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[发明专利]沟槽型碳化硅器件及其制造方法-CN202211068769.8在审
发明人：杨海锋;陈志勇;维平达斯·帕拉;乔伊·迈克格雷格;姚泽强 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：公开了一种沟槽型碳化硅器件及其制造方法，该沟槽型碳化硅器件的制造方法包括在碳化硅衬底上形成沟槽，淀积形成第一氧化层，所述第一氧化层包括二氧化硅以及致密过程，通入氧气，所述氧气和碳化硅衬底发生反应生成二氧化硅。该沟槽填充的，使得第一氧化层和碳化硅衬底结合更紧密，第一氧化层和碳化硅衬底之间不容易分离。
沟槽碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]提供静电放电保护的MOSFET及其制造方法-CN202210511001.7在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种提供静电放电保护的MOSFET及其制造方法。一种制造在半导体衬底上的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：形成在半导体衬底上方的栅极氧化区、形成在栅极氧化区之上的栅极多晶硅区、形成在半导体衬底中且位于栅极多晶硅区第一侧的具有第一掺杂类型的源极区、以及形成在半导体衬底中且位于栅极多晶硅区第二侧的具有第一掺杂类型的漏极区。栅极多晶硅区包括具有第一掺杂类型的第一子区、具有第一掺杂类型的第二子区以及具有第二掺杂类型的第三子区，其中第一子区与源极区横向地相邻，第二子区与漏极区横向地相邻，且第三子区横向地形成在第一子区和第二子区之间。
提供静电放电保护 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种横向晶体管-CN202011454548.5有效
发明人：吉杨·永;连延杰;傅达平;张昕;乔伊·迈克格雷格;柳志亨;邢进;王晓刚;杨海峰 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的实施例揭露了一种横向晶体管，其可以包括源区、漏区、栅区、阱区、位于阱区的在所述漏区与所述栅区之间的一部分之上或之中的场介电结构以及位于所述场介电结构的一部分之上的场板定位层。该场板定位层与所述栅区的靠近所述场介电结构的那一侧的边缘之间具有第一横向距离。该横向晶体管还可以包括位于所述场板定位层之上的横向导电场板，其与所述栅区的靠近所述场介电结构的那一侧的边缘之间具有第二横向距离；以及纵向槽型场板接触，其纵向延伸穿过层间介电层直至与所述横向导电场板接触。可以通过调节所述场板定位层的纵向厚度来灵活调节/控制场板至半导体表面高度以使横向导电场板/纵向槽型场板接触有效地发挥减小表面电场的作用。
一种横向晶体管

[发明专利]一种自对准的DMOS器件的制造方法-CN202110313543.9在审
发明人：柳志亨;乔伊·迈克格雷格;杨海峰;肖德明 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造DMOS器件的方法，包括：通过掩膜板上的窗口刻蚀多晶硅层，所述多晶硅层位于阱区之上，所述阱区位于半导体衬底内；通过多晶硅层上被刻蚀后形成的窗口，向阱区注入杂质来形成体区；在多晶硅层被刻蚀后形成的侧壁包裹间隔；通过间隔形成的窗口来形成体接触区；在去除间隔后，通过掩膜工序来形成栅极；以及通过掩膜工序来形成源极区和漏极接触区。本发明采用侧壁间隔和栅极遮挡技术替代掩膜工序来制作N+/P+/N+区域，以得到更小的源极区，同时有效降低了制造DMOS器件的成本。
一种对准 dmos 器件制造方法

[发明专利]一种在功率器件中排布金属层的方法-CN202110321772.5在审
发明人： 乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出了一种功率场效应器件及其金属层的排布方法，所述功率场效应器件包括：第一介电层及镶嵌于第一介电层的第一金属层；第二介电层及镶嵌于第二介电层的第二金属层；其中，所述第一金属层和第二金属层直接接触，中间没有通孔层。本发明将第一金属层和第二金属层直接接触，并通过各金属层的排布避免电极间的短接，从而移除了传统工艺中连接相邻金属层的通孔层，有效地节省了一道掩膜工序，降低了功率场效应管的制造成本。
一种功率器件排布金属方法

[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法-CN201710716395.9有效
发明人：柳志亨;乔伊·迈克格雷格;艾瑞克·布劳恩 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底内的具有第一掺杂类型的阱区上形成阻隔层，所述阻隔层具有用于定义位于阱区上层部分的第一区域的窗口，且具有位于窗口两边的侧壁；通过阻隔层的窗口向阱区内注入具有第二掺杂类型的杂质，形成第一区域；采用大角度倾斜的杂质注入，向第一区域内注入具有第一掺杂类型的杂质，形成用于第一晶体管的第二区域，及用于第二晶体管的第三区域；以及形成位于第二区域和第三区域之间的、用于第一晶体管与第二晶体管的第四区域。
一种 ldmos 器件制造方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法-CN201710888508.3有效
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星;吉杨永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区‑漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括P型体区和N型漂移区，其中P型体区由一系列的P型离子注入形成，N型漂移区由一系列的N型离子注入形成，在器件制造过程中，合理地调整P型体区和N型漂移区的离子注入浓度和深度可以实现器件的体区‑漂移区PN结处的最高浓度梯度位于器件表面下方，从而抑制热空穴在器件漏极‑门极之间的氧化层区域附近的注入和俘获，避免器件在发生击穿后的其它特性的改变。
一种横向扩散金属氧化物半导体 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201911069541.9在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件具有多个漏极接触结构，每个漏极接触结构具有漏极接触、第一漏极接触金属层和通孔。漏极接触位于漏区上；第一漏极接触金属层位于漏极接触上；通孔位于第一漏极接触金属层上。该LDMOS器件还具有第二漏极接触金属层，其与每个漏极接触结构的通孔相电耦接。第一漏极接触金属层和漏极接触的尺寸减小，使得第一漏极接触金属层和漏极接触与场板接触和场板接触金属层之间的边缘场减小，从而，相应的寄生电容也得到减小。当LDMOS器件用作开关器件时，寄生电容的减小有助于降低开关操作中的功率损耗并提高开关效率。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201910830811.7在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件及其制造方法。LDMOS器件包括位于衬底中的源区和漏区以及位于衬底上的栅极，该栅极横向位于源区和漏区之间。LDMOS器件还包括位于衬底上的栅极和漏区之间区域的场板和位于场板上的场板接触。场板接触包括上表面，上表面在纵向上包括第一部分和第二部分。场板接触的上表面还电气接触场板接触金属层，该场板接触金属层覆盖场板接触的第一部分而不覆盖场板接触的第二部分。这样，减小了场板接触金属层的面积，从而便减小了场板接触金属层和漏极金属层之间边缘场，进而减小了两者之间的寄生电容。这样，峰值电场得到有效降低，或者说，LDMOS器件的击穿电压被有效提高。
场板上表面衬底减小漏区接触金属层板接触金属层源区漏极金属层电气接触峰值电场击穿电压寄生电容栅极横向边缘场覆盖制造

[发明专利]一种选择性刻蚀的LDMOS器件的制造方法-CN201710066412.9有效
发明人：柳志亨;郑志星;乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。
一种选择性刻蚀 ldmos 器件制造方法

[发明专利]LDMOS器件及相关半导体集成电路的制造方法-CN201610859002.5有效
发明人： 乔伊·迈克格雷格;郑志星;吉扬永;艾瑞克·布劳恩 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。
ldmos 器件相关半导体集成电路制造方法

[发明专利]具有自对准体区的LDMOS器件的制造方法-CN201710842708.5在审
发明人： 乔伊·迈克格雷格;肖德明;姚泽强;吉杨永;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件的制造方法，包括形成半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；在介质层上形成导电层；在导电层上形成第一光刻胶层；通过第一掩膜对第一光刻胶层进行刻印，以形成第一开口；通过第一开口对导电层进行刻蚀；通过第一开口向半导体衬底中注入具有第一掺杂类型的杂质，以形成靠近半导体衬底上表面的第一体区和位于第一体区之下的第二体区；去除第一光刻胶层；以及使用第二光刻胶层和第二掩膜对导电层进行刻蚀。
具有对准 ldmos 器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法-CN201410285973.4有效
发明人： 乔伊·迈克格雷格;郑志星;艾瑞克·布劳恩;吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法。该半导体器件包括栅极区、N型漏极区、P型体区和N型源极区，其中体区包括第一体区、第二体区和体接触区，其中第一体区掺杂硼原子，第二体区掺杂硼原子和铟原子，第二体区位于源极区下方并与源极区相邻。该半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法具有较低的电阻、较高的雪崩能量和稳定的阈值电压等优点。
一种半导体器件用于制作雪崩能量 ldmos 器件方法

[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法-CN201410503435.8在审
发明人：郑志星;乔伊·迈克格雷格;吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件的制作方法包括：在半导体衬底上制作LDMOS器件的栅极区；采用一掩膜将第一型掺杂物质以一定角度倾斜注入半导体衬底；采用相同的掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底，其中倾斜注入形成的区域和垂直注入形成的区域共同用于形成LDMOS器件的体区；以及制作LDMOS器件的源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区为不同于第一型掺杂的第二型掺杂。该方法和器件具有热预算低，导通电阻低和击穿电压高等优点。
一种 ldmos 器件及其制作方法

[实用新型]横向晶体管-CN201220747829.4有效
发明人： 乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提出了一种横向晶体管。根据本实用新型实施例的横向晶体管包括：栅区，形成于栅介质层的第一部分上；以及场板，形成于场介质层上，覆盖该场介质层的至少一部分，并延伸至所述栅介质层上覆盖该栅介质层的第二部分，其中该场板与所述栅区之间具有位于所述栅介质层的第三部分上方的隔离间隙，并且该场板与该横向晶体管的源区耦接。根据本实用新型实施例的横向晶体管具有相对较小的漏栅电容，也可以具有较低的比导通电阻，还可以具有改善的热载流子寿命。
横向晶体管

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