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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备-CN202211600688.8在审
发明人：王荣栋;杨云春;陆原;张拴;马诗潇 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。
光刻刻蚀同轴牺牲释放方法相关设备

[发明专利]空气桥的制造方法以及量子芯片-CN202310618859.8在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;张辉 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：制造方法包括：提供具有依次层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层的基底；在第一光刻胶层上形成中心点依次相连构成封闭图形的至少三个通孔，在第二光刻胶层上形成暴露出全部通孔的开口；以相同厚度形成填充每个通孔的第一金属结构以及覆盖开口内的第一光刻胶层且与全部第一金属结构相连的第二金属结构；去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，以获得空气桥。第一金属结构作为桥墩，第二金属结构作为连接桥墩的桥面，由于桥墩有四根，且四根桥墩两两之间都连接有桥面，空气桥的结构强度得到加强，从而能够提高空气桥的结构稳定性，在去除光刻胶时，不容易造成结构破坏，且去除光刻胶后
空气制造方法以及量子芯片

[发明专利]一种焊盘修复方法-CN202310778966.7在审
发明人：侯克玉;于海超 -专利权人：强一半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种焊盘修复方法，包括以下步骤：提供具有缺陷焊盘的陶瓷基板，去除陶瓷基板上的缺陷焊盘；在陶瓷基板出现缺陷焊盘的一面旋涂光刻胶，形成第一光刻胶层；采用第一图纸对陶瓷基板进行第一次曝光显影，获得缺陷焊盘的开口；对陶瓷基板进行烘烤，使第一光刻胶层固化；在第一光刻胶层表面镀金属膜；在金属膜上旋涂光刻胶，形成第二光刻胶层；采用第二图纸对陶瓷基板进行第二次曝光显影，获得缺陷焊盘的开口；对陶瓷基板进行烘烤，使第二光刻胶层固化；对陶瓷基板进行电镀，获得修复焊盘；去除陶瓷基板上的第一光刻胶层、第二光刻胶层和金属膜。
一种修复方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201210576088.2有效
发明人：解子颜;张铭庆;张家维;陈昭成;李俊鸿;吴岱霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入到没有被第一光刻胶层覆盖的多晶硅层的部分中；从多晶硅层去除第一光刻胶层；以及使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。
半导体结构制造方法

[发明专利]OLED色度调整方法-CN201710008840.6在审
发明人：徐湘伦;赵梦 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种OLED色度调整方法，包括步骤101，对OLED使用封装层进行封装之后，在封装层表面覆盖第一光刻胶，第一光刻胶中掺杂染色剂。步骤102，利用光掩膜板对第一光刻胶进行曝光处理。步骤103，利用显影液对经过曝光处理的第一光刻胶进行处理，以获得第二光刻胶，第二光刻胶上具有呈阵列分布的孔洞。通过在光刻胶中加入染色剂来调整光刻胶的折射率，从而提高OLED元件的光耦合作用，以调整OLED的色度。
oled 色度调整方法

[发明专利]一种光刻胶及图案化方法-CN202110707464.6有效
发明人：霍建辉;卢克军;张宁 -专利权人：北京北旭电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻胶及图案化方法，属于光刻技术领域。光刻胶包括树脂材料和感光剂，树脂材料发生去保护反应时能够产生羧酸和/或酚羟基。图案化方法包括：采用光刻胶形成光刻胶层，并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光，然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。光刻胶在具有较好的光敏性和固化后透过率的情况下，能够兼具较好的曝光后环境稳定性。
一种光刻图案方法

[发明专利]沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法-CN201110388536.1有效
发明人：熊磊;奚斐 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：根据本发明的沟槽刻蚀方法包括衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽
沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造

[发明专利]一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法-CN201611077084.4有效
发明人：刘鹏;胡伟玲;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法。具体为通过对光刻胶涂布的结构和成分进行设计，改善高深宽比光刻胶形貌。在多层光刻胶结构中，通过最上层的光刻胶定义图形，通过第二层的硬掩模层转移图形，通过对第三层即多层复合膜层的结构与成分的设计，防止和减缓光刻胶成分在侧向被刻蚀的趋势，并通过形貌修复步骤进一步改善光刻胶形貌，最后形成良好形貌的高深宽比光刻胶图形。
一种改善高深光刻形貌结构方法

[发明专利]光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法-CN202010717981.7有效
发明人：张文龙;郑亚锐;张胜誉 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法。该光刻胶结构的制作方法，利用单种光刻胶、只需要使用单一显影液进行一次显影即可得到含底切的第二光刻胶层，且底切的尺寸可通过显影时间来控制，从而避免了例如传统剥离工艺中沉积材料与光刻胶结构的侧壁粘连而导致的剥离困难等问题；采用第一光刻胶层作为保护胶层，可以避免显影时，显影液对衬底材料的腐蚀损坏；并通过刻蚀第一光刻胶层，使得作为保护胶层的第一光刻胶层转变为图形限制胶层，能够有效地防止沉积材料过程中，沉积材料底部发生侧向扩散，得到形貌良好的沉积层。
光刻胶结图形沉积半导体芯片及其制作方法

[发明专利]反向金属模板及其制备方法、柔性产品的制备方法-CN202210937651.8在审
发明人：胡庆文;李晓军 -专利权人：广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于柔性产品的反向金属模板的制备方法，包括以下步骤：在柔性基底上形成胶层；将具有正向图形结构的母模板压合在所述胶层上，固化所述胶层使所述胶层形成模板胶层，形成反向柔性模板；去除所述母模板；在硬质基底上形成光刻胶层；将所述反向柔性模板压合在所述光刻胶层上，固化所述光刻胶层使所述光刻胶层形成图形化光刻胶层；去除所述反向柔性模板；在所述图形化光刻胶层上制备反向金属模板，其中，所述反向金属模板上具有与所述正向图形结构相反的反向图形结构；以及去除所述图形化光刻胶层和所述硬质基底。
反向金属模板及其制备方法柔性产品

[发明专利]MEMS的缓变侧壁的形成方法-CN201010618735.2无效
发明人：李佳青;康晓旭;袁超 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供MEMS的缓变侧壁的形成方法，通过以图案化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀部分所述第一薄膜；利用富氧等离子体对图案化的第一光刻胶层进行修整；以修整后的第一光刻胶层为掩膜，再次刻蚀所述第一薄膜，以露出所述衬底；去除修整后的第一光刻胶层后，并淀积第二薄膜；在所述第二薄膜上形成图案化的第二光刻胶层；以所述图案化的第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二薄膜后，去除所述图案化的第二光刻胶层。
mems 侧壁形成方法

[发明专利]一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法-CN201810714556.5有效
发明人：陈兢;李轩扬;宋璐;夏雁鸣 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，形成硬掩膜图形；旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀
一种提高高深合金刻蚀均匀方法

[发明专利]去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法-CN201910730356.3有效
发明人：熊易斯 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法，所述去除光刻胶残留的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。本发明的技术方案使得晶圆的边缘区上的光刻胶层被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。
去除光刻残留方法半导体器件制造

[发明专利]降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法-CN201310195574.4无效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底硅片上首先沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿透第一光刻胶；在同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布微缩辅助膜以固化第一光刻胶中金属槽结构图形，加热使微缩辅助膜与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除没有与第一光刻胶表面反应而剩下的微缩辅助膜；在形成有隔离膜的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；通过曝光和显影在第二光刻胶膜中形成处于金属槽结构内的通孔结构以及处于第一光刻胶上的冗余金属槽结构
降低冗余金属耦合电容沟槽优先大马士革互连方法

[发明专利]降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法-CN201310195592.2无效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底硅片上首先沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿透第一光刻胶；在同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布化学微缩材料RELACS以固化第一光刻胶中金属槽结构图形，加热使化学微缩材料RELACS与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除没有与第一光刻胶表面反应而剩下的化学微缩材料RELACS；在形成有隔离膜的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；通过曝光和显影在第二光刻胶膜中形成处于金属槽结构内的通孔结构以及处于第一光刻胶上的冗余金属槽结构。
降低冗余金属耦合电容沟槽优先大马士革互连方法

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