[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110779623.3 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN115602648A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张书浩;李宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括基底、接触孔、阻挡层以及导电接触结构，基底包括有源区，有源区内形成有漏区以及源区；接触孔自基底的表面向源区和/或漏区延伸；阻挡层位于导电接触结构底面；导电接触结构填充接触孔，且包括接触层，接触层接触源区和/或漏区。本发明可以有效增大源漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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