[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底、设置在所述基底上的介质层以及设置在所述介质层上的重布线层；

所述基底包括切割道区，所述切割道区对应的所述基底中设有焊盘，所述介质层具有设置在所述焊盘上的凸块和设置在所述凸块外周的第一开口，且所述第一开口暴露部分所述焊盘；

所述重布线层具有填充在所述第一开口内以及设置在所述凸块上的延伸部，所述延伸部与所述焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口为环绕在所述凸块外周的环形开口。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块沿垂直所述介质层的厚度方向的截面形状为圆形、正方形、矩形中的一者。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口为至少两个，至少两个所述第一开口沿所述凸块的周向间隔设置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块的中心和所述焊盘的中心位于与所述基底垂直的同一直线上。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块上的延伸部在所述基底上的投影面积大于所述第一开口内的所述延伸部在所述基底上的投影面积。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块的高度大于等于所述介质层的高度。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块的顶面与所述介质层的上表面平齐。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块和所述介质层由一次构图工艺形成。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口和所述凸块在所述基底上的投影覆盖所述焊盘在所述基底上的投影。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层为铝布线层或者铜布线层。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括依次层叠设置的钝化层、第一绝缘层和种子层，所述重布线层设置在所述种子层上。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括与切割道区间隔设置的阵列区，所述阵列区对应的所述重布线层上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上具有贯穿所述第二绝缘层的第二开口，所述第二开口暴露部分所述重布线层，所述第二开口内设有焊线，所述焊线的一端与所述重布线层电连接；

其中，所述第二开口在所述基底上的投影与所述第一开口在所述基底上的投影的位置不同。

14.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括切割道区，所述切割道区对应的所述基底中设有焊盘；

在所述基底上形成介质层，所述介质层具有设置在所述焊盘上的凸块和设置在所述凸块外周的第一开口，所述第一开口暴露部分所述焊盘；

在所述介质层上形成重布线层，所述重布线层具有填充所述第一开口以及设置在所述凸块上的延伸部，所述延伸部与所述焊盘电连接。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

在所述基底上形成介质层，具体包括：

在所述基底上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成贯穿所述第一绝缘层、所述钝化层以及部分所述基底的第一开口，所述第一开口暴露部分所述焊盘；

在所述第一绝缘层和所述焊盘上形成种子层，所述钝化层、所述第一绝缘层和所述种子层形成所述介质层，位于所述焊盘上的所述介质层形成所述凸块。