[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 98118821.4 | 申请日： | 1998-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1155103C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 江尻洋一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/72;H01L27/06;H01L27/08;H01L21/8248 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 结型场效应晶体管与双极型晶体管连接起来的复合型双极型晶体管器件，可保证良好和稳定的特性而不会导致结型场效应晶体管中较大的面积。双极型晶体管的收集极和结型场效应晶体管的源极连接起来，结型场效应晶体管的栅区、栅极接触导电层和用于漏区的漏极接触导电层由用相同的导电材料或互不相同的材料形成为各自不同的层的导电层形成，栅极接触导电层的漏极一侧的边缘部分的配置表面位于在漏极接触导电层的栅极一侧的边缘部分的配置表面之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括双极型晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件，其中将所述双极型晶体管的收集极和所述结型场效应晶体管的源极连接起来，所述双极型晶体管和所述结型场效应晶体管在同一衬底上形成，所述半导体器件的特征在于包括：栅极接触导电层，穿过绝缘层与所述结型场效应晶体管的栅区接触；以及漏极接触导电层，穿过绝缘层与漏区接触，其中，所述栅极接触导电层的漏极一侧的边缘部分的配置表面位于在所述漏极接触导电层的所述栅极一侧的边缘部分的配置表面之下。
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- 半导体装置包含半导体衬底，具有第一导电类型，深阱设置于半导体衬底上，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一阱和第二阱设置于深阱内且具有第一导电类型，其中第一阱和第二阱由深阱的一部分隔开，且第一阱电连接于第二阱，以及第一掺杂区和第二掺杂区设置于深阱内且具有第二导电类型，其中第一阱和第二阱位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。
- 半导体装置-202080100601.3
- 斋藤尚史;滝口雄贵;宇佐美茂佳;山田高宽;中村茉里香;柳生荣治 - 三菱电机株式会社
- 2020-05-13 - 2022-12-23 - H01L29/808
- 源极层(13)设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层(12)之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层(14)在第一p型层(12)之上从源极层(13)空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构(SR)在第一p型层(12)之上设置在源极层(13)和漏极层(14)之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域(CN)和栅极区域(GT)。沟道结构(SR)包含的沟道层(15)构成沟道区域(CN)的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构(SR)包含的栅极层(16)构成栅极区域(GT)的至少一部分，电连接栅极电极(19)和第一p型层(12)。
- 一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法-202211134280.6
- 马晓华;何云龙;陆小力;郑雪峰;郝跃 - 西安电子科技大学
- 2022-09-16 - 2022-12-16 - H01L29/808
- 本发明涉及一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法，该功率晶体管包括：β‑Ga
- 氮化物半导体装置-202180029895.X
- 伊藤范和;田中岳利;中原健 - 罗姆股份有限公司
- 2021-04-14 - 2022-12-02 - H01L29/808
- 氮化物半导体装置包括电子渡越层、形成在所述电子渡越层上的电子供给层、形成在所述电子供给层上且包含含有第一杂质的Al
- 专利分类
