[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110952918.6 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115708203A | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴小飞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/544;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决晶圆验收测试时，测试探针易污染甚至测试探针损坏的技术问题，该半导体结构包括基底、设置在基底上的介质层以及设置在介质层上的重布线层；基底包括切割道区，切割道区对应的基底上设有焊盘，介质层具有设置在焊盘上的凸块和设置在凸块外周的第一开口，且第一开口暴露部分焊盘；重布线层具有填充在第一开口内以及设置在凸块上的延伸部，延伸部与焊盘电连接，测试探针与凸块上的延伸部的上表面抵接，便可实现对晶圆的验收测试，可避免测试探针易污染甚至损坏的问题，提高了测试探针的工作可靠性，延长了测试探针的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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