专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110483658.2在审
  • 任烨;卜伟海;武咏琴 - 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
  • 2021-04-30 - 2022-11-01 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底;在基底上形成沟道结构,沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层,沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层,牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层,沿沟道结构的延伸方向上,沟道结构包括沟道区,其中,第二牺牲层的耐刻蚀度小于第一牺牲层的耐刻蚀度;刻蚀去除沟道区的牺牲层;刻蚀去除沟道区的牺牲层后,在沟道区中,形成栅极结构,包括环绕覆盖沟道层的栅介质层刻蚀去除牺牲层的过程中,第二牺牲层易于被先去除,露出第一牺牲层在水平方向的表面,增大第一牺牲层与刻蚀介质的接触面积,有利于加快第一牺牲层的被刻蚀速率。
  • 半导体结构形成方法
  • [实用新型]一种内涂层套管井的牺牲阳极保护装置-CN202123273441.3有效
  • 闫宇;闫文科;闫文鹏;冯涛;张胜忠;刘伟 - 天信管业科技集团有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-07-12 - C23F13/06
  • 本实用新型公开了一种内涂层套管井的牺牲阳极保护装置,涉及牺牲阳极保护技术领域。该内涂层套管井的牺牲阳极保护装置,包括碳钢油管短节,所述碳钢油管短节的表面设置有第一牺牲阳极组和第二牺牲阳极组,第一牺牲阳极组的靠近第二牺牲阳极组一侧的下侧与第二牺牲阳极组后侧转动连接。该内涂层套管井的牺牲阳极保护装置,通过蜗轮转动使螺纹杆带动两个固定架进行相对移动,并使固定架滑入固定槽的内部,从而实现第一牺牲阳极组与第二牺牲阳极组的位置固定,使工作人员可以更加方便的对第一牺牲阳极组与第二牺牲阳极组进行安装,使管道的维护速度得到提升,并减少第一牺牲阳极组与第二牺牲阳极组的安装速度对工程进度的影响。
  • 一种涂层管井牺牲阳极保护装置
  • [发明专利]自对准多重图形的形成方法-CN201310106682.X有效
  • 尚飞;何其旸 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-03-28 - 2019-05-28 - H01L21/027
  • 一种自对准多重图形的形成方法,包括:待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层,相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面,第一牺牲层表面具有第二牺牲层;沿第二牺牲层的侧壁表面去除部分第二牺牲层,并暴露出部分第一牺牲层表面;在待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜;回刻蚀掩膜薄膜,在第二牺牲层两侧的第一牺牲层表面形成第二掩膜,在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜;在形成第一掩膜和第二掩膜之后,去除第二牺牲层;在去除第二牺牲层之后,以第二掩膜为掩膜,刻蚀第一牺牲层直至暴露出待刻蚀层为止,刻蚀后的第一牺牲层形成第三掩膜。
  • 对准多重图形形成方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111064472.X在审
  • 郑二虎 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-09-10 - 2023-03-14 - H01L21/8238
  • 一种半导体结构的形成方法,沟道叠层中的牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层,先对晶体管区的沟道叠层进行退火处理,提高相邻第一牺牲层和第二牺牲层的材料间扩散程度均一性,从而提高内凹槽的横向深度均一性;且第二牺牲层和第一牺牲层之间具有刻蚀选择比,在横向刻蚀第二牺牲层的过程中,第一牺牲层对沟道层起到保护作用,在初始内凹槽深度满足需求的同时,提高初始内凹槽露出的第二牺牲层和混合层的端部平整度;此外,第一牺牲层和沟道层的材料间扩散能力低于第一牺牲层和第二牺牲层的材料间扩散能力,在退火处理后,相邻第一牺牲层和沟道层之间的混合层厚度较小,提高内凹槽侧壁平整度,并减小对沟道层的损伤。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210158877.8在审
  • 廖大庆 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-02-21 - 2023-08-29 - H01L23/64
  • 该发明公开了一种半导体结构及其制造方法,所述制造方法包括:提供一基底;形成牺牲层于基底上,牺牲层包括间隔设置的第一子牺牲层和第二子牺牲层,第一子牺牲层和第二子牺牲层分别与基底接触,第一子牺牲层的刻蚀速率小于第二子牺牲层的刻蚀速率;形成掩膜层于牺牲层上,掩膜层包括多个第一掩膜开口,多个第一掩膜开口位于第一子牺牲层上;通过第一掩膜开口对第一子牺牲层进行刻蚀,以形成多个第一牺牲孔,第一牺牲孔的部分边缘延伸至第二子牺牲层内;通过多个第一牺牲孔对基底进行刻蚀
  • 半导体结构及其制造方法
  • [实用新型]一种太阳能电池外延片-CN201520517528.6有效
  • 黄添懋;杨晓杰;刘凤全;叶继春 - 苏州强明光电有限公司
  • 2015-07-16 - 2016-01-20 - H01L31/0693
  • 一种太阳能电池外延片,该太阳能电池外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、组合牺牲层和太阳能电池层,组合牺牲层包括第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层,第一牺牲层紧贴缓冲层设置,第三牺牲层紧贴太阳能电池层设置,第二牺牲层设置于第一牺牲层与第三牺牲层之间,且第二牺牲层的被腐蚀速度快于第一牺牲层和第三牺牲层的被腐蚀速度。解决了现有技术中利用外延剥离技术制作太阳能电池时较早被腐蚀的牺牲层部分对应的衬底和太阳能电池层因长时间与腐蚀液直接接触导致被缓慢腐蚀的技术问题。
  • 一种太阳能电池外延
  • [发明专利]MEMS麦克风及其制造方法-CN202211731901.9在审
  • 鲁列微;徐泽洋 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-06-23 - G05B19/04
  • 本申请公开了一种MEMS麦克风及其制造方法,该制造方法包括如下步骤:在基底的第一表面上依次形成第一牺牲层、振膜、第二牺牲层和背板,并在背板上形成多个背板声孔,背板声孔露出部分第二牺牲层;在背板上形成第三牺牲层,第三牺牲层填充背板声孔,且第三牺牲层的周向边缘处露出部分背板;在第三牺牲层上和第三牺牲层周向边缘处露出的部分背板上形成盖板,并在第三牺牲层上的盖板中形成多个盖板声孔,盖板声孔露出部分第三牺牲层;在基底的第二表面形成背洞,释放第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层。
  • mems麦克风及其制造方法
  • [发明专利]自对准三重图形的形成方法-CN201310106678.3有效
  • 尚飞;何其旸 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-03-28 - 2018-03-06 - H01L21/033
  • 一种自对准三重图形的形成方法,包括提供待刻蚀层,所述待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层,相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面,所述第一牺牲层表面具有第二牺牲层;在所述待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜;去除所述第二牺牲层的侧壁和顶部表面的掩膜薄膜,在所述第一牺牲层两侧形成第一掩膜;在形成所述第一掩膜之后,沿所述第二牺牲层的侧壁表面去除部分所述第二牺牲层,使所述第二牺牲层的尺寸缩小,并暴露出部分第一牺牲层表面,所述尺寸缩小到第二牺牲层形成第二掩膜。
  • 对准三重图形形成方法
  • [发明专利]金属栅极的形成方法-CN201210322184.4有效
  • 洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-09-03 - 2014-03-26 - H01L21/28
  • 一种金属栅极的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成若干平行的环形牺牲栅极,所述环形牺牲栅极具有第一子牺牲栅极、和第一子牺牲栅极平行的第二子牺牲栅极、以及位于第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极两端的第三子牺牲栅极;在所述半导体衬底上形成第一介质层,所述第一介质层的表面与环形牺牲栅极的顶部表面平齐;刻蚀部分所述第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极,在第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极中形成沿长度方向分布的若干分立的凹槽;在凹槽中填充满金属
  • 金属栅极形成方法

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