“光刻胶层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3038079个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构-CN201710079112.4在审
发明人：沈思杰;李伟峰;沈惠平;肖培 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构。根据本发明的金属结构光刻蚀刻方法包括第一步骤形成金属阻挡层；第二步骤执行第一金属层的沉积；第三步骤在第一金属层上依次形成抗反射层和抗反射层光刻胶；第四步骤在抗反射层光刻胶上形成ARF光刻胶；第五步骤对抗反射层光刻胶和ARF光刻胶进行图案化处理；第六步骤利用图案化的抗反射层光刻胶对抗反射层执行刻蚀；第七步骤利用图案化的ARF光刻胶对金属层执行刻蚀。本发明提供了提供一种能够适用于90nm闪存器件的金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构。
金属结构光刻蚀刻方法以及结构

[发明专利]基于一次曝光的光刻方法-CN202110710773.9在审
发明人：陈超;陈忠奎 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：提供置于承载台上的衬底；在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；将所述光刻胶层划分为多个区域；使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；对曝光后的光刻胶进行显影。在本发明中，可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且提高光刻图形稳定性。
基于一次曝光光刻方法

[发明专利]图形化刻蚀工艺中降低光刻胶损耗的方法-CN202211207761.5在审
发明人：徐衡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化刻蚀工艺中降低光刻胶损耗的方法，包括：步骤一、在晶圆表面上形成第一材料层。步骤二、进行光刻工艺形成光刻胶图形。步骤三、进行预处理，预处理采用等离子体轰击作用使光刻胶图形的表面产生碳化和固化并形成富碳掩盖层。步骤四、进行第一次刻蚀工艺以形成第一材料层图形，富碳掩盖层用于减少光刻胶图形的损耗量且在第一次刻蚀工艺完成后保证在晶圆的各区域的第一材料层图形的顶部表面都保留有光刻胶图形。步骤五、去除光刻胶图形。本发明能在材料层的刻蚀过程中降低光刻胶的损耗且保证在刻蚀工艺完成后在材料层的图形的顶部表面依然有光刻胶保留，从而能避免材料层产生损耗如产生削角。
图形刻蚀工艺降低光刻损耗方法

[发明专利]图案光刻胶的微缩制造过程-CN03120287.X有效
发明人：张尚文;陈家桢;刘家助;林思闽;陈正中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案光刻胶的微缩制造过程，包括：提供一半导体衬底，其上具有一光刻胶层；藉由一光学光刻工序形成多个具有第一线宽的图案光刻胶于半导体衬底上；进行一酸化工序以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光刻胶上；进行一再烘烤工序以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图案光刻胶中，同时使得酸性物质与位于其扩散深度内的多个图案光刻胶进行一链锁反应以形成多个化学反应层于多个图案光刻胶的表层中，其中，多个图案光刻胶中的酸性物质的扩散深度是取决于酸化工序的酸性物质的扩散速率；以及进行一再显影工序以去除多个化学反应层并形成多个具有第二线宽的图案光刻胶于半导体衬底上。
图案光刻微缩制造过程

[发明专利]一种LED显示模块的制造方法-CN202011239759.7在审
发明人：梁文骥;赵春雷 -专利权人：东莞阿尔泰显示技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了LED显示模块的制造方法，包括有如下步骤：步骤a）提供一PCB板；步骤b）对导电层进行机械打磨或/与化学腐蚀，去除导电层并露出绝缘层的表面；步骤c）将光刻胶涂布在绝缘层的表面，并形成光刻胶层；步骤d）对光刻胶层进行图形曝光、显影，使光刻胶层中形成图形化镂空；步骤e）对光刻胶层进行定向蒸镀成膜，在光刻胶层表面和图形化镂空内沉积得到镀膜层；步骤f）剥离光刻胶层，留下图形化镂空内的镀膜层形成焊盘
一种 led 显示模块制造方法

[发明专利]一种自对准双层图形结构及其制备方法-CN201611021575.7在审
发明人：刘哲;潘如豪;杜硕;李俊杰;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该方法包括提供一基底，分别在基底的上表面和下表面施加光刻胶，以形成第一和第二光刻胶层；按照预定图形用选定能量束对第一光刻胶层进行曝光，其中，能量束选择成能穿过基底，从而在对第一光刻胶层进行曝光的同时对第二光刻胶层进行曝光，以在第一和第二光刻胶层中形成形状一致且相互对准的光刻胶图形；在基底的上表面和下表面分别沉积材料；去除第一和第二光刻胶层，以获得与光刻胶图形对应的自对准双层图形结构。
一种对准双层图形结构及其制备方法

[发明专利]一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置-CN201510335044.4有效
发明人：张斌;周婷婷;张锋;张伟;高锦成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、量子点彩膜和显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的图案化的方法破坏量子点的问题。本发明的量子点层图案化的方法包括在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲水处理的步骤；涂布量子点的步骤；除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；剥离光刻胶的步骤。本发明的量子点层图案化的方法可以提高光刻胶的亲水性能，降低具有亲油性的量子点在光刻胶上的附着力。剥离光刻胶时，不会造成基板目标位置的量子点脱落。本发明的量子点层图案化的方法适用于包括量子点层的发光二极管显示器和量子点彩膜以及应用量子点彩膜的显示装置。
一种光刻量子图案方法 qled 点彩膜显示装置

[发明专利]基板、制备基板的方法、显示装置-CN202211214872.9在审
发明人：秦培培;韩双;聂慧;张毅;苏九端;刘光海;杜生平;辛宪栋 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种基板、制备基板的方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决传统制备基板的工艺需要两道工序才能形成保护层和隔垫柱，使得该制备工艺的步骤较多，不利于规模化量产基板的问题。该制备基板的方法，包括在衬底上涂覆一层光刻胶组合物，以形成光刻胶层；光刻胶组合物包括聚合物树脂和交联反应剂。对光刻胶层进行预固化，使得光刻胶层的至少第一子层中的聚合物树脂通过交联反应剂发生不完全的交联反应；第一子层与衬底接触。透过掩膜板对光刻胶层进行曝光。对光刻胶层进行显影，并停止于第一子层，使得光刻胶层的第二子层被显影成图案层；第二子层位于第一子层远离衬底的一侧。
基板制备方法显示装置

[发明专利]一种具有排气功能的压印光刻胶离型膜材及其制备方法及应用-CN202111524295.9有效
发明人：李书锋;李书芒;李书瑜 -专利权人：金万正（广东）新材料有限公司;广州市金万正印刷材料有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C08J7/043 文献下载
摘要：本发明公开一种具有排气功能的压印光刻胶离型膜材，包括基材层，具有上表面和下表面；还包括涂布于基材层的上表面或/和下表面的光刻胶预聚物，所述光刻胶预聚物经过光辐射固化形成压印光刻胶层的同时通过机械接触的方式在其表面压印形成若干排气沟或排气槽；若干所述排气沟或排气槽将所压印光刻胶层分割成若干凸块。本发明还公开了一种具有排气功能的压印光刻胶离型膜材的制备方法及应用。在基材层上形成压印光刻胶层并通过机械接触的方式压印形成有效的排气沟或排气槽，解决粘性材料或压敏胶产品的排气问题。
一种具有排气功能压印光刻胶离型膜材及其制备方法应用

[发明专利]去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法-CN200810202117.2无效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，包括：在半导体衬底上依次形成待刻蚀层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层；灰化法去除光刻胶层；将带有各膜层的半导体衬底放入溶液喷射循环池内，用第一溶液喷射去除光刻胶残留，同时带有光刻胶残留的第一溶液从溶液喷射循环池内流出；通入第二溶液喷射去除刻蚀过程中残留的刻蚀反应物颗粒，同时带有刻蚀反应物颗粒的第二溶液从溶液喷射循环池内流出。本发明保证光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒能被有效去除，提高了半导体器件的性能。
去除光刻残留刻蚀反应物颗粒方法

[发明专利]用于生产光学信息介质用光刻胶母模和印模的方法-CN02805465.2无效
发明人：小宅久司;高畑广彰 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-02-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生产适于制造光学信息介质的光刻胶母模的方法。该方法能形成具有最小宽度的精细图形，所述最小宽度约为曝光所用波长的一半，并且在该方法中，抑制了图形高度的降低并改善了图形轮廓的锥形。该方法中包括以下步骤：在衬底上涂布一光刻胶层，将光刻胶层曝光在一激光束下以便在光刻胶层中形成一潜影，显影潜影以便形成一凸凹图形，由此生产光刻胶母模；并且在该方法中，在衬底和光刻胶之间形成一吸光层并与光刻胶层接触，吸光层在上述激光束的波长处显示光吸收作用。
用于生产光学信息介质用光刻胶母模印模方法

[发明专利]形成电致变色层图形的方法、使用该图形制备电致变色器件的方法和包括电致变色层图形的电致变色器件-CN200780032841.9无效
发明人：申铉雨;张基硕;朴真荣;崔珉浩;金台洙;李守熙;金载洪;金芙敬 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：一种形成电致变色层图形的方法，该方法包括：在透明基板上形成透明电极层和光刻胶层；通过激光干涉光刻法形成光刻胶图形；和通过在基板的上表面上沉积电致变色层而经过由光刻胶图形限定的开口在透明电极上沉积电致变色层图形，然后除去光刻胶图形。在透明层与光刻胶层之间可以进一步形成绝缘层。在此，可在采用光刻胶图形作为刻蚀掩膜形成绝缘层图形后形成电致变色层。在这种情况下，在由绝缘层图形限定的开口内形成电致变色层图形。因此，增加了电致变色层图形与离子导电层之间的接触面积从而确保快的响应速度。
形成变色图形方法使用制备器件包括

[发明专利]金属电极的沉积方法-CN201810575540.0有效
发明人：逯心红;郝润豹;尚飞 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属电极的沉积方法，该方法包括：在晶圆表面蒸涂底膜；在所述晶圆的表面涂覆双层光刻胶层，所述双层光刻胶层覆盖所述底膜；对双层光刻胶层进行曝光、显影，以显现出特定沉积图形；依次在所述沉积图形上进行第一金属和第二金属沉积；将第三金属以不同速率分次在所述第二金属层上进行沉积；去除所述晶圆表面的光刻胶层，以在所述晶圆表面形成金属电极图形。本发明通过不同沉积速率搭配沉积的方式，可以较好地维持光刻胶的胶型，防止长时间高能量原子轰击光刻胶，导致光刻胶变形塌陷，解决金属剥离困难的问题。
金属电极沉积方法

[发明专利]一种彩色滤光片、显示面板及彩色滤光片的制备方法-CN202210067119.5在审
发明人：王卫卫;周文斌;王浩;冯峰;沈倩;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该彩色滤光片包括第一保护层、多个彩色光刻胶单元和滤光层。第一保护层上设置有多个凹槽；多个彩色光刻胶单元包括红色光刻胶单元、绿色光刻胶单元和蓝色光刻胶单元，每个彩色光刻胶单元填充一凹槽，并且彩色光刻胶单元的厚度大于凹槽的深度；滤光层包括呈阵列排布的滤光单元，呈阵列排布的滤光单元包括红色滤光单元本发明实施例的技术方案通过在相邻两个不同颜色的滤光单元之间，设置颜色均不同于滤光单元且与滤光单元存在交叠的彩色光刻胶单元，实现了降低像素间漏光的风险，且彩色光刻胶可满足较高分辨率的需求。
一种彩色滤光显示面板制备方法

[发明专利]蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法-CN202111277340.5在审
发明人：邵仁锦;浦东林;张瑾;朱鹏飞;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法，蘑菇状微结构的制备方法，包括：提供基板；在所述基板表面涂布光刻胶；软烘所述光刻胶；图形化紫外曝光所述光刻胶，包括：使所述光刻胶表面吸附一定量的碱性分子形成一层显影钝化层，所述碱性分子能与由紫外曝光所产生的酸性分子发生中和反应而消耗一部分酸性分子，以及对形成了显影钝化层的所述光刻胶进行图形化紫外曝光；显影图形化紫外曝光后的所述光刻胶，利用所述显影钝化层的显影速率低于中间层和底层光刻胶，去掉部分所述光刻胶，保留的所述光刻胶形成所述蘑菇状微结构。
蘑菇微结构模具黏附结构制备方法