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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率元件及其制造方法-CN202110422918.5有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-04-20 - 2023-09-29 - H01L29/06
  • 一种功率元件及其制造方法，所述功率元件包括：外延层，具有沟渠，所述沟渠自所述外延层的第一表面向第二表面延伸；漏极掺杂层，位于所述外延层的所述第二表面上；第一基体区与第二基体区，位于所述沟渠两侧的所述外延层中；第一源极掺杂区与第二源极掺杂区，分别位于所述第一基体区与所述第二基体区中；隔离场板，位于所述沟渠中；绝缘填充层，位于所述沟渠中，环绕所述隔离场板的下部的侧壁与底部；第一栅极与第二栅极，位于所述沟渠中且位于所述绝缘填充层上；以及介电层，环绕所述第一栅极与所述第二栅极的侧壁，其中所述第一栅极与所述第二栅极的底角为钝角。本申请可以提升元件的崩溃电压，降低导通电阻，改善品质因素，提升元件的效能。
  • 功率元件及其制造方法
  • [发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法-CN202010337743.3有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2020-04-26 - 2023-07-28 - H01L29/808
  • 本发明提供了一种结型场效应晶体管及其制造方法，适用于高电压操作。其中，结型场效应晶体管包括衬底层，掺杂有第一导电型掺质。基部井区形成在该衬底层上，掺杂有第二导电型掺质。阻挡层位于该衬底层与该基部井区的界面上，掺杂有该第一导电型掺质。栅极区在该基部井区的表面部，掺杂有该第一导电型掺质。源极区与漏极区在该基部井区的该表面部，位于该栅极区的两侧，掺杂有该第二导电型掺质。隔离结构在该基部井区的该表面部，隔离该栅极区。该栅极区包含往该漏极区延伸的一凸出部，该凸出部在该隔离结构下，该凸出部的深度比该栅极区的其他区域浅。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [发明专利]高压集成电路结构-CN202110134046.2有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-02-01 - 2023-05-19 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种高压集成电路结构，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层设置于衬底上，其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；源极区和漏极区，设置于外延层中，且具有第二导电类型；第一隔离结构和第二隔离结构，设置于外延层上，并分别位于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构位于源极区与漏极区之间；第一导电类型隔离区，位于第二隔离结构下的外延层中，包括：空槽区，设置于第一导电类型隔离区的中心区，且由外延层所构成；以及第一导电类型高压阱区，设置于空槽区的相对两侧。
  • 高压集成电路结构
  • [发明专利]功率元件-CN202110480080.5有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-04-30 - 2023-05-05 - H01L29/423
  • 本发明提供了一种功率元件，包括：外延层，具有沟渠，自所述外延层的第一表面向第二表面延伸；隔离场板，位于所述沟渠中；绝缘填充层，位于所述沟渠中，环绕所述隔离场板的下部的侧壁与底部；第一栅极与第二栅极，位于所述沟渠中且位于所述绝缘填充层上；以及介电层，环绕所述第一栅极与所述第二栅极的侧壁，其中所述介电层的下部具有所述介电层的最大宽度，且其中所述隔离场板包括第一部分与第二部分，所述第一部分与所述介电层的所述下部相邻，且其掺杂浓度大于第二部分。
  • 功率元件
  •  1 
  • 共 5 条
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