[发明专利]半导体装置、启动电路以及开关电源电路有效
| 申请号： | 201810863013.X | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109494259B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 狩野太一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H02M1/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种抑制器件尺寸并强化ESD浪涌耐受量的半导体装置、启动电路以及开关电源电路。半导体装置具备：p型的半导体衬底；n型的漏极区，其设置于半导体衬底的上部；n型的漂移层，其以与漏极区相接且在横向上包围漏极区的方式设置在半导体衬底的上部；栅极区，其设置在半导体衬底的上部且漂移层的成为与漏极区相反的一侧的外侧，具有第一槽和第二槽，该第一槽和第二槽各自的开口部位于与漏极区相隔等距离的位置，该第一槽和第二槽向外侧凹陷，且沿着厚度方向延伸；n型的源极区，其以与漂移层及栅极区相接的方式设置于第一槽的内侧；以及n型的浪涌电流引导区，其以与漂移层及栅极区相接的方式设置于第二槽的内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 启动 电路 以及 开关电源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；第二导电型的漏极区，其设置于所述半导体衬底的上部；第二导电型的漂移层，其以与所述漏极区相接且在横向上包围所述漏极区的方式设置在所述半导体衬底的上部；栅极区，其设置在所述半导体衬底的上部且所述漂移层的成为与所述漏极区相反的一侧的外侧，具有第一槽和第二槽，所述第一槽和所述第二槽以各自的开口部位于与所述漏极区相隔等距离的位置的方式朝向所述外侧凹陷，所述第一槽和所述第二槽沿着所述半导体衬底的厚度方向延伸；第二导电型的源极区，其以与所述漂移层及所述栅极区相接的方式设置于所述第一槽的内侧；以及第二导电型的浪涌电流引导区，其以与所述漂移层及所述栅极区相接的方式设置于所述第二槽的内侧。
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