔进流口流道层微流体致动器体层驱动

[发明专利]一种真空干燥装置及显示基板干燥方法-CN201911352776.9有效
发明人：黄辉 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：所述真空干燥装置包括至少两个冷凝板、真空干燥腔室以及相邻的存储腔室。所述存储腔室用于存储所述至少两个冷凝板。所述真空干燥腔室内设置有支撑机构，用于支撑固定所述冷凝板。本揭示的真空干燥装置配置至少两个冷凝板，并设置存储腔室，可根据实际制程需求使用抓取机构随时更换冷凝板，避免了冷凝板频繁拆卸及保养的难度。
一种真空干燥装置显示方法

[发明专利]具有对开式遮蔽构件的薄膜沉积设备-CN202110725815.6在审
发明人：林俊成;沈祐德 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种具有对开式遮蔽构件的薄膜沉积设备，包括一腔室主体、一承载盘及一对开式遮蔽构件，其中承载盘及部分的对开式遮蔽构件位于腔室主体内。腔室主体包括一反应腔体及两个感测区，其中两个感测区连接反应腔体，且感测区的厚度小于反应腔体。对开式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第二遮蔽板及一驱动装置，其中驱动装置驱动第一及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行沉积制程时第一及第二遮蔽板会相互远离，其中部分的第一及第二遮蔽板位于感测区内。在进行清洁制程时第一及第二遮蔽板会相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘。
具有对开遮蔽构件薄膜沉积设备

[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室-CN201710127682.6有效
发明人： D·卢博米尔斯基;S·耐马尼;E·叶;S·G·别洛斯托茨基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。
用于蚀刻其它质膜制程腔室

[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室-CN201910594878.5有效
发明人： D·卢博米尔斯基;S·耐马尼;E·叶;S·G·别洛斯托茨基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。
用于蚀刻其它质膜制程腔室

[实用新型]具有对开式遮蔽构件的沉积设备-CN202121457293.8有效
发明人：林俊成;沈祐德 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有对开式遮蔽构件的沉积设备，包括一腔室主体、一承载盘及一对开式遮蔽构件，其中承载盘及部分的对开式遮蔽构件位于腔室主体内。腔室主体包括一反应腔体及两个感测区，其中两个感测区连接反应腔体，且感测区的厚度小于反应腔体。对开式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第二遮蔽板及一驱动装置，其中驱动装置驱动第一及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行沉积制程时第一及第二遮蔽板会相互远离，其中部分的第一及第二遮蔽板位于感测区内。在进行清洁制程时第一及第二遮蔽板会相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘。
具有对开遮蔽构件沉积设备

[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室-CN201280048477.6有效
发明人： D·卢博米尔斯基;S·耐马尼;E·叶;S·G·别洛斯托茨基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。
用于蚀刻其它质膜制程腔室

[实用新型]处理半导体制程废气的旋风式合氧燃烧装置-CN201020632844.5有效
发明人：冯五良 -专利权人：东服企业股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种处理半导体制程废气的旋风式合氧燃烧装置，在一入口头座内配置一废气通道，连通于外界一废气供应端与入口头座下方一燃烧区之间，导引废气进入燃烧区，且废气通道外围间隔设置两个隔板，该废气通道外围与所述隔板之间形成一点火腔室，且所述隔板上分别形成连通外界一燃气供应端、点火腔室与燃烧区的复数斜孔，导引燃气经由点火腔室漩涡进入燃烧区，期间接受点火腔室内一点火器点燃而生成漩涡火焰，以燃烧进入燃烧区的废气。
处理半导体废气旋风式燃烧装置

[实用新型]半导体设备的单元组件和半导体设备-CN202223372968.6有效
发明人：王悦 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：该半导体设备的单元组件包括腔室和排气通道。排气通道的一端与腔室连通，另一端连通至半导体设备的排气连通管路。其中，排气通道上设置有排气调节装置，该排气调节装置上设置有多个排气孔，且排气调节装置可调整，以调节排气调节装置接入到排气通道中的可排气面积，调节腔室的气压。该半导体设备包括如上所述的多个单元组件。通过上述方式，本申请能够避免制程的半导体器件形成缺陷。
半导体设备单元组件