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[发明专利]皮秒超声测量信号特征的识别模型建立方法及识别方法-CN202310364275.2在审
发明人：刘世元;闵菁;马骏;汤自荣;王中昱;陈修国;李仲禹 -专利权人：华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N29/44 文献下载
摘要：本发明公开了皮秒超声测量信号特征的识别模型建立方法及识别方法，属于皮秒超声测量领域，包括：获取测量自不同种类的微纳米薄膜的多组一维时序皮秒超声测量信号，并标注出各特征信号所在的时域区间和类型，得到多个样本；搭建包含至少一个1D卷积神经网络层和至少一个循环神经网络层的混合神经网络模型，用于预测目标一维时序皮秒超声测量信号中各类特征信号及非特征信号的时域分布概率曲线；将所有的样本划分为训练集、验证集和测试集，对混合神经网络模型进行训练、验证和测试后，得到皮秒超声测量信号特征的识别模型。本发明能同时抓取皮秒超声测量信号的空间特点和时间特点，从而提高皮秒超声测量信号特征识别的准确性。
超声测量信号特征识别模型建立方法

[发明专利]获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置-CN202211684217.X在审
发明人：刘世元;汤自荣;王中昱;马骏 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取激光损伤阈值的方法，包括构建获取激光损伤阈值的模型，获取激光损伤阈值的模型包括瞬时损伤模型和热积累损伤模型，瞬时损伤模型表示单脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、晶格温度变化以及应力传输，热积累损伤模型表示多脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、受环境影响的晶格温度变化，获取待测材料的物理特性参数以及激光光源参数，根据所述待测材料的物理特性参数、所述激光光源参数以及所述获取激光损伤阈值的模型获取激光损伤阈值，无需进行大量破坏性实验所导致的时间及样本材料成本的消耗，在降低成本的同时，提高了激光损伤阈值的检测效率。本发明还提供了一种光声测量装置。
获取激光损伤阈值方法测量装置

[发明专利]一种基于模型的激光超声测量光源参数优化方法及设备-CN202211218802.0在审
发明人： 汤自荣;王中昱;闵菁;胡静;孙勇;陈修国;刘世元 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-10-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明属于激光超声检测相关技术领域，其公开了一种基于模型的激光超声测量光源参数优化方法及设备，该方法包括以下步骤：(1)构建激光超声测量模型，包括光热激发模型、热声转换模型及声光测量模型；(2)基于光热激发模型及材料物理特性参数，采用不同的激光光源参数计算得到激光辐照下样本材料内部的温度随时间的分布；(3)基于热声转换模型计算得到样本材料内部的声信号随时间的分布；(4)基于激光光源参数及声光测量模型计算得到该样本材料的超声测量信号；(5)基于不同激光光源参数下的超声测量信号分析激光光源参数对样本材料的影响规律，以得到样本材料的最优激光光源参数。本发明避免了大量实验所导致的时间及物料成本的损耗。
一种基于模型激光超声测量光源参数优化方法设备

[发明专利]一种光声测量信号特征的识别模型建立方法及提取方法-CN202110814894.8有效
发明人： 汤自荣;闵菁;王则涵;王中昱;胡静;陈修国;刘世元 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光声测量信号特征的识别模型建立方法及提取方法，属于信号处理领域，包括：获得测量自不同种类的固体样品的多组一维时序光声测量信号，并标注出每组信号中的各特征信号所在的时域区间和类型，得到多个样本；将U‑Net模型中所有的卷积层、最大池化层和上采样均修改为1D形式，以建立一维U‑Net神经网络模型，用于预测一维时序光声测量信号中各类特征信号的时域分布概率曲线；将所有的样本划分为训练集、验证集和测试集，对一维U‑Net神经网络模型进行训练、验证和测试后，得到光声测量信号特征的识别模型。本发明能够有效解决现有的一维时序光声测量信号特征识别与提取方法的鲁棒性差、准确度低、无法区分不同膜层回声信号的技术问题。
一种测量信号特征识别模型建立方法提取

[发明专利]一种宽厚板工作辊轴向力实时在线监测装置及监测方法-CN202110079442.X有效
发明人：杨文海;杨文玉;温利军;芦利军;王国海;张满全;岳国厂;王超;杜宇;汤自荣;赵超;杜宇辉;王秉林 -专利权人：包头钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B21B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽厚板工作辊轴向力实时在线监测装置及实时在线监测方法，分不同轧制工艺阶段实时准确监测宽厚板工作辊轴向力，分别在不同轧制工艺阶段实现工作辊轴向力在操作画面上的实时显示，实现轴向力过大时的报警提示，同时不同轧制工序时间段和轧机状态采集计算的轴向力实时监控数据更便于反应出轧机牌坊衬板磨损程度等重要轧机设备健康状态信息，为后续轧机牌坊窗口和轴承座之间的间隙调整、牌坊衬板更换提供重要数据参考依据。
一种宽厚工作辊轴实时在线监测装置方法

[发明专利]旋涂-蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202011163942.3有效
发明人：廖广兰;叶海波;刘智勇;刘星月;张许宁;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋涂‑蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于能量转化技术领域。太阳能电池的光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层，其通过先旋涂PbBr2再蒸发CsBr的方法制备，具体为：先将CsBr加热升华成蒸气，该蒸气遇到PbBr2层后在PbBr2表面形成CsBr，并进行退火处理，PbBr2和CsBr相互扩散形成CsPbBr3无机钙钛矿层。本发明采用旋涂‑蒸发两步法制备的全无机钙钛矿作为光吸收层，解决了CsBr溶解度低的问题，并且避免了有毒溶剂甲醇的使用，并使得PbBr2和CsBr可以充分反应得到纯度更高的CsPbBr3无机钙钛矿层，无机钙钛矿具有更高的湿度和热稳定性，使得电池的制备能够在空气中制备，降低了对于生产设备的要求，有利于电池的大规模生产，且制备的电池稳定性好，电池性能衰减较慢。
旋涂蒸发步法无机钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种适用于宽膜厚范围样品的激光超声测量系统及方法-CN202110601198.9有效
发明人：闵菁;汤自荣;刘世元;陈修国;李仲禹;王中昱;胡静;王则涵 -专利权人：华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明属于激光超声检测相关技术领域，并具体公开了一种适用于宽膜厚范围样品的激光超声测量系统及方法。该系统包括脉冲激光器、泵浦探测单元、脉宽调整器、探测器和工控机，其中：泵浦探测单元中的分束器将脉冲激光分为激发光光束和探测光光束；激发光经过脉宽调整器照射在待测样品表面并激发出超声信号，在样品中传播产生回声信号；与激发光存在延时的探测光自样品反射后被探测器接收；工控机接收探测器转换的电信号并提取回声信号，当该回声信号的强度小于预设阈值时，调整脉宽调整器为脉冲展宽状态；当该回声信号的强度大于或等于预设阈值时，保持脉宽调整器为压缩状态。通过本发明，增大激光超声测量技术所适用的样品的膜厚范围。
一种适用于宽膜厚范围样品激光超声测量系统方法

[发明专利]用于动态眼压测量的光学光栅柔性传感器及其制造方法-CN201910249644.7有效
发明人：李晓平;夏金松;史铁林;张虹;李贵刚;汤自荣;赵英俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： A61B3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于动态眼压测量的光学光栅柔性传感器的制造方法，属于动态眼压测量领域，包括：在硅衬底上旋涂光刻胶，显影、定影得到由剩余光刻胶形成的微纳米尺寸图纹；以剩余光刻胶做掩膜，利用干法刻蚀硅衬底，得到纳米尺寸图纹；除去剩余光刻胶，得到硅凹模，将其图纹复制到树脂片；在所述树脂片上喷银，然后进行微电铸，将树脂片上的图纹复制在镍片上，得到镍凹模；将制造隐形眼镜的液态原料或固态毛坯注入镍凹模进行铸压，得到用于动态眼压测量的光学光栅柔性传感器。本发明提供了用于动态眼压测量的光学光栅柔性传感器的产业化制造方法，从而为临床应用与研究提供了产业化基础。
用于动态眼压测量光学光栅柔性传感器及其制造方法

[发明专利]一种钙钛矿忆阻器及其制备方法-CN202110005175.1在审
发明人：廖广兰;叶海波;刘智勇;刘星月;张许宁;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构。所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
一种钙钛矿忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法-CN201811506264.9有效
发明人： 汤自荣;李俊杰;梁琦;史铁林;冯辰;廖广兰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于铜互连键合技术领域，更具体地，涉及一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法。该方法包括下列步骤：(a)配制可自修复的铜纳米颗粒浆料，其中包括将铜纳米颗粒在甲酸中预处理，以及将预处理的铜纳米颗粒与还原剂、表面活性剂和粘度调节剂的混合溶剂混合；(b)将可自修复的铜纳米颗粒浆料均匀涂覆在两块铜基底之间，以此形成待键合样品，在真空或者惰性气体氛围中，使得可自修复的铜纳米颗粒浆料中的铜纳米颗粒与两块铜基底之间产生互连，实现铜铜键合，在键合过程中，还原剂将甲酸铜分解还原为铜实现铜纳米颗粒的自修复。通过本发明，实现键合过程中无需还原性气氛，同时具备工艺要求简单、易储存、低成本。
一种基于修复纳米颗粒浆料低温铜铜键合方法

[发明专利]一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法-CN201811188404.2有效
发明人：廖广兰;林建斌;谭先华;方涵;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明属于湿度传感器技术领域，并具体公开了一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法，该湿度传感器采用如下步骤制备：在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。本发明具有响应快、湿滞小、灵敏度高、重复性好、性能稳定、成本低等优点。
一种石英晶体天平湿度传感器及其制备方法

[发明专利]一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法及产品-CN201810633969.0有效
发明人：廖广兰;林建斌;谭先华;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明属于湿度传感器技术领域，并具体公开了一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法及产品，所述方法包括，S1、种子层制备：在石英晶体微天平上沉积一层Cu种子层，用于后续生长超亲水纳米线作为湿敏层材料；S2、湿敏层制备：将沉积有所述Cu种子层的石英晶体微天平水平置于NaOH和(NH4)2S2O4的混合溶液中，以在所述Cu种子层上生长超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器件。所述产品包括石英晶体微天平、设于所述石英晶体微天平正面和/或反面的种子层以及生长于所述种子层上的纳米线。本发明制备形成的湿度传感器响应速度小于1s，具有高响应性、灵敏度高、重复性好、性能稳定等特点。
一种石英晶体天平湿度传感器制备方法产品

[发明专利]一种基于ANSYS参数化设计语言的三维模型梯度有限元求解方法-CN201710659044.9有效
发明人：廖广兰;谭先华;邵杰;史铁林;汤自荣;孙博;林建斌;陈科鹏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明属于有限元模拟领域，并公开了一种基于ANSYS参数化设计语言的三维模型梯度有限元求解方法，该方法主要包括如下步骤：模型前处理，求解器设置并求解；提取目标变量和节点自然坐标；求解形函数导数矩阵；求解雅各比列矩阵；求解雅各比列矩阵逆矩阵；计算插值点变量梯度；单元梯度值积分求单元解。本发明方法避免了同类问题导出数据、二次求解、费时费力的缺点，实现了后处理过程中梯度值的快速求解，能够大幅降低计算时间。
一种基于 ansys 参数设计语言三维模型梯度有限元求解方法

[发明专利]用于芯片封装中图形化纳米颗粒的微焊点互连方法及产品-CN201911299346.5在审
发明人： 汤自荣;梁琦;李俊杰;史铁林;廖广兰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于芯片封装领域，并公开了一种用于芯片封装中图形化纳米颗粒的微焊点互连方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)待处理晶圆上包括图形化的焊盘区域和非焊盘区域，在焊盘区域上光刻形成光刻胶覆盖层；(b)对待处理晶圆进行气相沉积形成一层有机疏水薄膜；(c)去除焊盘区域上的光刻胶覆盖层，以此去除焊盘区域上的有机疏水薄膜；(d)使纳米颗粒导电墨水扫过焊盘区域，溶剂挥发后，纳米颗粒将沉积在焊盘区域；(e)将另一块待处理晶圆与焊盘上沉积有纳米颗粒的晶圆对准，热压键合，以此实现两块待处理晶圆的互连。通过本发明，实现将纳米颗粒按需涂覆在键合界面上，具有效率高、精度高、可大规模量产等优点。
用于芯片封装图形纳米颗粒微焊点互连方法产品

[发明专利]一种超致密Cu(OH)2-CN201811208448.7有效
发明人：廖广兰;林建斌;谭先华;方涵;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于微纳制造技术领域，并公开了一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品。该方法包括，S1、ZnO种子层制备：在基底上沉积一层ZnO薄膜；S2、ZnO催化纳米棒的制备：在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4混合生长液中；S3、Cu种子层制备：在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层；S4、生长纳米线：将沉积有Cu种子层的基底置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，以生长超致密Cu(OH)2纳米线。本发明还公开以一种超致密Cu(OH)2纳米线。本发明制备形成的Cu(OH)2纳米线的形貌具有质量更高、更加致密、比表面积大的特性。
一种致密 cu oh base sub

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